Está en la página 1de 26

FAMILIAS LGICAS

MOS Y CMOS

INTRODUCCION

Una familia lgica se puede definir como la estructura bsica a


partir de la cual se pueden construir las puertas lgicas.
Se debe recordar, que en electrnica digital,
las seales slo pueden tomar dos valores
diferentes. Por lo tanto, los elementos
principales de estas familias lgicas deben
tener como mnimo dos regiones de
operacin bien diferenciadas. Esta situacin
nos lleva a la utilizacin de dispositivos
semiconductores, aunque en los principios se
utilizaban vlvulas y conmutadores elctricos,
que presentaban un comportamiento similar.

Las

familias MOS emplean transistores


MOSFET, es decir, transistores de efecto
campo. La familia MOS se divide en NMOS,
PMOS y CMOS. Las mas representativas son la
NMOS y CMOS.

Familia PMOS

Tiene una tecnologa basada en transitores mosfet de canal p.

Trabaja con la lgica negativa.

Tiene alta densidad de integracin y fcil fabricacin.

Es la mas lenta de todas las puertas MOS.

Su tecnologa es obsoleta.

Compuerta NOR PMOS

Esta formada a base de 3 transistores que de


acuerdo al nivel de voltaje aplicado en las
entradas A o B, entrega un valor a la salida.

Si se aplica un nivel alto de voltaje a A o B, el


nivel de voltaje a la salida se aproxima a VGG
o tierra o un nivel bajo.

Si se aplica un nivel bajo de voltaje a A y B,


los transistores entran en conduccin
produciendo a la salida un voltaje prximo a
VCC o alto.
A
B
SALIDA
0

Familia NMOS

Sus circuitos se basan en transistores mosfet de canal n.

El voltaje en el drenaje es positivo, por tanto trabaja con lgica


positiva.

Posee menos densidad de integracin y facilidad de fabricacin


que la PMOS.

Es mas rpida que la PMOS debido a que los transisotres de canal


n son 3 veces mas rapidos que los de canal p.

Su tecnologa es usada en microcontroladores de 8 o mas bits.

Circuito equivalentes a las compuertas NOR y NAND de la lgica


NMOS.

FAMILIA LGICA CMOS

Una familia lgica MOS muy importante con un consumo


extraordinariamente pequeo es la CMOS (metal-xido-semiconductor
complementaria)

En un circuito CMOS se acoplan en forma de parejas transistores


pMOS y nMOS de forma que se elimina la necesidad de resistencias o
transistores de carga, de este modo se elimina tambin la prdida de
potencia asociada con cualquier resistencia elctrica.

La principal desventaja de los CMOS es que utilizan un nmero mayor


de transistores por puerta que otras familias lgicas, lo cual tiende a
incrementar la complejidad y superficie del circuito.

La tecnologa CMOS se esta utilizando satisfactoriamente para


fabricar circuitos lgicos en el rango de densidad de integracin de
SSI a VLSI

Puertas lgicas de la familia


CMOS
PRESENTAMOS A CONTINUACIN COMO ESTA FORMADO LAS
COMPUERTAS BSICAS EN CMOS.

Inversor CMOS (compuerta NOT)

Son dos MOSFET que se


conectan en serie y que se
interconectan con una salida
comn.
ENTRADA

SALIDA

Compuerta NAND CMOS

Esta formada por la adicin de


un MOSFET de canales P en
paralelo y un MOSFET de canales
N en serie al inversor que vimos
anteriormente.
A

SALIDA

Compuerta NOR

Esta compuerta se implementa


con un circuito en el que se
intercambian las conexiones de
los transistores NMOS y PMOS, la
salida debe ser alta slo cuando
las entradas estn abajo.
A

SALIDA

Compuertas AND y OR CMOS

Estas compuertas bsicas son los


mismos NAND y NOR,
respectivamente con un inversor.
AND

OR

Caractersticas de las series


CMOS
PRINCIPALES CARACTERSTICAS DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS
DIGITALES EN CMOS

Serie 4000/14000

Son las primeras series CMOS (4000) por RCA y la serie (14000)
por Motorola.

La disipacin de potencia de estado esttico de CMOS es muy


baja.

Los niveles lgicos que se utiliza son 0 V para 0 lgico y VDD


para 1 lgico. VDD puede estar entre 3V a 15V para 4000.

Las entradas CMOS deben estar conectadas a algn nivel de


voltaje.

Serie 74C

Serie 74HC

Serie 74HTC

Es compatible terminal por


terminal y funcin por
funcin, con muchos de los
dispositivos TTL que tienen el
mismo nmero.

CMOS de alta velocidad.

Es de alta velocidad.

Es una versin mejorada de


74C. Y se mejora radica en un
aumento en la velocidad de
conmutacin.

Compatible en lo que respecta


a los voltajes con los
dispositivos TTL.

Es posible reemplazar algunos


circuitos TTL por un diseo
equivalente CMOS.

Mejora una mayor capacidad


de corriente en las salidas.

Caractersticas comunes
a todos los dispositivos
CMOS

VOLTAJE DE ALIMENTACIN
LAS SERIES 4000 Y
74C FUNCIONAN CON
VALORES DE VCC, QUE
VAN DE 3 A 15 V, POR
LO QUE LA
REGULACIN DEL
VOLTAJE NO ES UN
ASPECTO CRTICO.

LAS SERIES 74HC Y


74RCT FUNCIONAN
CON UN MENOR
MARGEN DE 2 A 6
V.

