LA ELECTRNICA DE POTENCIA

Definicin:

La electrnica de potencia es aquella parte de la

electrnica que enlaza la electricidad con la
electrnica.

Ejemplos:
- Encendido electrnico de un vehculo
- Encendido de una televisin
- Elevalunas elctrico
Dispositivos de potencia:
Los dispositivos de potencia se van a identificar
por las siguientes caractersticas:

Tienen dos estados de funcionamiento:

bloqueo y conduccin
Son capaces de soportar potencias elevadas
El funcionamiento de estos dispositivos tiene
que ser posible con poca potencia
EL DIODO DE POTENCIA
 Curva caracterstica

A (nodo)
i i [mA]
1
+ P (exponencial)
V N
K (ctodo)
-
0
VD V [V]
DIODOS DE POTENCIA

i [A]
-40 V [Volt.]
0

-2
 Concepto de diodo ideal

En polarizacin directa, la cada

de tensin es nula, sea cual sea
el valor de la corriente directa
conducida i

i
nodo
+
V curva caracterstica
DIODOS DE POTENCIA

Ctodo
- V

En polarizacin inversa, la corriente

conducida es nula, sea cual sea el valor
de la tensin inversa aplicada
 El diodo semiconductor

nodo Terminal
nodo Encapsulado
(cristal o resina
sinttica) Contacto metal-
semiconductor

P Oblea de
DIODOS DE POTENCIA

semiconductor
N
Contacto metal-
Marca semiconductor
Ctodo sealando el
ctodo
Ctodo Terminal
 Encapsulados de diodos
Axiales

DO 201
1N4148
(Si)

DO 204
DIODOS DE POTENCIA

1N4007
(Si)
 Agrupacin de diodos semiconductores

2 diodos en ctodo
comn Puente de diodos Anillo de diodos

+
+ -
+
B380 C3700
DIODOS DE POTENCIA

(Si)

-
+
BYT16P-300A HSMS2827
(Si) B380 C1500 (Schottky Si)
(Si)
 Encapsulados de diodos

D 61
TO 220 AC

DOP 31
DO 5
DIODOS DE POTENCIA

TO 247

B 44
 Encapsulados de diodos
Mdulos de potencia

Varios dispositivos en un encapsulado comn

Alta potencia
Aplicaciones Industriales
Se pueden pedir a medida
DIODOS DE POTENCIA

Motores Satlites
 Curvas caractersticas y circuitos equivalentes

i
Curva
Curva caracterstica
caracterstica real
ideal
Curva caracterstica
asinttica

pendiente = 1/rd
V
DIODOS DE POTENCIA

0 V

ideal
Circuito equivalente asinttico
rd
real (asinttico) V
 Parmetros
Parmetros en inversa:
VR= Tensin Inversa (Tensin continua capaz que es de soportar el diodo)
VRM = Tensin de pico
VBR = Tensin de ruptura
IR = Corriente inversa (corriente de fuga)
Parmetros en directa:
VD = Tensin en directa
I = Corriente directa
DIODOS DE POTENCIA

IAV= Corriente media directa

IFM= Corriente mxima en directa
IFRM = Corriente de pico repetitiva
IFSM= Corriente directa de sobrecarga
 Caractersticas fundamentales

Tensin de ruptura
Cada de tensin en conduccin
Corriente mxima
Velocidad de conmutacin

Tensin de ruptura
DIODOS DE POTENCIA

Baja tensin Media tensin Alta tensin

15 V 100 V 500 V
30 V 150 V 600 V
45 V 200 V 800 V
55 V 400 V 1000 V
60 V 1200 V
80 V
 Tensin de codo
i
Curva
caracterstica real

pendiente = 1/rd
V
0 V
DIODOS DE POTENCIA

A mayor tensin de ruptura , mayor cada de tensin en conduccin

Seal Potencia Alta tensin

VRuptura < 100 V 200 1000 V 10 20 kV

VCodo 0,7 V <2V >8V

 Datos del diodo en corte

Tensin inversa VRRM Repetitive Peak Voltage

DIODOS DE POTENCIA

La tensin mxima es crtica

Pequeas sobretensiones pueden romper el dispositivo
 Datos del diodo en conduccin

Corriente directa IF Forward Current

Corriente directa de pico repetitivo IFRM Repetitive Peak Forward Current

DIODOS DE POTENCIA

La corriente mxima se indica suponiendo que el dispositivo est

atornillado a un radiador
 Caractersticas dinmicas

Indican capacidad de conmutacin del diodo

R
i
a b
Transicin de a a b
+
V2 V
V1
-
i
DIODOS DE POTENCIA

V1/R
t
Comportamiento
Comportamiento
dinmicamente
dinmicamenteideal
ideal
V t

-V2
 Caractersticas dinmicas

Transicin de a a b

R
i i
a b V1/R
+
V2 trr
V t
V1
- ts
DIODOS DE POTENCIA

-V2/R tf (i= -0,1V2/R)

ts = tiempo de almacenamiento
(storage time )
V
tf = tiempo de cada (fall time ) t
trr = tiempo de recuperacin
inversa (reverse recovery time ) -V2
 Caractersticas dinmicas Transicin de b a a (encendido)

El
Elproceso
procesode
deencendido
encendidoes
esms
ms
rpido
rpidoque
queelelapagado.
apagado.
R
i
a b +
V2 V
V1
-
i
DIODOS DE POTENCIA

0,9V1/R

0,1V1/R

td
tr td = tiempo de retraso (delay time )
tfr tr = tiempo de subida (rise time )
tfr = td + tr = tiempo de recuperacin directa
(forward recovery time )
 Caractersticas dinmicas
DIODOS DE POTENCIA
 Caractersticas Principales

Corriente directa
Tensin inversa
Tiempo de recuperacin
Cada de tensin
en conduccin
DIODOS DE POTENCIA

Encapsulado
 Tiempo de recuperacin en inversa

Un diodo de potencia tiene que poder conmutar rpidamente del

estado de corte al estado de conduccin.

El tiempo que tarda en conmutar se llama :

TIEMPO DE RECUPERACIN EN INVERSA

Los diodos se pueden clasificar en funcin de su tiempo de

recuperacin:
DIODOS DE POTENCIA
 Tipos de diodos

Se clasifican en funcin de la rapidez (trr)

VRRM IF trr

Standard 100 V - 600 V 1 A 50 A > 1 s

Fast 100 V - 1000 V 1 A 50 A 100 ns 500 ns
Ultra Fast 200 V - 800 V 1 A 50 A 20 ns 100 ns
Schottky 15 V - 150 V 1 A 150 A < 2 ns
DIODOS DE POTENCIA

Las caractersticas se pueden encontrar en Internet (pdf)

Direcciones web

www.irf.com
www.onsemi.com
www.st.com
www.infineon.com
 Aplicaciones:

DIODOS DE GAMA MEDIA:

Fuentes de alimentacin
Soldadores

DIODOS RPIDOS
Aplicaciones en que la velocidad de conmutacin es crtica
Convertidores CD CA
DIODOS DE POTENCIA

DIODOS SCHOTTKY
Fuentes de alimentacin de bajo voltaje y alta corriente
Fuentes de alimentacin de baja corriente eficientes