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MONSEOR SANABRIA
Nicole Lizano
COMPUERTAS LGICAS
COMPUERTAS LGICAS
La compuerta NOR es el
complemento de la compuerta
OR y utiliza el smbolo de la
compuerta OR seguido de un
circulo pequeo (quiere decir
que invierte la seal).
Pueden tener mas de dos
entradas, y la salida es siempre
el complemento de la funcin
OR
COMPUERTAS LGICAS (XNOR)
Puerta lgica digital cuya funcin es la inversa de
la puerta OR exclusiva (XOR). La versin de dos
entradas implementa la igualdad lgica,
comportndose de acuerdo a la tabla.
Una lista ALTA (1) resuta si ambas las entradas a
la puerta son las mismas. Si una pero no ambas
entradas son altas (1), resulta una salida BAJA (0).
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
Dispositivo electrnico (normalmente se presenta como circuito
integrado) que tiene dos entradas y una salida. La salida es la
diferencia de las dos entradas multiplicando por un factor (G-
ganancia) Vout=Gx(V+-V-)
El A.O. ideal tiene una ganancia infinita, una impedancia de entrada
infinita un ancho de banda tambin infinito, una impedancia de
salida nula, un tiempo de respuesta nulo y ningn ruido. Como la
impedancia de entrada es infinita tambin se dice que las corrientes
de entrada son cero
El objetivo de un amplificador elctrico es elevar el valor de la
tensin, corriente, o potencia de una seal variable en el tiempo,
procurando mantenerla la ms fiel posible.
El A.O. posee distintas configuraciones, estas son: comparador,
seguidor, no variador, sumador inversor, integral ideal, resaltador,
inversor y derivador ideal
AMPLIFICADOR OPERACIONAL NO-INVERSOR:
Ganancia 1 R2 / R1
Amplificador diferencial:
SUMADOR:
Vout V1 V2 V3
INTEGRADOR:
1
Vout
RC Vin dt cte
DIFERENCIADOR:
dVin
Vout RC
dt
RECEPTOR INFRARROJO EN BASE A DIODO
INFRARROJO:
RECEPTOR INFRARROJO EN BASE A
TRANSISTOR INFRARROJO
TIRISTOR- DIAC
TIRISTOR- DIAC
Es un dispositivo
semiconductor de dos
conexiones.
No es un interruptor
Una vez disparado se
comporta como un diodo
Cuando su corriente pasa por
cero, se apaga
Para dispararlo hay que
sobrepasar una tensin
caracterstica VDIAC que
suele ser de 30 V.
Es totalmente simtrico
TIRISTOR- SCR (SILICON CONTROLLED RECTIFIER)
TIRISTOR- SCR
Es un dispositivo de disparo.
Es un dispositivo que consiste de una sola unin PN
Cuando el voltaje VEB1 sobrepasa un valor Vp de ruptura,
El UJT presenta un fenmeno de modulacin de resistencia que:
Al aumentar la corriente que pasa por el dispositivo, la resistencia de
esta baja.
Tambin baja el voltaje en el dispositivo, esta regin se llama regin
de resistencia negativa.
Este es un proceso realimentado positivamente, por lo que esta
regin no es estable, lo que lo hace excelente para conmutar, para
circuitos de disparo de tiristores y en osciladores de relajacin.
TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA
(IGBT)
TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA
(IGBT)
Estructura de MOSFET ms una capa p+ de
colector.
Los NPT-IGBT no tienen la capa n+.
En estado de conduccin es cualitativamente
similar a un bipolar controlado en tensin.
Son preferibles tensiones de puerta altas.
La tensin de bloqueo inversa depende de la
unin p+n+. Si la zona n+ se quita VRM aumenta.
La caracterstica por puerta es equivalente a la de
un MOSFET.
TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA
(IGBT)
TRANSISTOR- MOSFET
TRANSISTOR- MOSFET