Presentado por: Jorge Luis Garavito Cacerez Historia: ju liode 3 de t z f eld, ky(2 1976, Pr e Sc h o t t e n v e n t a n n m a r zod n q ue i 5 y H erm 4 de a l e m 1 9 1 alt e r S u i z a - u n f sico ac o en n t ras W h , u e v ie 8 6 , Zric id e n tal) f t u b o de 1919 m una 18 a n i a Occ a red de d o en y f or mul se Alem talla de l nicatetro 8,Schottk e ahora n oi 3 qu la pa la term ns.En19 Schottky, vu e o lavl baenSiem ir el efect ja c . traba ara prede sSchottky p o teora nlosdiod e utiliza Definicin: Es un dispositivosemiconductorque proporciona conmutaciones muy rpidas entre los estados de conduccindirectaeinversaymuybajastensiones umbral. Smbolo electrnico: Caractersticas: Son dispositivos que tienen una cada de voltaje directadelordende0,3Vomenos. LlamadosFastRecovery. AltaVelocidaddeConmutacin. Tensinumbralaproximadamentede0,2V-04V. Constituidoporunauninmetal-semiconductor Funcionamiento: Metal semiconductor Metal semiconductor - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E- - - - - - - - - - - - - - - + - - -
Tambin se emplea en varioscircuitos integradosdelgicaTTL. Por
ejemplo los tiposALS yAS permiten que los tiempos de conmutacin entre lostransistoressean mucho menores puesto que son ms superficiales y de menor tamao por lo que se da una mejora en la relacinvelocidad/potencia. Desventajas: Eldiodo Schottky tienepocacapacidaddeconduccin decorrienteendirecto(ensentidodelaflecha).
Eldiodo Schottky noaceptagrandesvoltajesquelo
polariceninversamente(VCRR). Conclusiones El diodo Schottky tiene un segmento muy especial dentro de laelectrnicay sus aplicaciones y es especficamente el de trabajaraaltasfrecuenciasdehasta300MHz,eliminandopicos de corriente y en conmutacin altsima, con bajos niveles de tensin, umbral bajo y, debido a suconstruccin, tiempos de respuestamuchomsrpidos. po r i a s r ac G i n h a s n c u c a te M s u
