ELECTRONICA BASICA

TRANSISTORES

ELECTRONICA BASICA, 2003

ADOLFO CASTILLO MEZA, M.S.C

TRANSISTOR POR UNION BIPOLAR

- Denominado BJT (Bipolar Junction Transistor)
- De acuerdo con la unin de sus componentes se clasifican en:

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FUNCIONAMIENTO DE UN TRANSISTOR BJT npn

- El funcionamiento de un transistor BJT

puede ser explicado como el de dos diodos
pn pegados uno a otro.
- En este esquema (condicin directa), la
unin Base Emisor (BE) acta como un
diodo normal.
- Note en la grfica el flujo de electrones y
huecos, siendo la corriente de huecos menor.
- A partir de ese momento, mediante el
mismo mecanismo del diodo, se produce una
corriente de base a emisor.

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- Conectemos ahora en forma inversa la

conexin Base Colector (BC).
- Los electrones emitidos por el emisor se
dividen en dos: unos que se dirigen hacia la
base, recombinndose con los huecos, y otros
que pasan esta zona y se dirigen al colector.
- La zona de la base se construye muy
angosta, De ese modo la probabilidad de paso
es mayor.
Aparece un flujo neto de
(convencional) de colector al emisor.

corriente

- La corriente que fluye al colector es mayor

que la que fluye a la base del circuito exterior.
- De acuerdo con la I Ley de Kirchoff:

y adems:
donde es el factor de amplificacin (20 200)

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Para analizar la caracterstica i v de

un transistor se debe tomar los
siguientes pares:

iB vBE

iC vCE
Este ltimo par origina una familia de
curvas.

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En este caso, el comportamiento es similar al de un diodo. La fuente ideal IBB

inyecta una corriente en la base, en conexin directa. Variando IBB y midiendo
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la variacin vBE se obtiene la grfica mostrada.

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Conectamos
ahora una
fuente de
voltaje variable
al colector.

De este modo, variando vCC, variamos el voltaje vCE y por consiguiente la corriente
en el colector. Esto adicionalmente a la variacin de iB. Se genera toda una familia
de curvas, una para cada valor de iB.
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Puede distinguirse cuatro zonas en la grfica:

REGION DE CORTE: Donde ambas uniones estn conectadas
en contra. La corriente de base es muy pequea, y no fluye, para
todos los efectos, corriente al emisor.
REGION LINEAL ACTIVA: El transistor acta como un
amplificador lineal. La unin BE est conectada en directo y la
unin CB est en reversa.
REGION DE
SATURACION:
Ambas uniones
estn conectadas
en directo.
REGION DE
RUPTURA: Que
determina el lmite
fsico de operacin del
transistor.

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DETERMINACION DE LA REGION DE OPERACIN DE UN

TRANSISTOR BJT
Asumamos que los voltmetros dan las
siguientes lecturas:

Podemos, en primer lugar determinar

que
lo que quiere decir que la conexin
BE est conectada en directo.

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La corriente en la base ser:

Al mismo tiempo, la corriente en el

colector ser:

Y la correspondiente ganancia:

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El transistor est en la regin lineal activa, ya que hay ganancia.

Finalmente, el voltaje entre colector y emisor:

De modo que podemos hallar el rgimen de trabajo en las grficas.

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Para
responder
a
esta
pregunta
deberemos determinar si las uniones BE y
BC se encuentran en conexin directa o
inversa.
En la regin de saturacin ambas
conexiones estn en directo. En la regin
activa, BE est en directo y BC en reversa.
De los datos anteriores:
Ejemplo: Hallar el rgimen
de trabajo del transistor en el
circuito mostrado si:
Ambos estn en directo.

El ltimo valor nos indica que estamos en la

regin de saturacin.
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ELECCION DE UN PUNTO DE
OPERACIN DE UN
TRANSISTOR BJT
Usemos el circuito mostrado para calcular
el punto de operacin, tambin
denominado punto Q.
Las correspondientes Ecuaciones de
Kirchoff:

De la ltima ecuacin obtenemos una recta cuyos interceptos y pendiente

son:
Trazando esta recta, se encuentra el referido punto Q en el cruce de este
recta con la curva de la familia correspondiente a la corriente de base.

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En este punto, el BJT puede usarse como

amplificador lineal

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