INTEGRANTES:

-ANTAYHUA VELAZQUES JUAN DE DIOS

-CUSACANI GUERRERO LORENZO
-MONTES QUISPE SUMANJUS LENIN
-ORE ALVAREZ RONNY JEAN
-SURITA PLACENCIA BERNARD FRANCIS
 Como la misma palabra indica, no son aislante ni
conductores. Podemos definir los semiconductores como aquellos


materiales que se comportan como conductores solo en
determinadas condiciones, en otras condiciones se comportan
como aislantes. Por eso se dice que están en un punto intermedio
entre los conductores y los aislantes.
Por ejemplo, hay materiales que a partir de una cierta
temperatura son conductores, pero por debajo de esa
temperatura, son aislantes.
Otros factores que pueden influir en la conductividad de los
semiconductores son la presión, presencia de un campo
magnético o eléctrico o una radiación incidiendo sobre el
semiconductor.
 En electrónica son muy importantes ya que muchos componentes
electrónicos se fabrican con semiconductores debido a su
fiabilidad, su eficiencia y bajo coste.
 Aquí se puede ver los 13 materiales
semiconductores que conocemos y su posición en
la tabla periódica:


 Para entender mejor como funciona:


Los electrones son las partículas que realmente importan para


estudiar la conducción eléctrica. La corriente eléctrica es un
movimiento de electrones. Si somos capaces de mover los
electrones de los átomos de un material de un átomo a otro,
conseguiremos generar corriente eléctrica por él. Esta material se
convertirá en conductor. Hay materiales que no podemos mover
los electrones de sus átomos nunca, serán los aislantes.
 - Conductor: Los electrones de sus átomos podemos moverlos de
un átomo a otro fácilmente

- Aislante: los electrones de sus átomos no se pueden mover o

es muy difícil conseguir moverlos. Pero ojo, estos electrones de la
última capa, la más externa o de valencia, todavía tenemos que
lograr que abandonen esta capa para que dejen por completo al
átomo. Es como si tuvieran que saltar una última capa. Esta
capa la llamaremos de banda conducción. Sería esa capa de
conducción, la que tendría que saltar un electrón de la última
capa para hacerle abandonar por completo el átomo.
OJO :El salto sería suministrándole energía. Salto es igual a
energía. Hay materiales que esta capa de conducción, sería muy
grande, les costaría mucho abandonar el átomo, incluso estando
en la última capa o banda. Estos materiales son los aislantes. Si
es muy fácil hacerles saltar esta capa (que pasen de la de valencia


a la de conducción), se llamaría conductor.

 - Conductor: banda de conducción pequeña.

- Aislante: Banda de conducción grande.
Podríamos resumir todo esto diciendo que los electrones dentro de un
átomo se pueden encontrar en 3 tipos de bandas diferentes:
- Banda de Valencia: Intervalo energético donde están los electrones de
la última órbita del átomo.
- Banda Prohibida: Energía que ha de adquirir un electrón de la banda
de valencia para poder moverse libremente por el material y pasar a la
banda de conducción.
- Banda de conducción: Intervalo energético donde están aquellos
electrones que pueden moverse libremente. Están libres de la atracción
del átomo.
Aquí tienes una ilustración de como serían las bandas de un
material si fuera conductor, aislante o semiconductor.


 
 En los aislantes un electrón de la capa de valencia no
podríamos pasarlo a la de conducción, es demasiado
difícil o ancha. Si te fijas en los conductores no hay capa
prohibida, los electrones de valencia pasarían muy
fácilmente a la de conducción.

Los semiconductores tienen una dificultad intermedia

para pasar los electrones de valencia a la de conducción.
En la mayoría de ellos es necesario suministrarles
energía en forma de calor, por ejemplo, para que pasen
de la de valencia a la de conducción. Es decir,
convertirles en materiales conductores.
 SEMICONDUCTORES INTRINSECOS


 Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se
encuentra en estado puro, o sea, que no contiene ninguna
impureza, ni átomos de otro tipo dentro de su estructura. En
ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la
banda de valencia al atravesar la banda prohibida será igual a
la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes
en la banda de conducción. Sea “n” cantidad de electrones
libres (cargas negativas) y “p” la cantidad de huecos (cargas
positivas).

 n¡ = n = p
 donde n¡ es la concentración intrínseca del semiconductor,
función exclusiva de la temperatura y del elemento en cuestión.
 Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente
(27 ºC):
ni(Si) = 1.5 1010cm-3
ni(Ge) = 2.4 1013cm-3

 Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un
elemento semiconductor intrínseco, algunos de los
enlaces covalentes se rompen y varios electrones
pertenecientes a la banda de valencia se liberan de la
atracción que ejerce el núcleo del átomo sobre los
mismos. Esos electrones libres saltan a la banda de
conducción y allí funcionan como “electrones de
conducción”, pudiéndose desplazar libremente de un
átomo a otro dentro de la propia estructura cristalina,
siempre que el elemento semiconductor se estimule con
el paso de una corriente eléctrica.
 
