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Electrnica de Comunicaciones

CONTENIDO RESUMIDO:
1-Introduccin
2-Osciladores
3-Mezcladores.
4-Lazosenganchadosenfase(PLL).
5-AmplificadoresdepequeasealparaRF.
6-Filtrospasa-bandabasadosenresonadorespiezoelctricos.
7-AmplificadoresdepotenciaparaRF.
8-Demoduladoresdeamplitud(AM,DSB,SSByASK).
9-Demoduladoresdengulo(FM,FSKyPM).
10-Moduladoresdeamplitud(AM,DSB,SSByASK).
11-Moduladoresdengulo(PM,FM,FSKyPSK).
12-TiposyestructurasdereceptoresdeRF.
13-TiposyestructurasdetransmisoresdeRF.
14-Transceptorespararadiocomunicaciones
ATE-UO EC osc 00
2. Osciladores
Osciladores con elementos discretos

deBajaFrecuencia(RC)

deAltaFrecuenciay Colpitts
Tiposde FrecuenciaVariable(LC) Hartley
Osciladores Otros(Clapp,...)
deAltaFrecuenciay Colpitts
FrecuenciaFija(acristal) Hartley
Pierce
Otros(Clapp,...)

ATE-UO EC osc 01
Teora bsica de sistemas realimentados
Se linealiza el sistema
Se toman transformadas de Laplace

xe(s) xer(s) G(s) xs(s)


Entrada - Planta Salida

xr(s) H(s)
Observaciones: Red de
xe: magnitud de entrada realimentacin
xer: magnitud de error
xr: magnitud realimentada
xs: seal de salida
xx: magnitudes que pueden ser de distinto tipo
G(s): funcin de transferencia de la planta
H(s): funcin de transferencia de la red de realimentacin ATE-UO EC osc 02
Clculo de funciones de transferencia

xe(s) xer(s) G(s) xs(s)


Entrada - Planta Salida

xr(s) H(s)
Red de
realimentacin

Lazo abierto Lazo cerrado


xs(s) xs(s) G(s)
G(s) = =
xer(s) xe(s) 1 + G(s)H(s)

ATE-UO EC osc 03
Casos particulares

xe(s) G(s) xs(s) xs(s) G(s)


Entrada - Planta Salida =
xe(s) 1 + G(s)H(s)
H(s)
Red de
realimentacin

Realimentacin negativa 1 + G(s)H(s) > 1


Alta ganancia de lazo xs(s)/xe(s) = 1/H(s)

Realimentacin positiva 1 + G(s)H(s) <1


Oscilacin 1 + G(s)H(s) =0
Situacin indeseada en servosistemas
Situacin deseada en osciladores
ATE-UO EC osc 04
Caso de oscilacin
xe(s) xs(s)
xs(s) G(s) G(s)
= Entrada - Planta Salida
xe(s) 1 + G(s)H(s)
H(s)
Red de
realimentacin

1 + G(s) H(s) = 0 xs(s)/xe(s)

Cuando est oscilando:


Se genera Xs aunque no haya Xe
G(s) H(s) = 1
G(s) H(s) = 180
G(s) xs(s)
-1 Por tanto:
Planta Salida
G(j osc) H(j osc) = 1

H(s) G(j osc) H(j osc) = 180


Red de
realimentacin

ATE-UO EC osc 05
Condicin de oscilacin (I)
En oscilacin:
-1
G(josc)
G(j osc) H(j osc) = 1
Planta Salida
G(j osc) H(j osc) = 180
H(josc)
Red de
realimentacin

Qu tiene que suceder para que comience la oscilacin?

xe(j osc)
G(josc)
Entrada - Planta Salida

H(josc)
Red de
realimentacin

xe(j osc)G(j osc)H(j osc)


ATE-UO EC osc 06
Condicin de oscilacin (II)
xe(j osc)
G(josc)
Entrada - Planta Salida

H(josc)
xe(j osc)G(j osc)H(j osc) Red de
realimentacin

Si |xe(j osc)G(j osc)H(j osc)| > |xe(j osc)| (es decir, |G(j osc)H(j osc)| > 1)
cuando el desfase es 180, entonces podemos hacer que la salida del
lazo de realimentacin haga las funciones de la magnitud de entrada.

