2.

- DIODO DE POTENCIA
2.1 Construcción y encapsulado
2.2 Características estáticas
2.2.1 Curvas características, Estados de bloqueo y
conducción y cálculo de pérdidas.
2.3 Características dinámicas
2.3.1 Salida de conducción: Recuperación inversa. Entrada
en conducción: Recuperación directa y Cálculo de pérdidas.
2.4 Tipos de diodos de potencia:
Diodos rectificadores para baja frecuencia, rápidos y
ultrarrápidos, Schotkky y para aplicaciones especiales.
2.5 Uso de los datos de catálogo de fabricantes
1/05/2018 B. SÁENZ L. 1
1/05/2018 B. SÁENZ L. 2
El diodo de potencia es el elemento rectificador
más común.
Características:
Presenta dos estados bien diferenciados:
corte y conducción. El paso de uno a otro, no
es instantáneo y en dispositivos en los que el
funcionamiento se realiza a alta frecuencia, es
muy importante el tiempo de paso entre estados,
puesto que éste acotará las frecuencias de
trabajo.

1/05/2018 B. SÁENZ L. 3
Márgenes de funcionamiento:
En conducción pueden soportar una corriente
media de 1500A llegando hasta tensiones
inversas de 2000V. Actualmente las técnicas
de fabricación de diodos han avanzado hasta
un nivel de tensión de 5000V en inverso y
corrientes de 3000A en directo. El Si es el
elemento semiconductor más empleado. Es
decir que lo deseable es:
- Corriente elevada con baja caída de tensión
- Tensión inversa elevada con mínimas fugas
1/05/2018 B. SÁENZ L. 4
Características:
En conducción es capaz de soportar altas
intensidades con bajas caídas de tensión.
En inverso soportan altas tensiones
negativas de ánodo con bajas corrientes de
fugas.
Inconvenientes:
I Dispositivo unidireccional.
I Único procedimiento de control: inversión del
voltaje.

1/05/2018 B. SÁENZ L. 5
Simbología empleada:
Características estáticas del diodo de Potencia.
Parámetros en estado de bloqueo:
1.- VR: Tensión inversa de trabajo
2.- VRRM: Tensión inversa de pico repetitivo
3.- VRSM :Tensión inversa de pico único
4.- Tensión de ruptura
5.- Intensidad de fugas
Parámetros en estado de conducción:
1.- IF(AV) (Intensidad media nominal)
2.- IFRM (Intensidad de pico repetitivo)
3.- IFSM (Intensidad de pico único)
1/05/2018 B. SÁENZ L. 6
1/05/2018 B. SÁENZ L. 7
Construcción y encapsulado

