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Electrnica Bsica

Familias Lgicas
Electrnica Digital

Jos Ramn Sendra Sendra

Dpto. de Ingeniera Electrnica y Automtica
ULPGC
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Familias lgicas
Basadas en transistores de efecto de campo
CMOS: Complementary Metal-Oxide-Semiconductor
Field Effect Transistor

Basadas en transistores bipolares

TTL: Transistor-Transistor logic

ECL: Emiter-coupled logic

El diseo lgico de un circuito combinacional es independiente de

la tecnologa usada, sin embargo la realizacin fsica de este circuito
si debe tenerla en cuenta, por factores como:
-Mrgenes de ruido -Entorno de trabajo del circuito
-Fanout -Necesidad de:
-Velocidad -Salidas en colector abierto
-Consumo -Salidas Three-state
-Alimentacin disponible
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Familias lgicas: CMOS

Inversor
Veamos la configuracin bsica de un inversor (circuito ms simple)
para analizar sus caractersticas
VDD =+5.0V

S
G
Transistor p-MOS cerrado
cuando VIN -VDD < VILmax-VDD
D
V IN V OUT V IN <V ILmax
D
G Transistor n-MOS
S cerrado cuando V IN -0>VIHmin

Gnd
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Familias lgicas: CMOS
comportamiento elctrico esttico
Niveles lgicos y margen de ruido

Parmetros caractersticos

V :Es la tensin de salida mnima que se garantiza en

OHmin
nivel alto.

V IHmin :Es la mnima tensin de entrada que se garantiza ser

reconocida como nivel alto.

VOLmax :Es la tensin de salida mxima que se garantiza en

nivel bajo.

V ILmax :Es la mxima tensin de entrada que se garantiza ser

reconocida como nivel bajo.
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Familias lgicas: CMOS

Los elementos lgicos abstractos procesan 0's y 1's.

Los circuitos reales procesan seales elctricas, en este caso
niveles de tensin

VDD VOHmin
Niveles lgicos Nivel alto, 1
VIHmin
para para puertas
CMOS
VILmax
Nivel bajo, 0
VOLmax
Gnd
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Familias lgicas: CMOS
Inversor

VDD =+5.0V VDD =+5.0V

Cerrado Abierto
0V VOH ~ 5V 5V VOL~0V

Abierto Cerrado
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Familias lgicas: CMOS
comportamiento elctrico esttico
Niveles lgicos y margen de ruido

Los parmetros relacionados con los niveles lgicos nos dan

informacin acerca de los niveles de ruido que ser capaz de
aceptar nuestra lgica sin que se corrompa la informacin.

Estos parmetros pueden venir dados como valores absolutos

o como relativos a la alimentacin.

Ejemplo: Serie HC atacando puertas CMOS

VOHmin =4.9V VOLmax =0.1V El margen de ruido ser:
VIHmin =3.5V VILmax =1.5V
Nivel alto 4.9V-3.5V=1.4V
Nivel bajo 1.5V-0.1V=1.4V
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Familias lgicas: CMOS
comportamiento elctrico esttico
Comportamiento con cargas resistivas.

1.-En rgimen esttico cualquier carga es resistiva, por tanto este

estudio es totalmente generalizable.

2.-Cualquier carga puede representarse por su equivalente de

Thevenin
VDD

VIN RThev

+ V
Thev

Gnd
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Familias lgicas: CMOS
comportamiento elctrico esttico
Comportamiento con cargas resistivas.

Ejemplo

VDD V
Thev
VOUT= RnO
RThev+ R nO
R VOUT N
pOFF N
5V RThev
Si VOUT>VOLmax no podremos
+
cargar nuestro inversor
RnO V con ese circuito.
Thev
N
-

Gnd
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Familias lgicas: CMOS
comportamiento elctrico esttico
Comportamiento con cargas resistivas.

Ejemplo 2

VDD -V Thev
VDD VOUT= RThev + V Thev
RThev+ R pON
R VOUT
pON
0V RThev
Si VOUT<VOHmin no podremos
+
cargar nuestro inversor
RnOFF V con ese circuito.
Thev

Gnd
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Familias lgicas: CMOS
comportamiento elctrico esttico
Comportamiento con cargas resistivas.

Desafortunadamente no conocemos las impedancias de los

transistores, slo conocemos los siguientes parmetros.