G(josc)
- Planta Salida

H(josc)
Red de
realimentacin
ATE-UO EC osc 07
Condicin de oscilacin (III)
En realidad si |G(j osc)H(j osc)| > 1 cuando el desfase es 180,
las magnitudes empezarn a crecer constantemente

G(josc)
- Planta Salida

H(josc)
Red de
realimentacin

Existe un lmite a este crecimiento?


Evidentemente s, por razones energticas hay lmites. Incluso
el sistema podra destruirse al crecer la magnitud de salida.

ATE-UO EC osc 08
Condicin de oscilacin (IV)

G(josc)
- Planta Salida

H(josc)
Red de
realimentacin

|Gpm(j osc)H(j osc)| > 1

|Ggm(j osc)H(j osc)| = 1

Observaciones:
Gpm(s): funcin de transferencia de pequea magnitud
Ggm(s): funcin de transferencia de gran magnitud
ATE-UO EC osc 09
Condicin de oscilacin (V)
xe(j osc)
G(josc)
Entrada - Planta Salida

H(josc)
xe(j osc)G(j osc)H(j osc) Red de
realimentacin

Si |G(j osc)H(j osc)| < 1 cuando el desfase es 180, entonces la


oscilacin se extinguir

G(josc)
- Planta Salida

H(josc)
Red de
realimentacin

ATE-UO EC osc 10
Condicin de oscilacin (VI)

Formulacin formal: -1
G(josc)
Criterio de Nyquist Planta Salida

H(josc)
Red de
realimentacin

Para que empiece la oscilacin:


Tiene que existir una osc a la que se se cumpla
G(j osc)H(j osc) = 180

A esa osc tiene que cumplirse |G(j osc)H(j osc)| > 1

Cuando se estabiliza la oscilacin:


Disminuye la G(j osc) hasta que |G(j osc)H(j osc)| = 1
cuando G(j osc)H(j osc) = 180
ATE-UO EC osc 11
|G(j)H(j)| [dB]
Condicin de oscilacin (VII) 80

Interpretacin con 40
Oscilar
Diagramas de Bode 0

Para que empiece la oscilacin. -40

1 102 104 106


-1
G(josc)
Planta Salida G(j)H(j)[]
H(josc) 0
Red de
realimentacin -60
-120
-180
-240
1 102 104 106
osc
ATE-UO EC osc 12
Condicin de oscilacin (VIII)
Cuando ya oscila. Para que no oscile.
|G(j)H(j)| [dB] |G(j)H(j)| [dB]
80 80

40 40
0 0
No
-40 -40 oscilar

G(j)H(j)[] G(j)H(j)[]
0 0
-60 -60
-120 -120
-180
osc -180
osc
-240 -240
1 102 104 106 ATE-UO EC osc 13 1 102 104 106
Condicin de oscilacin en osciladores

Caso general Oscilador

G(j) A(j)
-1
Planta Salida Amplificador Salida

H(j) (j)
Red de
realimentacin Red pasiva

Para que empiece la oscilacin:


Existencia de osc tal que Existencia de osc tal que
G(j osc)H(j osc) = 180 A(j osc)(j osc) = 0
A osc se cumple | A osc se cumple |
G(j osc)H(j osc)| > 1 A(j osc)(j osc)| > 1
Cuando ya oscila:
|G(j osc)H(j osc)| = 1 |A(j osc)(j osc)| = 1
ATE-UO EC osc 14
Tipos de Osciladores

BJT, JFET, MOSFET, Amp. Integrados, etc

A(j)
Amplificador Salida

(j)
Red pasiva

RC en baja frecuencia.
LC en alta frecuencia (y variable).
Dispositivo piezoelctrico en alta frecuencia (y constante).
Lneas de transmisin en muy alta frecuencia.
ATE-UO EC osc 15
Osciladores LC con tres elementos reactivos (I)
G D

+
vgs gvgs Rs
-
S
FET

A(j)
Amplificador Salida

(j)
Red pasiva

Z2
Z1
Z3

ATE-UO EC osc 16
Osciladores LC con tres elementos reactivos (II)

