ELECTRNICA Y AUTOMATISMOS

2 Curso de Instalaciones Electromecnicas Mineras

Tema 1: Componentes Electrnicos
El diodo

Profesor: Javier Ribas Bueno

Nota: La mayor parte de esta presentacin ha sido desarrollada por Manuel Rico Secades
http://www.uniovi.es/ate/manuel

Componentes electrnicos: El diodo

Introduccin: representacin de componentes elctricos en
diagrama V-I
Caractersticas elctricas de un diodo semiconductor
Caracterstica real
Linealizacin de la caracterstica de un diodo
Interpretacin de los datos de un catlogo
Diodos especiales
Asociacin de diodos
Aplicaciones

Introduccin: Representacin del componentes elctricos en diagrama V-I

I
V

+
V

Corto
(R = 0)

Abierto
(R = )

I
V

+
Batera

V
V

Resistencia
(R)

+
Fuente
Corriente

CARACTERSTICA DEL DIODO

Idealmente, permite corriente directa (se comporta como un cable) y bloquea o
no permite la corriente inversa (se comporta como un cable roto)
I
+

PRESENTA UN
COMPORTAMIENTO
NO LINEAL !!

V
-

ANCDOTA
Un smil hidrulico podra ser una vlvula anti-retorno, permite pasar el agua
(corriente) en un nico sentido.

Funcionamiento de una vlvula anti-retorno

h1

h2

Caudal

h1 - h 2

Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores

Semiconductor extrnseco: TIPO N
+
+
+

Electrones libres

+
+

+
+

+
+

Impurezas grupo V

300K

tomos de impurezas ionizados

Los portadores de carga en un semiconductor tipo N son

electrones libres

Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores

Semiconductor extrnseco: TIPO P
-

Huecos libres

300K

tomos de impurezas ionizados

Los portadores de carga en un semiconductor tipo P son huecos.

Actan como portadores de carga positiva.

La unin P-N
La unin P-N en equilibrio
-

Semiconductor tipo P

+
+

Semiconductor tipo N

La unin P-N
La unin P-N en equilibrio

Zona de transicin

Semiconductor tipo P

+
+

Semiconductor tipo N

Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona de

carga espacial denominada zona de transicin. Que acta como una
barrera para el paso de los portadores mayoritarios de cada zona.

La unin P-N
La unin P-N polarizada inversamente

+
+

+
+

La zona de transicin se hace ms grande. Con polarizacin inversa no hay

circulacin de corriente.

La unin P-N
La unin P-N polarizada en directa

+
+

+
+

La zona de transicin se hace ms pequea. La corriente comienza a

circular a partir de un cierto umbral de tensin directa.

La unin P-N
La unin P-N polarizada en directa

Concentracin de huecos

+
+

+
+

Concentracin de electrones

La recombinacin electrn-hueco hace que la concentracin de electrones

en la zona P disminuya al alejarse de la unin.

La unin P-N
Conclusiones:
Aplicando tensin inversa no hay conduccin de corriente
Al aplicar tensin directa en la unin es posible la circulacin
de corriente elctrica

DIODO SEMICONDUCTOR

DIODO REAL
nodo
p

ctodo

i [mA]

Ge

Si
V [Volt.]

Smbolo

-0.25

Silicio
Germanio

I D I S e

V D q
K T

0.25

0.5

IS = Corriente Saturacin Inversa

K = Cte. Boltzman
VD = Tensin diodo
q = carga del electrn
T = temperatura (K)
ID = Corriente diodo

DIODO REAL (Distintas escalas)

Ge: mejor en conduccin
Si: mejor en bloqueo

i [mA]

i [mA]
30

Ge
Si

Si

Ge

V [Volt.]
-0.25

0.25

V [Volt.]
0

-4

0.5

i [A]

i [pA]

V [Volt.]
0

-0.5

Ge

V [Volt.]
0

-0.5

Si
-0.8

-10

DIODO: DISTINTAS APROXIMACIONES

I

I
Solo tensin
de codo
Ge = 0.3
Si = 0.6

Ideal

I
Tensin de codo y
Resistencia directa
V

Curva real
(simuladores,
anlisis grfico)
V

DIODO: LIMITACIONES
Corriente mxima
I

Tensin inversa
mxima

Lmite trmico,
seccin del conductor

Ruptura de la Unin
por avalancha

600 V/6000 A

200 V /60 A

1000 V /1 A

DIODO: Parmetros facilitados por fabricantes

id
IOmax

VR = 1000V
Tensin inversa mxima
IOMAX (AV)= 1A Corriente directa mxima
VF = 1V Cada de Tensin directa
IR = 50 nA
Corriente inversa

VR = 100V
Tensin inversa mxima
IOMAX (AV)= 150mA
Corriente directa mxima
VF = 1V Cada de Tensin directa
IR = 25 nA
Corriente inversa

VR
iS

Vd

NOTA:
Se sugiere con un buscador obtener las
hojas de caractersticas de un diodo (p.e.
1N4007). Normalmente aparecern varios
fabricantes para el mismo componente.