1/05/2018 B. SÁENZ L. 8
1/05/2018 B. SÁENZ L. 9
Características estáticas

1/05/2018 B. SÁENZ L. 10
1/05/2018 B. SÁENZ L. 11
1/05/2018 B. SÁENZ L. 12
1/05/2018 B. SÁENZ L. 13
1/05/2018 B. SÁENZ L. 14
1/05/2018 B. SÁENZ L. 15
1/05/2018 B. SÁENZ L. 16
1/05/2018 B. SÁENZ L. 17
1/05/2018 B. SÁENZ L. 18
1/05/2018 B. SÁENZ L. 19
1/05/2018 B. SÁENZ L. 20
1/05/2018 B. SÁENZ L. 21
1/05/2018 B. SÁENZ L. 22
1/05/2018 B. SÁENZ L. 23
1/05/2018 B. SÁENZ L. 24
1/05/2018 B. SÁENZ L. 25
1/05/2018 B. SÁENZ L. 26
1/05/2018 B. SÁENZ L. 27
1/05/2018 B. SÁENZ L. 28
Características dinámicas
• Paso de conducción a corte, Turn off
Cuando un diodo se encuentra conduciendo
una intensidad, Id la zona central de la unión p-
n está saturada de portadores mayoritarios y
con mayor densidad de éstos cuanto mayor
sea dicha intensidad. Si el circuito exterior
fuerza la disminución de la corriente con una
cierta velocidad, di/dt aplicando una tensión
inversa, resultará que después del paso por
cero de la señal i(t), hay un periodo en el cual
cierta cantidad de portadores cambian su
sentido de movimiento y permiten que el diodo
conduzca
1/05/2018 en sentidoB. contrario.
SÁENZ L. 29
La tensión inversa entre ánodo y cátodo no se
establece hasta después de un tiempo ta, durante
el cual los portadores empiezan a escasear y
aparece en la unión una zona de carga espacial.
La intensidad todavía tarda un tiempo tb en pasar
de un valor de pico negativo Irr a un valor
prácticamente nulo, mientras se va descargando la
capacidad interna de la unión.
La capacidad se considera como la suma de la
Capacidad de Difusión Cdif y la Capacidad de
Deplexión o de transición Cj. La 1ra. es
proporcional a la corriente por el diodo y sólo tiene
relevancia con éste polarizado en directo, mientras
que la 2da., aparece con el diodo polarizado en
inverso.
1/05/2018 B. SÁENZ L. 30
1/05/2018 B. SÁENZ L. 31
1/05/2018 B. SÁENZ L. 32
1/05/2018 B. SÁENZ L. 33
 Tiempo de recuperación inverso, trr
Comprende el intervalo de tiempo desde que
la corriente if pasa por cero en el cambio on –
off hasta que la corriente vuelve a adquirir el
10 % del valor Irr. También se puede definir
como el periodo durante el cual el diodo
permite la conducción en sentido negativo.
Está compuesto por la suma del tiempo de
almacenamiento, ta y el tiempo de caída, tb.

Tiempo de almacenamiento, ta Es el tiempo

que transcurre desde el paso por cero de la
intensidad hasta que se alcanza el pico
negativo y es debido a la acumulación de
portadores en la región de deplexión de la
1/05/2018 B. SÁENZ L. 34
unión.
Tiempo de caída, tb Es el tiempo
transcurrido desde el pico negativo de
intensidad hasta que ésta se anula, y es
debido a la descarga de la capacidad de la
unión polarizada en inverso. En la práctica
se suele medir desde el valor de pico
negativo de la corriente hasta que se
alcanza el 10% de dicho valor.
Q almacenada o desplazada Qrr
Factor de suavizado, Es la relación entre
los tiempos de caída y almacenamiento.

1/05/2018 B. SÁENZ L. 35
1/05/2018 B. SÁENZ L. 36
1/05/2018 B. SÁENZ L. 37
1/05/2018 B. SÁENZ L. 38
1/05/2018 B. SÁENZ L. 39
1/05/2018 B. SÁENZ L. 40
1/05/2018 B. SÁENZ L. 41
 TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA
Diodo rectificador normal
Su tiempo de recuperación inversa es alto, típico
de 25 µs, y se usan en aplicaciones de baja
velocidad, en las que el tiempo de recuperación no
es crítico.
M. de funcionamiento: desde < 1A hasta varios
miles de A; 50V...5KV
Diodo de barrera Schottky
Se puede eliminar (o minimizar) el problema de
almacenamiento de carga de una unión pn. Para
ello, se establece una “barrera de potencial” con
un contacto entre un metal y un semiconductor
M. de funcionamiento: 1A...300A; Son usados en
1/05/2018 B. SÁENZ L.
rectificadores de bajo voltaje para mejorar42 la
 Diodo de recuperación rápida
Los diodos de recuperación rápida tienen un
tiempo de recuperación bajo, por lo general menor
que 5µs. Esta característica es especialmente
valiosa en altas frecuencias. Un diodo con esta
variación de corriente tan rápida necesitará
contactos de protección, sobre todo cuando en el
contacto exterior encontramos elementos
inductivos.
Margen de funcionamiento: <1A...300A; 50V...3KV