G D

+ + +
ve vgs gvgs Rs vs
- - -
S

Z2 +

Z1 ver
+
vsr Z3 -
-
ATE-UO EC osc 17
Osciladores LC con tres elementos reactivos (III)
G D
+ + + Z1(Z2+Z3)
ve vgs gvgs vs Rs
Rs
Z1+Z2+Z3
- - -
vs=-gve
S Z1(Z2+Z3)
Rs+
Z1+Z2+Z3
+
Z2 Z3
Z1 ver vsr=ver
+
Z3 Z2+Z3
vsr -
-
ver=vs
Z1Z3
Por tanto: Rs
Z1+Z2+Z3
vsr=-gve
Z1(Z2+Z3)
Rs+
Z1+Z2+Z3 ATE-UO EC osc 18
Osciladores LC con tres elementos reactivos (IV)
RsZ1Z3
De otra forma: vsr=-gve
Rs(Z1+Z2+Z3)+Z1(Z2+Z3)
RsZ1Z3
Por tanto: A=vsr/ve=-g
Rs(Z1+Z2+Z3)+Z1(Z2+Z3)
G D

+ +
+
ve gvgs vs Puesto que usamos slo
vgs Rs
- - - bobinas y condensadores:
S Z1=jX1
Z2=jX2
Z2 +
Z3=jX3
Z1 ver
+
vsr Z3 -
- Por tanto:
-RsX1X3
A=-g
jRs(X1+X2+X3)-X1(X2+X3)

ATE-UO EC osc 19
Osciladores LC con tres elementos reactivos (V)
Si el circuito debe oscilar al cerrar el interruptor, debe cumplirse que:

ExisteosctalqueA(josc)(josc)=0(esdecir,REAL)
Aoscsecumple|A(josc)(josc)|>1
-RsX1X3
Por tanto: A(josc)(josc)=-g
jRs(X1+X2+X3)-X1(X2+X3)
=0
Como: X1(osc)+X2(osc)+X3(osc) = 0, los tres elementos
reactivos no pueden ser iguales. Tiene que haber dos bobinas y un
condensador o dos condensadores y una bobina.
RsX3(osc)
Queda: A(josc)(josc)=-g
X2(osc)+X3(osc)

Y como: X 2(osc)+X3(osc)=-X1(osc),
ATE-UO EC osc 20
Osciladores LC con tres elementos reactivos (VI)
RsX3(osc)
queda: A(josc)(josc)=g
X ( )
1 osc
Como: A(j osc)(josc)=0(esdecir,POSITIVO), X3y X1

deben ser del mismo tipo (los dos elementos bobinas o los dos
condensadores).
Z2
Z1
Z3 Hartley
Z2
Z1
Z3
Z2
Z1
Z3 Colpitts

ATE-UO EC osc 21
Osciladores LC con tres elementos reactivos (VII)
Como para que el circuito oscile al cerrar el interruptor debe
cumplirse que |A(josc)(josc)|>1, entoncesqueda:

RsX3(osc)
g>1
X1(osc)
X2=-1/C2
X1=L1
RsL3
g>1
X3=L3 L1
Hartley

X2=L2 X1=-1/C1 RsC1


g>1
C3
X3=-1/C3 Colpitts
ATE-UO EC osc 22
Osciladores LC con tres elementos reactivos (VIII)
La frecuencia de oscilacin se calcula a partir de la condicin:
X1(osc)+X2(osc)+X3(osc)=0

X2=-1/C2
X1=L1
1
fosc=
X3=L3 2(L1+L3)C2
Hartley

X2=L2 X1=-1/C1 1
fosc=
C1C3
2 L2
X3=-1/C3 Colpitts C1+C3

ATE-UO EC osc 23
Resumen
G D
Hartley +
gvgs
RsL3
vgs Rs g>1
- L1
S
1
C2 fosc=
L1
2(L1+L3)C2
L3

G D
Colpitts + RsC1
vgs gvgs Rs g>1
- C3
S
1
fosc=
L2 C1 C1C3
2 L2
C3 C1+C3

ATE-UO EC osc 24
Realizacin prctica de un Colpitts en fuente comn
G D
G D +
+ +
vs osc
vgs gvgs Rs vs osc S
- - * -

L2 C1
L2 C1
C3
C3
+ Vcc + Vcc
LCH LCH
CD
G D
D +
G CG D
G vs osc
L2
S S

*
S -
CS
CS
C1
C3

ATE-UO EC osc 25
Realizacin prctica de un Colpitts en puerta comn
G D G D +
+ + vs osc
S

