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DIODO SEMICONDUCTOR

POLARIZACIN DIRECTA

Si ahora aplicamos a dicha unin una tensin exterior de signo contrario a la barrera de potencial interna, sta ir disminuyendo en anchura. A mayor tensin aplicada
externamente corresponder una barrera interna menor y podremos llegar a conseguir que dicha barrera desaparezca totalmente. En este momento los electrones
(portadores mayoritarios) de la zona N estn en disposicin de pasar a la zona P. Exactamente igual estn los huecos de la zona P que quieren "pasar" a la zona N.

Sin polarizacin Polarizacin directa dbil, regin agotada Al aumentar la polarizacin directa, la zona
reducida, pero no eliminada agotada
y su barrera de potencial interna asociada han
sido neutralizadas

En la prctica, un diodo se fabrica a base de una nica pieza de siliceo, introduciendo tipos diferentes de impurezas por los dos casos de ella, unas que creen material tipo P y
otros que creen tipo N. Este proceso se realiza a grandes temperaturas.

A la tensin externa que anula la barrera de potencial de la unin y la deja preparada para el paso de los respectivos portadores mayoritarios, se le denomina tensin Umbral.
Se la representa po Vu y sus valores prcticos son: - Para el Silicio Vu = 0,4 - 0,5 voltios, - Para el Germanio Vu = 0,05 - 0,06 voltios

En esta situacin, al aplicar un aumento en la tensin exterior, los electrones se sentirn atraidos por el polo positivo de la pila y los huecos por el negativo de la misma. No hay
dificultad para atravesar la unin y por tanto aparecer una corriente de mayoritarios a travs del circuito. A partir de aqui, cualquier aumento de tensin provoca un aumento
de la corriente. Al conjunto de tensiones que crean corriente proporcional en el diodo se les llama tensiones de polarizacin directa o de funcionamiento. Sus valores tpicos
son: - Para el Silicio 0,5 - 0,8 voltios, - Para el Germanio 0,06 - 0,15 voltios

Flujo de corriente en un diodo polarizado en directo Parece lgico pensar que llegar un momento en que el proceso, aumento de tensin exterior, aumento de corriente
en la unin, tendr que parar. Y esto es as, porque a partir de un determinado valor de la tensin exterior aplicada,
los electrones se neutralizan en mayor nmero con los huecos en el interior del diodo y son pocos los que pueden
salir al circuito exterior. Es decir que el aumento es absorbido por el mismo diodo. A esta tensin a partir de la cual la
corriente a travs del diodo se mantiene constante, (en la prctica aumenta ligeramente) se le denomina tensin de
saturacin.
Sus valore tpicos son: - Para el Silicio Vsat 0,8 - 0,9 voltios, - Para el Germanio Vsat 0,15 - 0,2 voltios

Cualquier intento de provocar un aumento de corriente puede originar a partir de este momento la destruccin del
diodo.