1/05/2018 B. SÁENZ L. 43
1/05/2018 B. SÁENZ L. 44
1/05/2018 B. SÁENZ L. 45
ASOCIACIÓN DE DIODOS DE POTENCIA
Las dos características más importantes del diodo
de potencia son: La intensidad máxima en directo
y la tensión inversa máxima de bloqueo. Si las
necesidades del circuito pueden llegar a
sobrepasar la capacidad máxima del dispositivo,
es necesario utilizar varios diodos asociados en
serie o en paralelo.
Asociación de diodos en serie
Cuando aparecen tensiones inversas elevadas por
rama, como por ejemplo en rectificadores de
potencia, la capacidad de bloqueo de un único
diodo puede no ser suficiente. Será necesario una
conexión serie de dos o más elementos. Si los
elementos están colocados en serie, tendrán la
misma
1/05/2018
corriente de fugas, sin embargo, presentan
B. SÁENZ L. 46
tensiones inversas diferentes.
Los diodos pueden destruirse
por exceder su tensión inversa
máxima. El problema se resueve
conectando resistencias en
paralelo con cada diodo. Las
resistencias deben conducir
corriente mucho mayor que la de
fuga del diodo. Asociación de diodos en seri

Tensiones inversas y
corrientes de fuga en dos
diodos distintos
1/05/2018 B. SÁENZ L. 47
1/05/2018 B. SÁENZ L. 48
1/05/2018 B. SÁENZ L. 49
Asociación de diodos en paralelo
Se usa cuando se requieren altas intensidades. El
incon-veniente es el reparto desigual de la
corriente por cada una de las ramas de los diodos
debido a sus distintas características de
conducción.
Se resuelve mediante dos criterios: conectando
resistencias en serie con cada diodo o bien
inductancias iguales acopladas en cada rama de
la red paralelo. Las resistencias ayudan a
estabilizar e igualar los valores de intensidad I1 e
I2. Las inductancias se pueden obtener usando
transformadores de relación 1:1, conectados tal y
como muestra en la figura. El segundo método es
aplicable únicamente en condiciones de operación
en las que la alimentación
1/05/2018 B. SÁENZ L.
sea pulsatoria50 o
Asociación de diodos en
paralelo. Ckto. de estabilización
de corriente por resistencias e
inductancias.
1/05/2018 B. SÁENZ L. 51
Diodos de potencia comerciales

1/05/2018 B. SÁENZ L. 52
1/05/2018 B. SÁENZ L. 53
1/05/2018 B. SÁENZ L. 54
1/05/2018 B. SÁENZ L. 55
1/05/2018 B. SÁENZ L. 56
1/05/2018 B. SÁENZ L. 57
Estructura de hoja de características
En la práctica se trabaja con una serie de hojas
de características que proporcionan los
fabricantes. Toda hoja de características suele
estructurarse de la siguiente forma:
• Descripción externa y enfatizado de las
características más interesantes del elemento.
Ambas se efectúan de una forma general y sin
incorporar medidas o parámetros específicos.
Adicionalmente puede darse el patillaje del
elemento

1/05/2018 B. SÁENZ L. 58
1/05/2018 B. SÁENZ L. 59
• Valores límites: se corresponden con las
características del elemento. Normalmente el
fabricante agrupa las características por grupos
(térmicas, dinámicas, estáticas, etc...),
indicando en todo momento las condiciones en
que se han realizado las medidas para obtener
los valores dados. Los valores se suelen dar
indicando los extremos máximos y mínimos
admisibles, también puede darse el valor típico
o medio en algunos fabricantes.

1/05/2018 B. SÁENZ L. 60
1/05/2018 B. SÁENZ L. 61
A continuación se presentan las curvas
características de los diodo. Normalmente
habrá una serie de curvas que aparezcan en
todas las hojas sea cual sea el tipo de diodo y
otras que sólo las dará el fabricante si son
necesarias para poder trabajar con el elemento.
También es posible que se adjunte la definición
de algún parámetro para comprender mejor los
datos proporcionados.