-
vgs gvgs Rs
-
vs osc
* -

L2 C1
L2 C1
C3
C3
+ Vcc
+ Vcc
L2
LCH CD

G D D G
D +
G vs osc
S C1
S -
S
* C3

ATE-UO EC osc 26
Realizacin prctica de un Colpitts en drenador comn
G D
G D
+
vgs gvgs Rs S
- *
S

L2 C1 +
L2 C1 +
vs osc

C3 -
vs osc
C3 -
+ Vcc
+ Vcc G D
G D
S CS
D S L2 C3
G +
C1 LCH vs osc
S
*
LCH
-

ATE-UO EC osc 27
Realizacin prctica de un Hartley en fuente comn
G D
+ +
vgs gvgs Rs vs osc
- -
S
+ Vcc
C2
L1 L1
L3 CD
C2 +
D
G
+ Vcc vs osc
LCH L3 S -
CS
D
G
S
CS

ATE-UO EC osc 28
Realizacin prctica de un Hartley en puerta comn
G D
+
gvgs Rs
+
+ Vcc
vgs vs osc
- -
LCH
S
CD1

C2 +
L1 D vs osc
G CD2 -
L3 S

+ Vcc L1 C
2
L3
LCH
CM
D
G
S

ATE-UO EC osc 29
Realizacin prctica de un Hartley en drenador comn
G D
+
vgs gvgs Rs
-
S
+ Vcc
CG G D
C2 C2 CS
L1 + S
vs osc L3 +
L3 - vs osc
-
L1
+ Vcc CM
G D

LCH

ATE-UO EC osc 30
Osciladores LC con ms de tres elementos reactivos:
El oscilador de Clapp (I)
G D
Condiciones de oscilacin:
+
vgs gvgs RsC1
Rs g>1
- C3
S 1
fosc=
C2 C1C2C3
2 L2
C1C2+C1C3+C2C3
L2
C1
C2 no influye en la condicin |
C3
A(josc)(josc)|>1

C2 influye en la frecuencia de
oscilacin, especialmente si C2 << C1,C3
Especialmente til para osciladores de frecuencia variable.
ATE-UO EC osc 31
Osciladores LC con ms de tres elementos reactivos:
El oscilador de Clapp (II)
Realizacin prctica en drenador comn

+ Vcc
G D
RG S CS
L2 C3
+
C1 LCH vs osc
C2
-
R1

ATE-UO EC osc 32
Osciladores de frecuencia variable (I)
Hay que hacer variar uno de los elementos reactivos de la red de
realimentacin.
Tipos:
Con control manual
Controlado por tensin (VoltageCotrolledOscillator, VCO)

Con control manual de la frecuencia


Usando un condensador variable

ATE-UO EC osc 33
Osciladores de frecuencia variable (II)
+ Vcc + Vcc
G D G D
RG S CS CS
S
L2 C3 C2 C3
+ L2
+
C1 LCH vs osc LCH
C1 vs osc
C2
- -
R1 R1

Clapp (Colpitts sintonizado en serie) Colpitts sintonizado en paralelo


en drenador comn en drenador comn

RsC1
Condiciones de oscilacin: g>1 (comn)
C3
1 1
fosc= fosc=
C1C2C3 C1C3
2 L2 2 (+C2)L2
C1C2+C1C3+C2C3 C1+C3
ATE-UO EC osc 34
Osciladores de frecuencia variable (III)
Osciladores Controlado por Tensin (VCOs)
Se basan en el uso de diodos varicap (tambin llamados varactores)

+ Vcc
G D
RG S CS
L2 C3
+
RCF LCH vs osc
C1
C21 -
+ R1
vCF C22
-

C2 ATE-UO EC osc 35
Hojas de caractersticas de un diodo varicap (BB131) (I)

ATE-UO EC osc 36
Hojas de caractersticas de un diodo varicap (BB131) (II)

ATE-UO EC osc 37
Osciladores de frecuencia muy constante
Se basan en el uso de cristales de cuarzo (u otro
material piezoelctrico)

Smbolo:

Interior del dispositivo:

Cristal
Contacto
metlico Cpsula
Aspecto:

Terminales

ATE-UO EC osc 38
Cristales piezoelctricos (I)
Circuito equivalente de un cristal de cuarzo:

