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POTENCIA
PRINCIPIOS BASICOS DE
FUNCIONAMIENTO
CONTENIDO
Caractersticas de los semiconductores de
potencia.
Definicin del Diodo de potencia.
Caractersticas principales del diodo.
Estudio del diodo:
Caractersticas estticas.
Caractersticas dinmicas.
Caractersticas de potencia.
Conexiones de los diodos de potencia.
SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
Los semiconductores utilizados en la electrnica
de potencia trabajan como llaves o interruptores.
Caractersticas:
Mrgenes de funcionamiento:
Inconvenientes:
Dispositivo unidireccional.
nico procedimiento de control: Inversin del voltaje.
Ecuacin caracterstica del diodo:
V
VT
i = IS(e -1)
donde: VT = kT/q
Operacin con polarizacin directa con VO > V >> VT, siendo VO la tensin
interna de equilibrio de la unin:
V
i ISe VT (dependencia exponencial)
-
0
-1 1 V [V]
VD
i [A]
ESTADO DE BLOQUEO:
POLARIZACION INVERSA
0
-1 V [V]
-0,8
(constante)
Zona de Avalancha
- +
+- ++
P
- N
- +
-
- +
i [A]
-40 V [Volt.]
La corriente aumenta fuertemente si se
producen pares electrn-hueco adicionales 0
por choque con la red cristalina de
electrones y huecos suficientemente
acelerados por el campo elctrico de la zona
de transicin -2
DIODO IDEAL
En polarizacin directa, la cada de
tensin es nula, sea cual sea el valor de i
la corriente directa conducida
i
nodo
+
V curva caracterstica
Ctodo
- V
V e R L V S V e R L V S V S
DIODO REAL V d rd
V e
V e R L V S V e R L V S V S
V-V d -r d i d
CARACTERISTICAS ESTATICAS
ID
V
VD
CARACTERISTICAS ESTATICAS
Estado de bloqueo:
V e R L V S V e R L V S
V e
V
V S
CARACTERISTICAS ESTATICAS
Estado de bloqueo. Parmetros:
Tensin inversa de trabajo (VRWM):
Tensin inversa mxima que puede ser soportada por el diodo de
forma continuada sin peligro de avalancha.
-V2
CARACTERISTICAS DINAMICAS
Comportamiento real de un diodo en conmutacin
R
i i
a b V1/R
+
V2 trr
V t
V1
-
Transicin de a a b, es decir, de
ts
-V2/R tf (i= -0,1V2/R)
conduccin a bloqueo (apagado)
ts = tiempo de almacenamiento (storage
V
time ) t
tf = tiempo de cada (fall time )
trr = tiempo de recuperacin inversa
(reverse recovery time ) -V2
CARACTERISTICAS DINAMICAS
Tiempo de recuperacin inverso:
Tiempo de recuperacin
inverso (trr): Instante en que
el diodo permite la
conduccin en el sentido
contrario al normal.
Los portadores minoritarios requieren un cierto tiempo para recombinarse con cargas
opuestas y neutralizarse
Tiempo de almacenamiento (ts) t =t +t
rr s f
Tiempo de cada (tf)
Carga elctrica desplazada (Qrr):
tf
di/dt SF
IRR ts
Factor de suavizado SF: Se define como:
CARACTERISTICAS DINAMICAS
Q rr I RM Q rr (diD dt )
* 2 caso: t rr 4
diD dt
CARACTERISTICAS DINAMICAS
Comportamiento real de un diodo en conmutacin
R i
i 0,9V1/R
a b +
V2 V
0,1V1/R
V1 td
Transicin de b a a, es decir, de - tr
bloqueo conduccin (encendido) tfr
td = tiempo de retraso (delay time )
tr = tiempo de subida (rise time )
tfr = td + tr = tiempo de recuperacin directa (forward recovery time )
www.irf.com
www.onsemi.com
Direcciones web
www.st.com
www.infineon.com
CARACTERISTICAS DE POTENCIA
Durante el ciclo de trabajo del diodo, ste
disipa potencia de dos tipos:
Estticas: es decir en sus estados de conduccin y
bloqueo. Las prdidas en estado de bloqueo son
despreciables frente a las de conduccin.