1/05/2018 B. SÁENZ L. 62
1/05/2018 B. SÁENZ L. 63
• Adicionalmente el fabricante puede
proporcionar los circuitos empleados para
efectuar las medidas de una o todas las
características, además de la explicación de
algún parámetro importante.

1/05/2018 B. SÁENZ L. 64
• Finalmente se añaden las características
mecánicas del elemento, que proporcionan las
medidas del mismo para su correcta situación y
montaje.

1/05/2018 B. SÁENZ L. 65
Uso del catálogo de fabricantes.

1/05/2018 B. SÁENZ L. 66
1/05/2018 B. SÁENZ L. 67
1/05/2018 B. SÁENZ L. 68
1/05/2018 B. SÁENZ L. 69
1/05/2018 B. SÁENZ L. 70
1/05/2018 B. SÁENZ L. 71
Características térmicas
Temperatura de la unión (Tjmáx)
Es el límite superior de temperatura que nunca
debemos hacer sobrepasar a la unión del
dispositivo si queremos evitar su inmediata
destrucción. En ocasiones, en lugar de la
temperatura de la unión se nos da la "operating
temperature range" (margen de temperatura de
funcionamiento), que significa que el dispositivo
se ha fabricado para funcionar en un intervalo
de temperaturas comprendidas entre dos
valores, uno mínimo y otro máximo.

1/05/2018 B. SÁENZ L. 72
Temperatura de almacenamiento (Tstg)
Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo
cuando no se le aplica ninguna potencia. El fabricante
suele dar un margen de valores para esta
temperatura.

Resistencia térmica unión-contenedor (Rjc)

Es la resistencia entre la unión del semiconductor y el
encapsulado del dispositivo. En caso de no dar este
dato el fabricante se puede calcular mediante la
fórmula: Rjc = (Tjmáx - Tc) / Pmáx
siendo Tc la temperatura del contenedor y Pmáx la
potencia máxima disipable.
1/05/2018 B. SÁENZ L. 73
Resistencia térmica contenedor-disipador (Rcd)
Es la resistencia existente entre el contenedor del
dispositivo y el disipador (aleta refrigeradora). Se
supone que la propagación se efectúa directamente
sin pasar por otro medio (como mica aislante, etc).
Rjc = Resist. unión - contenedor
Rcd = Resist. contenedor – disip.
Rd = Resistencia del disipador
Tj = Temperatura de la unión
Tc = Temperatura del contenedor
Td = Temperatura del disipador
Ta = Temperatura ambiente

1/05/2018 B. SÁENZ L. 74
Protección contra sobreintensidades
Principales causas de sobreintensidades
La causa principal de sobreintensidad es,
naturalmente, la presencia de un cortocircuito
en la carga, debido a cualquier causa. De todos
modos, pueden aparecer picos de corriente en
el caso de alimentación de motores, carga de
condesadores, utilización en régimen de
soldadura, etc. Estas sobrecargas se traducen
en una elevación de temperatura enorme en la
unión, que es incapaz de evacuar las calorias
generadas, pasando de forma casi instantánea
al estado de cortocircuito (avalancha térmica).
1/05/2018 B. SÁENZ L. 75
Dispositivos de protección
Los dispositivos de protección que aseguran una
eficacia elevada o total son numerosos y por eso los
más empleados actualmente siguen siendo los
fusibles, del tipo "ultrarrápidos" en la mayoría de los
casos. Los fusibles, como su nombre indica, actúan
por la fusión del metal de que están compuestos y
tienen sus características indicadas en función de la
potencia que pueden manejar; por esto el calibre de
un fusible no se da sólo con su valor eficaz de
corriente, sino incluso con su I2t y su tensión.

Parámetro I2t
La I2t de un fusible es la caracterísitca de fusión del
cartucho; el intervalo de tiempo t se indica en
segundos y la corriente I en amperios.
1/05/2018 B. SÁENZ L. 76
1/05/2018 B. SÁENZ L. 77