R1 R2 R3
L1 L2 L3

C1 C2 C3
CO

ATE-UO EC osc 39
Cristales piezoelctricos (II)

R1 R2 R3 Z(f)
L1 L2 L3

C1 C2
CO
C3
Im(Z(f)) [k

50
Comportamiento
inductivo

Comportamiento
-50 capacitivo

f1 f2

ATE-UO EC osc 40
Cristales piezoelctricos (III)
Modelo simplificado (alrededor de una de las frecuencias
en las que se produce comportamiento inductivo)

Ejemplo: cristal de P de 10 MHz


R R = 20 L = 15 mH
L C = 0,017 pF CO = 3,5 pF
CO
XL(10 MHz)= 21071510-3 = 942 k
C
Z(f)
Im(Z) [M]
1

0
200 Hz

-1
10,0236 10,024 10,0244
f [MHz] ATE-UO EC osc 41
Cristales piezoelctricos (IV)
Ejemplo: cristal de P de 10 MHz
En otra escala
R = 20 L = 15 mH C = 0,017 pF CO = 3,5 pF
Im(Z) [k]
600
Margen de R
comportamiento inductivo
L
25 kHz CO
C
0

-600
10 10,01 10,02 10,03
f [MHz] ATE-UO EC osc 42
Cristales piezoelctricos (V)
Calculamos la impedancia del modelo del cristal
L 1 1
(Ls+)
COs Cs 1 (LCs2+1)
Z(s)==
1 1 CPs (LCSs2+1)
C CO +Ls+
COs Cs
CCO
siendo: CS= CP=C+CO
C+CO

Anlisis senoidal: s= j

-j (1-LC2) -j(1/2)2 (1(/1)2)


Z(j)= =
CP (1-LCS2) CO (1(/2)2)

1 1
siendo: 1= 2=
LC LCS

ATE-UO EC osc 43
Cristales piezoelctricos (VI)
L
-j(1/2)2 (1(/1)2) 1 1
Z(j)= 1= 2=
CO CO (1(/2)2) LC LCS
C

Como CS < C, entonces: 2 > 1

Si < 1, entonces tambin < 2 y entonces:


Z(j) = -j(cantidad positiva) < 0, es decir, comportamiento capacitivo.

Si 1 < < 2, entonces:


Z(j) = -j(cantidad negativa) > 0, es decir, comportamiento inductivo.

Si 2 < entonces tambin 1 < y entonces:


Z(j) = -j(cantidad positiva) < 0, es decir, comportamiento capacitivo.

Solo se comporta de modo inductivo si 1 < < 2


ATE-UO EC osc 44
Cristales piezoelctricos (VII)
L 1 CCO 1
Resumen: 1= CS= 2=
LC C+CO LCS
C CO
-(1/2)2 (1(/1)2)
Z(j)=jX() X()=
CO (1(/2)2)

X() Comp.
inductivo

0
1 2
Comportamiento
capacitivo

ATE-UO EC osc 45
Hojas de caractersticas de cristales de cuarzo

ATE-UO EC osc 46
Osciladores a cristal
Se basan en el uso de una red de realimentacin que incluye un
dispositivo piezoelctrico (tpicamente un cristal de cuarzo). Tipos:
Basados en la sustitucin de una bobina por un cristal de cuarzo
en un oscilador clsico (Colpitts, Clapp, Hartley, etc.) El cristal
de cuarzo trabaja el su zona inductiva.
Basados en el uso del cristal de cuarzo en resonancia serie.

Basados en la sustitucin de una bobina por un cristal (I)


+ Vcc + Vcc
G D D
G
RG S CS RG CS
C3 S
L2 C3
+ +
Xtal
C1 LCH vs osc LCH vs osc
C1
C2
- -
R1 R1

ATE-UO EC osc 47
Osciladores basados en la sustitucin de una bobina
por un cristal (II)
+ Vcc Condiciones de oscilacin:
G D
CS
RsC1
RG
C3
S g>1 (no depende del cristal)
+
C3
Xtal
C1 LCH vs osc Clculo de la frecuencia de oscilacin :
-
R1 XC1(osc)+XC3(osc)+XXtal(osc)=0
Cristal de 10 MHz
Grficamente:
L = 15 mH R = 20
C = 0,017 pF CO = 3,5 pF -(XC1()+XC3()), XXtal() [] 1000
XXtal()
C1 = C3 = 50pF