I OLmax Mxima corriente que la salida puede absorber en

estado bajo manteniendo una tensin de salida
inferior a VOLmax

I OHmax Mxima corriente que la salida puede generar en

estado alto manteniendo una tensin de salida
superior a VOHmin
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Familias lgicas: CMOS
comportamiento elctrico esttico
Comportamiento con cargas resistivas.

Ejemplo: RThev=1K , VThev=3.5V

Si consideramos RpON0
VDD
5-VThev
I OH = =1.5mA
R VOUT RThev
pON
0V RThev
I OH debe ser < I OHmax
RnOFF + V
Thev

Gnd
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Familias lgicas: CMOS
comportamiento elctrico esttico
Comportamiento con cargas resistivas.

Continuacin del Ejemplo: RThev=1K , VThev=3.5V

Si consideramos RnON0
VDD
VThev
I OH = =3.5mA
R VOUT RThev
pOFF
5V RThev
Si I OH< IOHmax
la puerta funcionar
RnON + V y correctamente con
Thev esta carga
Si I OL< IOLmax
-

Gnd
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Familias lgicas: CMOS
comportamiento elctrico esttico
Fanout

Definicin: Es el nmero mximo de entradas con las que se

puede cargar la salida de nuestra puerta lgica.

IImax Es la mxima corriente de entrada que se necesita en la

puerta de los transistores que forman la puerta lgica.

I OLmax I OHmax
Fanout=Min( , )
IILmax IIHmax

Para puertas CMOS IILmax = I IHmax

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Familias lgicas: CMOS
comportamiento elctrico esttico
Comportamiento con entradas no ideales

Si las entradas no son cercanas

a las tensiones de alimentacin
VDD y tierra, los transistores no estn
RnVIN ni completamente abiertos, ni
totalmente cerrados, de forma que
R VOUT= VDD
p(VIN-VDD) RnVIN +Rp(VIN-VDD) los transistores en ON presentan
VIN una resistencia mayor de la ideal
y los transistores en OFF menor.
RnVIN
La potencia consumida es no nula,
incluso sin carga y la salida
no es la ideal
Gnd
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Familias lgicas: CMOS
Puertas NAND, NOR

A NAND
NOR A B

B
Salida
Salida

A
A B

B
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Familias lgicas: CMOS
Puertas NAND, NOR
Entradas sin usar.

Ejemplo: Puerta AND de cuatro entradas, slo tenemos tres

literales.

F=ABC=1ABC
VDD
1K
1
A A
B F B F
C C

Nunca dejar una entrada sin conectar. (al aire)

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Familias lgicas: CMOS
comportamiento elctrico dinmico
Tiempo de transicin: Es el tiempo que un circuito tarda en
cambiar de estado. Es debido a que un cambio de estado requiere
la carga de una serie de capacidades, entre las que cabe incluir:
-La puerta de los transistores a la salida
-Las capacidades del cableado
-Los circuitos de entrada, el encapsulado,etc....

Transicin ideal Transicin real

Nivel alto
Nivel bajo

tr tf
Los tiempos tanto de subida como de bajada dependern de la capacidad de carga
as como de la resistencia en ON de los transistores y del cableado.
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Familias lgicas: CMOS
comportamiento elctrico dinmico
Anlisis de los tiempos de transicin

VDD
Circuito equivalente
Rp de carga
RL
VIN

CL +
Rn
VL
-

Gnd
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Familias lgicas: CMOS
comportamiento elctrico dinmico
Anlisis de los tiempos de transicin

Carga de otra puerta

CMOSRL =VL=0V
VDD
VDD
Circuito equivalente
Rp de carga
RL Rp
VIN
VIN

CL +
Rn CL
VL Rn
-

Gnd
Gnd
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Familias lgicas: CMOS
comportamiento elctrico dinmico
Anlisis de los tiempos de transicin

VDD Tiempo de subida

t RpONCL
VOUT Vout VDD 1 e

Rp
VIN

CL Ejemplo numrico
Rn Datos: VOLmax =1.5V
VOHmin =3.5V
R nON =200
CL =100pF
Gnd
t r t 3.5V t 1.5V 20 10 9 ln3.5 5 ln1.5 5 17ns
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Familias lgicas: CMOS
comportamiento elctrico dinmico
Anlisis de los tiempos de transicin

