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DE SILICIO(SCR)
Jordy Cevallos
Christian Loza
Santiago Gallegos
Concepto general
Semiconductor
Unidireccional
Conmutador, Rel
Tres terminales
Pueden manejar potencias altas.
Estructura fsica
Consecuentemente con su estructura, la operacin
del tiristor depender del estado de polarizacin
de las tres uniones semiconductores PN.
Si 0, las uniones U3 y U1 se encuentran
inversamente polarizadas, por lo que el tiristor no
conducir permaneciendo en un estado de
BLOQUEO
Si VAK 0, las uniones U3 y U1 se
encuentran polarizadas
directamente, por lo que el
tiristor depender de la
polarizacin de U2 (Voltaje de
Gate)
Cuando esta conduciendo y se
quita la seal de Gate el tiristor
sigue conduciendo hasta que
tenga una seal en bajo en Gate.
Disparo del SCR
Se llama disparo al paso del estado de no conduccin al de
conduccin; para que se cumpla con el disparo el > 0.
La forma mas comn de disparo es colocar una tensin
positiva en Gate y Ctodo, esta tensin puede ser
continuo o impulso.
La excitacin en Gate se debe retirar despus del
disparo para evitar perdidas de potencia.
En polarizacin inversa es recomendable reducir la
tensin del Gate.
Caractersticas
Son dispositivos controlados por corriente, una corriente
pequea en el Gate controla una mas grande en el nodo.
Es considerado un interruptor casi ideal.
Actan como diodo rectificador cuando estn activados.
La corriente del nodo debe ser mayo a la corriente de
polarizacin para mantener la conduccin.
Fcil control (PWM).
Aplicaciones
2N6504
Ejercicio
Vin =115Vrms
IGT=15 mA
R1=3k
R2=?
162
= 10.8
15
2 = 10.8 3=7.8k
= 48