500
C1 = C3 = 100pF

C1 = C3 = 500pF
0
f [MHz]

ATE-UO EC osc 48 10 10,002 10,004


Osciladores basados en la sustitucin de una bobina
por un cristal (III)
Analticamente:
XC1(osc)+XC3(osc)+XXtal(osc)=0
-(1/2)2 (1(osc/1)2)
XXtal(osc)=
COosc (1(osc/2)2)
-1 -1
XC1(osc)+XC3(osc)=+
C1osc C3osc

Despejando osc se obtiene:


C
osc=11+
C1C3
+CO
C1+C3
Ntese que 1 < osc < 2 ya que:
C
2=11+
CO
ATE-UO EC osc 49
Osciladores basados en la sustitucin de una bobina
por un cristal (IV)
Ajuste de la frecuencia de oscilacin: modificar el valor de C O
externamente poniendo un condensador Cext en paralelo con el cristal
+ Vcc
C G D
osc=11+ CS
RG
C1C3 C3
S

+CO+Cext Cext Xtal +


C1+C3 C1 LCH vs osc
10 MHz -
R1
XXtal, -(XC1 + XC3) []
1500
Cext = 15pF 10pF
1000
-(XC1 + XC3) 5pF fosc(Cext=0pF)=10.002,9622kHz
500 C1 = C3 = 50pF xXtal fosc(Cext=5pF)=10.002,5201kHz
0pF fosc(Cext=10pF)=10.002,1929kHz
0 fosc(Cext=15pF)=10.001,9408kHz
9,999 10 10,001 10,002 10,003
f [MHz] ATE-UO EC osc 50
Osciladores basados en el uso del cristal de cuarzo
en resonancia serie (I)
G D G D
+ + + + + +
ve vgs gvgs Rs vs ve vgs gvgs Rs vs
- - - - - -
S S

CO
+ + + +
Xtal L C
vsr R1 ver vsr ver
- - - R1 ZXtal=jXxtal -

RsR1
En este caso: A(j)(j)=-g
jXXtal+R1+RS


ATE-UO EC osc 51
Osciladores basados en el uso del cristal de cuarzo
en resonancia serie (II)
G D
En oscilacin:
+ + +
ve vgs gvgs Rs vs XXta=0 ya que A(josc)(josc)=0
- - -
S
jXxtal 0>-(R1+RS)/(R1RS)>gya que |
A(josc)(josc)|>1
+ +
Xtal
vsr R1 ver Amplificador
con g > 0
- -
+ Rs +
ve gve vs
- -

Xtal
R1

ATE-UO EC osc 52
Conexin de la carga a un oscilador (I)
+ Vcc
G D

S CS
L2 C3
+ RL CL
C1 LCH vs osc
-
R1 Carga

CL influye en la frecuencia de oscilacin y RL influye en la


ganancia del transistor.
Hay que conectar etapas que aslen al oscilador de la carga.

ATE-UO EC osc 53
Conexin de la carga a un oscilador (II)

+ Vcc
G D R2
S CS
L2 C3 CE

C1 LCH + RL CL
R3
vs osc
R1
-
Carga

Etapa en colector comn para minimizar


la influencia de la carga en el oscilador.

ATE-UO EC osc 54
Osciladores con transistores bipolares (I)

ib
B C
Estudio y resultados
Re ib
prcticamente idnticos
al caso de transistores
de efecto de campo.
E

Z2 Z1=jX1
Z1 Z2=jX2
Z3
Z3=jX3
-X3X1
En este caso: A(josc)(josc)=-
jRe(X1+X2+X3)-X3(X1+X2)
=0
X1(osc)
queda: A(josc)(josc)=
X3(osc)
ATE-UO EC osc 55
Osciladores con transistores bipolares (II)
Como: A(josc)(josc)=0(esdecir,POSITIVO), X1y X3 deben
ser del mismo tipo (dos bobinas o dos condensadores).

Como para que el circuito oscile debe cumplirse que |


A(josc)(josc)|>1, entoncesqueda: X1(osc)
>1
+ Vcc X3(osc)

R1
CB R3 Colpitts en colector
comn con transistor
CE1 bipolar + seguidor de
L2 C3 CE2 tensin.