VDD Tiempo de bajada

VOUT Vout VDD e t RnONCL

Rp
VIN

CL Ejemplo numrico
Rn Datos: VOLmax=1.5V
VOHmin =3.5V
RnON =100
C L =100pF
Gnd
t f t 1.5V t 3.5V 10 10 9 ln3.5 / 5 ln1.5 5 8.5ns
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Familias lgicas: CMOS
comportamiento elctrico dinmico
Retardo de propagacin

Se define como el tiempo que transcurre desde que se

produce un cambio en la seal de entrada hasta que ste
se refleja en la salida

Se suele dar desde el punto medio del flanco de subida o

bajada de forma que se eliminan en lo posible los tiempos
de transicin

En caso de que se cargue una puerta en exceso los tiempos

de transicin harn incrementar el retardo de propagacin.

tpHL Retardo de propagacin cuando la salida pasa de nivel alto

a nivel bajo
tpLH Retardo de propagacin cuando la salida pasa de nivel bajo
a nivel alto
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Familias lgicas: CMOS
comportamiento elctrico dinmico
Retardo de propagacin

tpHL tpLH

tpHL tpLH
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Familias lgicas: CMOS
comportamiento elctrico dinmico
1.-Se consume potencia cuando hay paso de corriente desde
alimentacin a tierra cuando la tensin de entrada est lejos
de la alimentacin y la tierra, es decir en las transiciones.
2
PT C PD VDD f

Frecuencia de
Tiene magnitud de Tensin de las transiciones
capacidad aunque alimentacin
no lo es. Viene dado
por el fabricante

Esta frmula deja de ser correcta cuando las transiciones son

muy lentas. Los fabricantes dan un tiempo mximo para estas
de forma que si se excede, el valor de C PD no es correcto
 26
Familias lgicas: CMOS
comportamiento elctrico dinmico
2.-Se consume potencia cuando cargamos la carga capacitiva
a la salida. Esta capacidad es debida a las conexiones y a la
impedancia de carga.
2
PL CL VDD f

Frecuencia de
Capacidad que carga Tensin de las transiciones
la salida de la puerta alimentacin
lgica.

Potencia total

PD CPD CL VDD
2
f
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Familias lgicas: CMOS

Dispositivos con entrada Schmitt-Trigger

VOUT
Funcin de Transferencia
5.0

Smbolo de un inversor
Schmitt-Trigger

VIN
0.0
2.1 2.9 5.0

Este tipo de dispositivos son ms inmunes al ruido y son usadas

ordinariamente para seales en lneas de transmisin.
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Familias lgicas: CMOS

Dispositivos con salida Three-State

A Smbolo de una puerta NAND

con Enable
B Enable
Enable A
Z
Salida B
Enable

A B

Puerta NOR
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Familias lgicas: CMOS

Dispositivos con salida Three-State

Tabla de verdad
A
Enable A B Salida
B 0 0 0 Z
0 0 1 Z
Enable
0 1 0 Z
Salida 0 1 1 Z
Enable 1 0 0 1
1 0 1 0
A B 1 1 0 0
1 1 1 0

Z significa Alta Impedancia

Puerta NOR
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Familias lgicas: CMOS

Salidas en colector abierto
Smbolo de una puerta NAND
con salida en colector abierto
VDD
A
Z
B
VOUT

A Tabla de verdad

A B Salida
B 0 0 Abierta
0 1 Abierta
Gnd 1 0 Abierta
NAND 1 1 0
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Familias lgicas: CMOS

Salidas en colector abierto

VDD
Para el funcionamiento de estas
puertas debe conectarse una
resistencia de pull-up
VOUT

A
Su valor mximo vendr fijado por:
B I OLmax =VDD/R
pull-up

Gnd El valor de la resistencia que pongamos va a fijar:

NAND I OHmax=(VDD -VOHmin )/Rpull-up
Rpull-upCcarga t pLH
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Familias lgicas: TTL

Caractersticas diferenciadoras respecto a CMOS

Los transistores usados son bipolares, esto implica:

corrientes de entrada mucho mayores
consumo de potencia en esttica
mayor velocidad?
Podemos apreciar en los niveles lgicos, que no son simtricos

VDD

Nivel alto, 1
Niveles lgicos VOHmin (2.7V)
indicativos para VIHmin (2.0V)
puertas TTL
VILmax (0.8V)
Nivel bajo, 0 VOLmax (0.5V)
Gnd
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Compatibilidad entre CMOS y TTL

-Hay una diferencia apreciable entre los niveles lgicos de ambos tipos de
dispositivos.