Como se puede observar en la ilustración, en el caso de los
semiconductores el espacio correspondiente a la banda prohibida es
mucho más estrecho en comparación con los materiales aislantes. La
energía de salto de banda (Eg) requerida por los electrones para saltar
de la banda de valencia a la de conducción es de 1 eV
aproximadamente. En los semiconductores de silicio (Si), la energía de
salto de banda requerida por los electrones es de 1,21 eV, mientras que
en los de germanio (Ge) es de 0,785 eV
Estructura cristalina de un
semiconductor intrínseco,
compuesta solamente por
átomos de silicio (Si) que forman


una celosía. Como se puede
observar en la ilustración, los
átomos de silicio (que sólo
poseen cuatro electrones en la
última órbita o banda de
valencia), se unen formando
enlaces covalentes para
completar ocho electrones y
crear así un cuerpo sólido
semiconductor. En esas
condiciones el cristal de silicio
se comportará igual que si fuera
un cuerpo aislante
Cuando el cristal se encuentra a
temperatura ambiente algunos electrones
pueden absorber la energía necesaria para
saltar a la banda de conducción dejando el
correspondiente hueco en la banda de


valencia (1)
Por un lado la debida al movimiento de los
electrones libres de la banda de
conducción, y por otro, la debida al
desplazamiento de los electrones en la
banda de valencia, que tenderán a saltar a
los huecos próximos (2), originando
una corriente de huecos con 4 capas
ideales y en la dirección contraria al campo
eléctrico cuya velocidad y magnitud es muy
inferior a la de la banda de conducción.
Los electrones y los huecos reciben el
nombre de portadores. En los
semiconductores, ambos tipos de
portadores contribuyen al paso de la
corriente eléctrica. Si se somete el cristal a
una diferencia de potencial se producen
dos corrientes eléctricas.
 SEMICONDUCTORES EXTRINSICOS


 Los semiconductores extrínsecos se obtienen
mediante un proceso conocido como dopaje y que
consiste en la introducción de impurezas (dopantes)
de forma controlada en semiconductores intrínsecos.
En función del dopante utilizado se puede obtener
semiconductores tipo P (positivos) o
semiconductores tipo N (negativos).
 SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS
TIPO N


 Los semiconductores extrínsecos tipo N son aquellos obtenidos
por la adición de dopantes con más valencias que el
semiconductor intrínseco de partida. El propósito del dopaje tipo
n es el de producir abundancia de electrones portadores en el
material. En el caso del silicio, que es tetravalente se utilizan
dopantes pentavalentes, por ejemplo, fósforo. En cada átomo de
fósforo quedará un electrón sin formar enlace. Este electrón puede
saltar a la banda de conducción, pero no deja ningún hueco, por lo
que se dice que estos dopantes son donadores de electrones y
quedarán más cargas negativas (electrones) en la banda de
conducción que positivas (huecos) en la banda de valencia.
 La conductividad del material aumenta enormemente, hasta 24100
añadiendo tan sólo un átomo donador por cada 1000 átomos de
silicio. En la siguiente imagen podemos ver un esquema de este
tipo de semiconductores:
 

Esquema de un semiconductor extrínseco

tipo N
 SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS TIPO P


 En los que semiconductores extrínsecos tipo P la
situación es la contraria que en el tipo N. Se utilizan
elementos con menos valencias que los semiconductores
intrínsecos de partida. En el caso del Silicio se utilizan
dopantes trivalentes, por ejemplo, Boro. Se dice que
estos dopantes son aceptores de electrones, pues
quedan huecos en la banda de valencia dónde pueden
saltar electrones que absorban energía en lugar de
hacerlo a la banda de conducción. Se genera un balance
neto de cargas positivas (huecos) en la banda de
valencia superior a las cargas negativas (electrones) en
la banda de conducción.
 

Esquema de un semiconductor
extrínseco tipo P
 APLICACIONES


 Los semiconductores tienen una infinidad de usos y
aplicaciones, por ejemplo, son imprescindibles en la
fabricación de diodos (entre ellos los LED), dispositivos
electrónicos o paneles solares. Algunos de los
semiconductores más utilizados son:
 Termistores: la conductividad depende de la
temperatura.

 Transductores de presión: la aplicación de presión a
este tipo de semiconductor provoca que el gap de
energía entre banda de conducción y valencia se
estreche y aumente la conductividad.

 
 Rectificadores (dispositivos de unión del tipo p-n): se unen
semiconductores tipo n y p (unión p-n) y al hacerlo los
electrones se concentran en la unión del tipo n y los huecos en
la unión p, este desequilibrio electrónico crea un voltaje en la
unión que se utiliza como rectificador.

 Transistores de unión bipolar: estos transistores se utilizan
generalmente en los CPU (unidades de procesamiento central)
de ordenadores por la eficiencia en dar una respuesta rápida a
la conmutación.

 Transistores de efecto de campo: son utilizados
frecuentemente para almacenar información en la memoria de
los ordenadores.