C1 LCH
+
R4 vs osc
R2 -

ATE-UO EC osc 56
Circuitos para limitar automticamente la ganancia en
el transistor (ejemplo con JFET) (I)

+ Vcc
G D
RG D1 C2 C3 S CS

L2 C1 +
LCH vs osc
Resistencia de -
arranque

Diodo para polarizar negativamente la


puerta con relacin a la fuente

ATE-UO EC osc 57
Circuitos para limitar automticamente la ganancia en
el transistor (ejemplo con JFET) (II)
G Circuito equivalente
RG C2 C3 S
D1
L2 C1 ids
RS
LCH

G Thvenin
RG C2 C3 S
D1
L2 C1 +
RS
LCH idsRS

ATE-UO EC osc 58
Circuitos para limitar automticamente la ganancia en
el transistor (ejemplo con JFET) (III)
Corriente despreciable
(resistencia muy grande) Corriente media nula (por
ser condensadores)
G
RG C2 C3 S
D1
L2 C1 +
RS
LCH vSO

Luego: la corriente media por el Tensin media nula


diodo debe ser nula. Para ello, C3 (por ser una bobina)
debe cargarse de tal forma que no
conduzca el diodo.

ATE-UO EC osc 59
Circuitos para limitar automticamente la ganancia en
el transistor (ejemplo con JFET) (IV)
G
RG D1 + C3 + S
vC3 i
+ -
vG C2 C1 + RS +
vC1
- L2 LCH
vC1 - vSO
0
i = 0 (resonancia)
0 vC1 vSO (ZLCH >> RS)
vC3 nivel de cc

vC3 = vC1C1/C3 + nivel de cc


0 vG = vC1+ vC3
vG nivel de cc

ATE-UO EC osc 60
Circuitos para limitar automticamente la ganancia en
el transistor (ejemplo con JFET) (V)
G
RG D1 + C3 + S
vC3 i=0
+ -
vG C2 C1 + RS +
vC1
- L2 LCH
- vSO
0 nivel
vC3 de cc vC3 (=vGS) tiene un nivel de cc negativo
proporcional al nivel de las seales
0 que supone una polarizacin negativa
nivel
vG de cc de la puerta con respecto a la fuente
que disminuye la ganancia al crecer el
nivel de las seales

ATE-UO EC osc 61
Condensadores adecuados para osciladores
de alta frecuencia
Deben ser condensadores cuya capacidad vare muy poco
con la frecuencia. Ejemplos:
Condensadores cermicos NP0.
Condensadores de aire (los variables)
Condensadores de mica.
Condensadores de plsticos de tipo Styroflex.

Cermicos NP0 Styroflex.


Mica

ATE-UO EC osc 62
Ejemplos de esquemas reales de osciladores (I)
(obtenidos del ARRL Handbook 2001)

ATE-UO EC osc 63
Ejemplos de esquemas reales de osciladores (II)
(obtenidos del ARRL Handbook 2001)

Hartley
Alimentacin estabilizada

Diodo para polarizar


negativamente la puerta

Separador basado en MOSFET de doble puerta Transformador para


adaptacin de impedancias
ATE-UO EC osc 64
Ejemplos de esquemas reales de osciladores (III)
(obtenidos en http://www.qrp.pops.net/VFO.htm)

Colpitts

ATE-UO EC osc 65
Ejemplos de esquemas reales de osciladores (IV)
(obtenidos del ARRL Handbook 2001 y de notas de aplicacin de
National Semiconductor)

ATE-UO EC osc 66
Parmetros caractersticas de los osciladores
Margendefrecuencia.
EstabilidadMayorcuantomayoreselfactordecalidadQdela
redderealimentacin.
Potencias(absolutadesalidasobre50)yrendimientos
(Potenciadeseal/potenciadealimentacin).
Niveldearmnicosyespuriaspotenciasrelativasdeunoo
variosarmnicosconrelacinalfundamental.
Pullingoestabilidadfrentealacargausodeseparadores.
Pushingoestabilidadfrentealaalimentacinusode
estabilizadoresdetensin(zeners,78LXX,etc.).
DerivaconlatemperaturaCondensadoresNP0,demica,etc.
EspectroderuidoSedebefundamentalmentearuidodefase.

ATE-UO EC osc 67