-Cuando cargamos una puerta CMOS con una TTL estamos exigiendo
mayor corriente y por lo tanto los niveles lgicos de salida disminuyen

-Las caractersticas que ofrecen los fabricantes, tanto para IOLmax y IOHmax
como para VOLmax y VOHmin dependen del tipo de puerta con que estemos
cargando.
Ejemplo: Familia HC con VDD=5.0V
Carga CMOS Carga TTL
IOLmaxC 0.02 mA IOLmaxT 4 mA
VOLmaxC 0.1 V VOLmaxT 0.33 V
IOHmaxC -0.02 mA IOHmaxT -4 mA
VOHminC 4.9 V VOHminT 4.3 V
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Compatibilidad entre CMOS y TTL

VDD

Nivel alto, 1
VOHmin (2.7V)
TTL VIHmin (2.0V)

VILmax (0.8V)
Nivel bajo, 0 VOLmax (0.5V)
Gnd

VDD
Nivel alto, 1 VOHmin(4.3V)
VIHmin(3.5V)
CMOS

VILmax(1.5V)
Nivel bajo, 0 VOLmax(0.33V)
Gnd
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Compatibilidad entre CMOS y TTL

Familias CMOS actuales
4000
Son las primeras pero estn en desuso, admiten gran rango
de alimentaciones y son muy robustas pero muy lentas.
HC y HCT

Las siglas significan High-speed CMOS y

High-speed CMOS TTL-compatible
AC y ACT

Son mucho ms rpidas que las anteriores y eliminan el

problema de la poca cantidad de corriente a la salida que
eran capaces de suministrar HC y HCT sus siglas significan
Advanced CMOS y Advanced CMOS TTL-compatible

La nica diferencia de los dispositivos TTL compatibles con

los que no lo son radica en los niveles lgicos a la entrada.
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Compatibilidad entre CMOS y TTL

Familias CMOS actuales

FCT y FCT-T

Sali a principios de esta dcada reduce el consumo

de potencia y disminuye los retardos. Ambas son TTL
compatibles, la diferencia radica en que la segunda
reduce el nivel de salida a nivel alto (como las TTL),
reduciendo as ms el consumo de potencia.

Importante
FCT, FCT-T
Prestaciones
- Velocidad
AC, ACT - Consumo
Precio
HC, HCT
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Compatibilidad entre CMOS y TTL

Familias TTL actuales

S Shottky TTL

LS Low-power Shottky TTL

AS Advanced Shottky TTL

ALS Advanced Low-power Shottky TTL

F Fast TTL
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Compatibilidad entre CMOS y TTL

Salidas Entradas
5.0V

HC, HCT 3.98 Nivel alto

AC, ACT 3.94

VOHmin 3.15 HC, AC

Margen de ruido V
ILmax
a nivel alto
LS, S , ALS, AS 2.7
2.0 LS, S, ALS, AS, HCT, ACT
Zona no vlida VIHmin
1.35 HC, AC
V LS, S , ALS, AS 0.5 0.8 LS, S, ALS, AS, HCT, ACT
OLmax
AC, ACT 0.37 Margen de ruido
HC, HCT 0.33 Nivel a nivel bajo
bajo
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Familias lgicas: ECL

Produce diferencias de tensin pequeas, menores de 1 voltio, entre los
niveles alto y bajo.

Sus niveles de alimentacin son 0V y entre -4.5 y -5.2V

VIHmax -0.810 -0.810 VOHmax
VIHmin -1.105 -0.980 VOHmin

VILmax -1.475 -1.630 VOLmax

VILmin -1.850 -1.850 VOLmin

Las potencias consumidas son altas >20mW por puerta

Los retardos y tiempos de transicin son muy bajos 1ns

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Familias lgicas: Generalidades

Modelo de caja negra: Los parmetros descritos anteriormente van a
ser tiles para cualquier familia lgica, no necesitamos saber como
est estructurado internamente un dispositivo sino cuales son sus
parmetros de funcionamiento.
Alimentacin

VOHmin
VIHmin VOLmax
VILmax . IOLmax
IIHmax .. IOHmax
IILmax
CINtyp tPLH
tPHL
Fanout
Entradas Salidas

Alimentacin