DIODO: Parmetros facilitados por fabricantes

Tiempo de recuperacin inversa

iS

Bajafrecuencia
frecuencia
Alta

iS

trr = tiempo de recuperacin inversa

A alta frecuencia se aprecia un intervalo en el cual el diodo conduce

corriente inversa.

DIODOS ESPECIALES
Diodo Zener (Zener diode)

Tensin
Zener
(VZ)

La ruptura no es destructiva.
(Ruptura Zener).
En la zona Zener se comporta
como una fuente de tensin
(Tensin Zener).

Necesitamos, un lmite de
corriente inversa.
V
Lmite mximo
Normalmente, lmite
de potencia mxima

Podemos aadir al modelo lineal

la resistencia Zener.
Aplicaciones en pequeas
fuentes de tensin y referencias.

DIODOS ESPECIALES
Diodo LED (LED diode)

Diodo emisor de Luz = Light Emitter Diode

El semiconductor es un compuesto III-V (p.e. Ga As). Con la unin PN

polarizada directamente emiten fotones (luz) de una cierta longitud de
onda. (p.e. Luz roja)

DIODOS ESPECIALES
Fotodiodos (Photodiode)

i
V
0

iopt

Los diodos basados en compuestos III-V, presentan

una corriente de fugas proporcional a la luz incidente
(siendo sensibles a una determinada longitud de onda).
Estos fotodiodos se usan en el tercer cuadrante.
Siendo su aplicaciones principales:
Sensores de luz (fotmetros)
Comunicaciones

COMENTARIO
Los diodos normales presentan variaciones en la corriente
de fugas proporcionales a la Temperatura y pueden ser
usados como sensores trmicos

i
El modelo puede ser una fuente de
corriente dependiente de la luz o de
la temperatura segn el caso

I = f(T)

V
T1
T2>T1

DIODOS ESPECIALES
Clulas solares (Solar Cell)

En este caso, el dispositivo puede usarse como

generador.

VCA

V
Zona
uso

iCC

Cuando incide luz en una unin PN, la

caracterstica del diodo se desplaza hacia el 4
cuadrante.

DIODOS ESPECIALES
Diodo Schottky (Schottky diode)
Unin Metal-semiconductor N. Producindose el llamado efecto
schottky.
La zona N debe estar poco dopada.
Dispositivos muy rpidos (capacidades asociadas muy bajas).
Corriente de fugas significativamente mayor.
Menores tensiones de ruptura.
Cadas directas mas bajas (tensin de codo 0.2 V).
Aplicaciones en Electrnica Digital y en Electrnica de Potencia

El efecto Schottky fue predicho tericamente en

1938 por Walter H. Schottky

ASOCIACIN DE DIODOS

Puente rectificador
Monofsico

Diodo de alta tensin

(Diodos en serie)

Trifsico

DISPLAY
-

APLICACIONES DE DIODOS

Detectores reflexin de objeto

Detectores de barrera

APLICACIONES DE DIODOS

Sensores de luz: Fotmetros

Sensor de lluvia en vehculos
Detectores de humo
Turbidmetros
Sensor de Color

Objetivo

LED azul
LED verde

LED rojo

Fotodiodo

LED

COMENTARIOS SOBRE CIRCUITOS

Los diodos (y el resto de dispositivos electrnicos) son dispositivos
no lineales.
Cuidado, no se puede aplicar el principio de superposicin!

EJEMPLO TPICO:
RECTIFICADOR

VE

VS

+
t

VE

VMAX
R

VE
t

VMAX

VS
t
ID

VD

RECTA DE CARGA Y PUNTO DE FUNCIONAMIENTO

CIRCUITO
LINEAL

ID
RTH

+
VD

VTH
-

I
Caracterstica
del diodo

VTH
RTH
ID

Caracterstica del
circuito lineal
(RECTA DE CARGA)

PUNTO DE
FUNCIONAMIENTO
VD

VTH