Dinmicas: durante el paso de conduccin a
bloqueo y el paso de bloqueo a conduccin. La
prdida ms apreciable se produce en la
conmutacin de conduccin a bloqueo.
PERDIDAS ESTATICAS
Forma de onda frecuente
iD
iD
ideal
3A
Potencia instantnea perdida en la
0,8 V VD salida de conduccin:
t pDsc (t) = vD (t)iD (t) =
IFAV
I ::1A
1A6000
6000AA
FAV
VVRRM::400 3600 V
RRM 400 3600 V
VVFmax::1,2V (a IFAVmax)
Fmax 1,2V (a IFAVmax)
rr 10s
ttrr::10 s
Aplicaciones:
Aplicaciones:--Rectificadores
RectificadoresdedeRed.
Red.
--Baja frecuencia (50Hz).
Baja frecuencia (50Hz).
TIPOS DE DIODOS
Diodos rpidos (fast) y ultrarrpidos (ultrafast):
IFAV
I ::30A
30A200
200AA
FAV
VVRRM::400 1500 V
RRM 400 1500 V
VVFmax::1,2V (a IFAVmax)
Fmax 1,2V (a IFAVmax)
ttrr::0,1 - 10 s
rr 0,1 - 10 s
Aplicaciones:
Aplicaciones:--Conmutacin
Conmutacinaaalta
altafrecuencia
frecuencia(>20kHz).
(>20kHz).
--Inversores.
Inversores.
--UPS.
UPS.
--Accionamiento
Accionamientode
demotores
motoresCA.
CA.
TIPOS DE DIODOS
Diodos Schotkky:
IFAV
I ::1A
1A120
120AA
FAV
VVRRM::15 150 V
RRM 15 150 V
VVFmax::0,7V (a IFAVmax)
Fmax 0,7V (a IFAVmax)
trrt ::55ns
ns
rr
Aplicaciones:
Aplicaciones:--Fuentes
Fuentesconmutadas.
conmutadas.
--Convertidores.
Convertidores.
--Diodos
Diodosdedelibre
librecirculacin.
circulacin.
--Cargadores
Cargadoresde debateras.
bateras.
TIPOS DE DIODOS
Diodos para aplicaciones especiales (alta tensin):
IFAV
I ::0,45A
0,45A22AA
FAV
VVR::7,5kV 18kV
R 7,5kV 18kV
VVRRM::20V 100V
RRM 20V 100V
trrt ::150
150ns
ns
rr
Aplicaciones:
Aplicaciones:--Aplicaciones
Aplicacionesde
dealta
altatensin.
tensin.
TIPOS DE DIODOS
Diodos para aplicaciones especiales (alta corriente):
IFAV
I ::50A
50A7000
7000AA
FAV
VVRRM::400V 2500V
RRM 400V 2500V
VVF::2V
F 2V
rr :10s
trrt :10 s
Aplicaciones:
Aplicaciones:--Aplicaciones
Aplicacionesde
dealta
altacorriente.
corriente.
ENCAPSULADOS DE LOS DIODOS
nodo Rectificador
1500V
200V 168A
DO - 5 60A 1.8V
Ctodo
Encapsulado (roscado)
cermico Schottky
600V/6000A 120A 150V
DO 35 DO 41 DO 15 DO 201
CATALOGO DE LOS FABRICANTES
CATALOGO DE LOS FABRICANTES
TRANSISTORES DE POTENCIA
En electrnica de potencia, los transistores
son usados como interruptores.
Los circuitos de disparo se disean para que
stos trabajen en la zona de saturacin
(conduccin) o en la zona de corte (bloqueo).
Son totalmente controlables.
Transistores BJT y los MOSFET.
Los hay hbridos: IGBT, GTO, COOLMOS.
TRANSISTOR BIPOLAR DE POTENCIA
Ms conocido como BJT (Bipolar Junction Transistor).
Son interruptores de potencia controlados por
corriente.
Existen dos tipos NPN y PNP, a pesar que en electrnica
de potencia se usan ms los NPN.
Se controlan por el terminal de base.