NIVELES DE VOLTAJE
CUANDO LAS SALIDAS CMOS MANEJAN SLO
ENTRADAS CMOS, LOS NIVELES DE VOLTAJE DE LA
SALIDA PUEDEN ESTAR MUY CERCANOS A 0V PARA
EL ESTADO BAJO, Y A VCC PARA EL ESTADO ALTO.
ESTO ES EL RESULTADO DIRECTO DE LA ALTA
RESISTENCIA DE ENTRADA DE LOS DISPOSITIVOS
CMOS, QUE EXTRAE MUY POCA CORRIENTE DE LA
SALIDA A LA QUE EST CONECTADA.

INMUNIDAD AL RUIDO
CUALQUIER PERTURBACIN INVOLUNTARIA QUE PUEDE
ORIGINAR UN CAMBIO NO DESEADO EN LA SALIDA DEL
CIRCUITO.
LOS CIRCUITOS LGICOS DEBEN TENER CIERTA
INMUNIDAD AL RUIDO LA CUAL ES DEFINIDA COMO LA
CAPACIDAD PARA TOLERAR FLUCTUACIONES EN LA
TENSIN NO DESEADAS EN SUS ENTRADAS SIN QUE
CAMBIE EL ESTADO DE SALIDA.

DISIPACIN DE POTENCIA
LA POTENCIA DISIPADA, ES LA MEDIA DE POTENCIA DISIPADA A
NIVEL ALTO Y BAJO. SE TRADUCE EN LA POTENCIA MEDIA QUE LA
PUERTA VA A CONSUMIR.

El empleo de la lgica CMOS tiene muy bajo


consumo de potencia.

FACTOR DE CARGA
AL IGUAL QUE N-MOS Y P-MOS, LOS CMOS TIENEN UNA
RESISTENCIA DE ENTRADA EXTREMADAMENTE GRANDE QUE CASI
NO CONSUME CORRIENTE DE LA FUENTE DE SEALES, CADA
ENTRADA CMOS REPRESENTA COMNMENTE UNA CARGA A TIERRA
DE 5 PF. DEBIDO A SU CAPACITANCIA DE ENTRADA SE LIMITA EL
NMERO DE ENTRADAS CMOS QUE SE PUEDEN MANEJAR CON UNA
SOLA SALIDA CMOS. AS PUES, EL FACTOR DE CARGA DE CMOS
DEPENDE
DEL
MXIMO
RETARDO
PERMISIBLE
EN
LA
PROPAGACIN. COMNMENTE ESTE FACTOR DE CARGA ES DE 50
PARA BAJAS FRECUENCIAS (<1 MHZ). POR SUPUESTO PARA ALTAS
FRECUENCIAS , EL FACTOR DE CARGA DISMINUYE.

VELOCIDAD DE
CONMUTACIN
LOS CMOS, TIENEN QUE CONDUCIR CAPACITANCIAS DE CARGA
RELATIVAMENTE GRANDES, SU VELOCIDAD DE CONMUTACIN ES
MS RPIDA DEBIDO A SU BAJA RESISTENCIA DE SALIDA EN CADA
ESTADO.
LOS VALORES DE VELOCIDAD DE CONMUTACIN DEPENDEN DEL
VOLTAJE DE ALIMENTACIN QUE SE EMPLEE.

ENTRADAS CMOS.
LAS ENTRADAS CMOS NUNCA DEBEN DEJARSE
DESCONECTADAS, YA QUE SON MUY SENSIBLES A LA
ELECTRICIDAD ESTTICA Y AL RUIDO, LOS CUALES
PUEDEN FCILMENTE ACTIVAR LOS CANALES MOSFET P
Y N EN EL ESTADO CONDUCTOR, PRODUCIENDO UNA
MAYOR DISIPACIN DE POTENCIA Y POSIBLE
SOBRECALENTAMIENTO. TIENEN QUE ESTAR
CONECTADAS A UN NIVEL FIJO DE VOLTAJE ALTO O BAJO
(0 V O VDD) O BIEN A OTRA ENTRADA.

SUSCEPTIBILIDAD A LA
CARGA ESTTICAS
LAS FAMILIAS LGICAS MOS SON ESPECIALMENTE
SUSCEPTIBLES A DAOS POR CARGA
ELECTROSTTICA. ESTO ES CONSECUENCIA
DIRECTA DE LA ALTA IMPEDANCIA DE ENTRADA DE
ESTOS CI. UNA PEQUEA CARGA ELECTROSTTICA
QUE CIRCULE POR ESTAS ALTAS IMPEDANCIAS
PUEDE DAR ORIGEN A VOLTAJES PELIGROSOS. LOS
CMOS ESTN PROTEGIDOS CONTRA DAO POR
CARGA ESTTICA MEDIANTE LA INCLUSIN EN SUS
ENTRADAS DE DIODOS ZNER DE PROTECCIN.

Conclusiones:

En la actualidad hay variedad de familias lgicas, entre las cuales


se puede nombrar la familia lgica MOS, que es la que trabaja con
transistores MOSFET, y la CMOS, que el complemento de la MOS.

La familia CMOS tiene diferentes parmetros como nivel de voltaje


de entrada, factor de carga, potencia disipada, velocidad de
conmutacin, entre otros, que son caractersticas de esta familia.

Las compuertas de la familia mos/cmos presentan una alta


densidad de integracin, por tanto son aplicadas para dispositivos
que requieren una mas complejidad como son memorias o
microcontroladores.

Son ms usadas que las de la familia ttl en distintos campos


debido a su alta capacidad y su fcil fabricacin.