DESCRIPCIÓN DE UN DISPOSITIVO FET

Transistor de efecto de campo

• Un transistor JFET tiene valores de voltaje VGS
en solo una región de polaridad, positiva o
negativa.

• Un transistor MOSFET puede tener valores de

VGS en ambas regiones de polaridad.

• Un transistor MOSFET puede ser de tipo

incremental o decremental.
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• Hoy día, los MOSFET son más comunes que
los JFET.

• El hallazgo inteligente fue darse cuenta de

que, al interesarse sólo por el campo eléctrico
entre Gate y Drain, no había necesidad de
establecer una conexión galvánica y que
bastaba con una conexión capacitiva que
tuviese el mismo efecto.
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• Los transistores de efecto de campo de
semiconductores de metal-óxido difieren
bastante de los JFET y se presentan en una
gama muy variable. La función que los
caracteriza es que la puerta está acoplada con
un condensador.
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• El MOSFET (Metal Oxide Silicon Field Effect
Transistor) es un dispositivo que controla una
corriente entre dos terminales (Drain y Source)
utilizando un voltaje de contacto (Voltaje en
Gate).

• En los MOSFET el terminal Gate corresponde

a un terminal metálico unido al cuerpo del
dispositivo a través de una capa aisladora de
Oxido de Silicio.
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• Esto determina que no existe conexión
eléctrica entre Gate y el material P (o N) del
MOSFET.

• Además, la impedancia de entrada es muy

alta, comparable o mayor que un JFET.
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• Si el dispositivo utiliza efectos superficiales
para crear una región N en un sustrato tipo P
(ó en forma inversa), ello define que un
MOSFET puede ser de tipo incremental, de
incremento o enriquecimiento

• Si el dispositivo tiene un canal o región N en

un sustrato tipo P (ó en forma inversa), ello
define que un MOSFET puede ser de tipo
decremental, agotamiento o empobrecimiento.
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• MOSFET decremental (depletion) canal N.
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• Con VGS=0 Y VDS>0

aparece una corriente
entre Drain y Source.
Este comportamiento
es similar en un JFET
y corresponde a IDSS,
No obstante ya no
corresponde a una
corriente debido a
saturación.
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• Si aparece un voltaje
negativo en VGS, el flujo
de portadores electrones
entre Drain y Source es
presionado hacia el
material P, mientras que
portadores huecos son
atraidos desde el material
P.
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• La cantidad neta de portadores libres en el
canal N para la conducción se ve reducida.

• Si la polarización VGS es más negativa, la

corriente se reduce aún más, hasta que VGS
alcanzar un valor VP.

• Con VGS=VP, la corriente en el canal es cero.

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• Sin embargo, con valores positivos de VGS, se
atraen electrones desde el material P y la
corriente neta aumenta.

• Este aumento se acelera conforme aumenta

VGS.

• Por lo tanto el voltaje VGS máximo debe

limitarse a un valor tal que no provoca una
corriente excesiva.
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• Curvas Características en un MOSFET
decremental canal N.
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• MOSFET decremental canal P.
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• Debe notarse que el valor IDSS existe como tal,
pues corresponde a un punto de la curva
característica. No obstante ya no es una
corriente de saturación como en el caso de
JFET.
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• Símbolos del transistor MOSFET decremental.
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• MOSFET incremental canal N.
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• La construcción del MOSFET incremental es
similar al MOSFET decremental.

• La principal diferencia es la inexistencia de un

sustrato de canal entre Drain y Source.
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• Con VGS=0 y un voltaje VDS>0, menor a un
voltaje de umbral VT, la corriente efectiva es
cero.

• El dispositivo presenta dos junturas PN

polarizadas en forma inversa.
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• Con VGS>0 y un voltaje VDS>0, el potencial
positivo en Gate empuja huecos hacia el
interior de la capa P, formándose una región
de carga espacial.

• Los electrones de la capa P son atraídos hacia

Gate, pero no son conducidos hacia el terminal
debido al aislante.

• Con un mayor valor de VGS, más electrones

son atraídos, y huecos son repelidos.
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• Habrá un valor de VGS donde la cantidad de
electrones es alta, generando una capa
inducida de tipo N, y permitiendo una corriente
apreciable entre Drain y Source.

• Este valor de VGS es un voltaje de umbral VT, o

VGS(Th).
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• Dado que el canal no existe con VGS=0 y se
incrementa conforme aumenta VGS, es que el
MOSFET es de tipo incremental.

• Un MOSFET decremental también tiene una

zona incremental (VGS>0), No obstante el
MOSFET incremental tiene esta única forma
de operación.
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• Si VGS aumenta aun más, la corriente
aumentará más debido a la mayor densidad de
portadores.

• Si VGS se mantiene constante en un valor y

VDS se incrementa , la corriente alcanza un
valor de saturación, tal como en los
dispositivos anteriores.

• Esta saturación se debe a un estrechamiento

del canal inducido hacia Drain.
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• En estas condiciones, aplicando LKV tenemos

VDG  VDS  VGS

• Si VGS es fijo y VDS disminuye, el voltaje VDG
disminuye en magnitud, luego Gate es menos
positiva con respecto a Drain.

• Este hecho reduce la atracción de portadores

en Drain y en la práctica reduce el canal.
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• Finalmente el canal se estrecha
completamente, alcanzándose una corriente
de saturación.

• El incremento de VDS, con VGS fijo, no

aumentará la corriente.

• El valor de VDS para saturación esta dado por

VDSsat  VGS  VT
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• Si el valor VT es fijo, al aumentar VGS mayor
será el valor de VDS para la saturación.

• Por lo tanto, en un MOSFET incremental, para

valores de VGS menores al nivel de umbral VT,
la corriente ID entre Drain y Source es cero.
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• Para valores de VGS > VT la corriente ID esta
relacionada con VGS, mediante una relación
cuadrática, de la forma

I D  k (VGS  VT ) 2
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• El parámetro k es función de la fabricación del
dispositivo. Su valor esta dado por
I D ( encendido)
k
(VGS ( encendido)  VT ) 2

• k puede ser calculado a partir de las curvas

características utilizando un punto en
particular.
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• Se debe observar que la curva de entrada esta
completa sobre la región de VGS positiva.
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• Un MOSFET de incremento canal P tiene el
mismo comportamiento, pero con VGS<0.
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• Símbolos del transistor MOSFET incremental.