Son utilizados fundamentalmente para frecuencias por
debajo de 10KHz y son muy efectivos hasta en
aplicaciones que requieran 1200V y 400A como
mximo.
CARACTERISTICAS ESTATICAS DEL BJT
Trabaja en 3 zonas bien diferenciadas en funcin de la tensin
que soporta y la corriente de base inyectada:
Corte: no se inyecta corriente a la base del transistor. ste se comporta
como un interruptor abierto, que no permite la circulacin de
corriente entre colector y emisor.
Activa: se inyecta corriente a la base del transistor, y ste soporta una
determinada tensin entre colector y emisor. La corriente de colector
es proporcional a la corriente de base, con una constante de
proporcionalidad denominada ganancia del transistor, tpicamente
representada por las siglas y hfe.
Saturacin: se inyecta suficiente corriente a la base para disminuir la
vCE y conseguir que el transistor se comporte como un interruptor cuasi
ideal.
CARACTERISTICAS ESTATICAS DEL BJT
CARACTERISTICAS ESTATICAS DEL BJT
En Electrnica de Potencia interesa trabajar en la zona de corte
y en la zona de saturacin.
Las diferencias bsicas entre los transistores bipolares de seal
y los de potencia son bastante significativas:
La tensin colector-emisor en saturacin suele estar entre 1 y 2
Volts, a diferencia de los 0,2 - 0,3 Volts de cada en un transistor de
seal.
La ganancia de un transistor de potencia suele ser bastante pequea.
Para evitar esta problemtica se suelen utilizar transistores de
potencia en configuraciones tipo Darlington, para obtener
ganancias de corriente bastante grandes.
CARACTERSTICAS DE CONMUTACIN
Tiempos de conmutacin:
* Tiempo de subida (Rise Time, tr): Tiempo que emplea la seal de salida en
evolucionar entre el 10% y el 90% de su valor final.
* Tiempo de almacenamiento (Storage Time, ts): Tiempo que transcurre desde que
se quita la excitacin de entrada y el instante en que la seal de salida baja al 90% de
su valor final.
* Tiempo de cada (Fall time, tf): Tiempo que emplea la seal de salida en evolucionar
entre el 90% y el 10% de su valor final.
SIMULACION DE LA CONMUTACION
PD Pon Ton (Woff Won ) f
VCEsat = 0 IE0 = 0
t2 - t1 = tA=tON = tr t3 - t 2 = t B t4 - t3 = Tc = tOFF = tf
La energa perdida en el pulso tambin la podemos
descomponer como la suma de las energas perdidas
en tA, tB y tC:
W(t) = WA(t) + WB(t) + WC(t)
t2 t3
WA ic (t ) vce (t ) dt WB ic (t ) vce (t ) dt
t1 t2
t4
WC ic (t ) vce (t ) dt
t3
WB I C(sat) VC(sat) t B
Los fusibles no son utilizables en este caso, ya que, la accin del transistor es
mucho ms rpida que la del fusible !!!
Sobretensiones:
Las sobretensiones estn asociadas al periodo de corte del transistor.
Debemos prestar especial atencin a la posibilidad de ruptura primaria del
dispositivo, tambin llamada ruptura por avalancha (cuando se sobrepasa la
tensin mxima permitida)
TRANSITORIOS
Los transitorios de corriente y de tensin son eliminados mediante inductancias y
condensadores. Las primeras limitan el tiempo de variacin de corriente y los
segundos limitan el tiempo de variacin de tensin.
Las redes snubber en serie estn constituidas por una bobina LS y se usan para
limitar el tiempo de subida de la corriente del transistor dIc/dt en el paso a conduccin.
Si la corriente Ic crece muy rpidamente, conforme decrece la tensin VCE puede darse
el fenmeno de ruptura secundaria.
dic I C Vcc
Vcc tr
LS
dt tr LS IL
Transitorio encendido -
apagado
TRANSITORIO ENCENDIDO
vd
Df I0 di
Ls
dt
iLs vCE
DLs
Ls
Cd vd
RLs
iC iC tri trr
- R LS t (b)
(a)
LS
Cuando el transistor pasa i LS (t) I o e haciendo i LS (t off ) 0.1 I o
a corte, la energa
almacenada en la
inductancia (1/2 LS) se R LS t off LS ln 10
disipa en la resistencia RLS ln 10 RLS
LS t off
a travs del diodo DLS con
una constante de tiempo
igual a LS/RLS.
Circuitos de proteccin del BJT: Transitorio apagado mediante red Snubber
para turn off ( paso a corte).
Se pretende que conforme aumenta la tensin en el transistor, IC disminuya, para
evitar que el producto sea elevado. Para ello, colocamos un condensador en paralelo
con el transistor, como podemos apreciar en la figura. Este condensador debe absorber
ms intensidad cuando la tensin empiece a crecer.
Io t I 0 I CS I C
i CS
tf
1 t Io t 2
VCS VCE
CS 0 i CSdt 2CS t f
Io t f
Vd VCS
2CS
ton Io t f
ton RsCs RS CS
5 Cs 2Vd
TIPOS DE TRANSISTORES BJT
TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA D Drenador
V DS
Surtidor xido Puerta
G
V GS S
n n n n
Un MOSFET de potencia se p p
compone de muchas clulas de n-
enriquecimiento conectadas en n
paralelo.
Drenador
La conduccin se hace con
portadores mayoritarios.
VENTAJAS Y DESVENTAJAS
Ventajas de los Mosfet frente a los BJT:
La velocidad de conmutacin para los Mosfet est en el orden de los
nanosegundos, por esto son muy usados en convertidores de pequea
potencia y alta frecuencia.
Los Mosfet no tienen el problema de segunda ruptura (coeficiente positivo
de temperatura).
Mayor rea de funcionamiento.
Mayores ganancias.
Circuito de mando ms simple.
Alta impedancia de entrada.
ID RDSon
EJEMPLOS DE MOSFETS COMERCIALES
VDS ID RDSon
IRFPG 30 1000 V 3A 5
IRFPG 50 1000 V 6A 2
MODELO ESTATICO DEL MOSFET
Efecto Miller
Efecto Miller
VGG VGG
10% VGS
10% VGS
VDS ID VDS
90% ID
VDD 90%
IDMAX IDMAX VDD
10% 10%
t t
tD(on) tR tD(off) tF
tON tOFF
CONMUTACION DEL MOSFET
La potencia instantnea es mayor que en corte o
en zona hmica.
Interesa que el transitorio sea lo ms rpido
posible, para reducir prdidas.
La conmutacin consiste en la carga o descarga
de los condensadores de entrada.
La velocidad de conmutacin depende de la
velocidad de carga o de descarga de esas
capacidades (IG de pico de 2 a 3 A).
TIEMPOS DE CONMUTACION
El retardo de encendido td(enc) es el tiempo necesario para
cargar la capacitancia de entrada hasta el valor del voltaje
umbral.
El tiempo de subida tr es el tiempo de carga de la
compuerta, desde el nivel de umbral hasta el voltaje total de
compuerta VGSP, que se requiere para activar al transistor
hasta la regin lineal.
El tiempo de retardo de apagado td(apag) es el necesario para
que la capacitancia de entrada se descargue desde el voltaje
de sobresaturacin V1 hasta la regin de estrechamiento.
TIEMPOS DE CONMUTACION
Tensin de ruptura
Corriente mxima
Tensin drenador - fuente
250 V 600 V
300 V 900 V
1200 V
(Poco usuales)
ENCAPSULADOS
CONDICIONES:
Voltaje de entrada, seal
cuadrada de valor 0/5V.
Frecuencia: 1 KHz.
Tensin de alimentacin: 10V.
Tiempo de simulacin: 2ms.
FORMAS DE ONDA
TIEMPO DE RETRASO
Td = 936 [nseg]
TIEMPO DE CRECIMIENTO
tr = 3.24 [s]
tON = td + tr = 0.936 + 3.24 = 4.176 [s]
TIEMPO DE ALMACENAMIENTO
tS = 11.1 [s]
TIEMPO DE APAGADO
tS = 11.3 [s]
tOFF = tS + tF = 11.1 + 11.3 = 22.4 [s]
VOLTAJES EN LA BASE Y C E
TIEMPO DE APAGADO