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MATERIALES ELECTRNICOS

MATERIALES ELECTRNICOS
Materiales Electrnicos trmino que
incluye materiales que se utilizan en la
microelectrnica, as como aquellos que
se usan en transmisin de energa, el
aislamiento elctrico y otras aplicaciones
a gran escala

MATERIALES SEMICONDUCTORES

MATERIALES SEMICONDUCTORES
Los materiales semiconductores y sus
sorprendentes aplicaciones en el desarrollo
tcnico
de
dispositivos
electrnicos,
representan una de las revoluciones
cientfico-tecnolgicas de mayor impacto
sobre nuestra sociedad.
Los transistores son probablemente la
aplicacin tecnolgica ms importante de los
semiconductores. Estn en el televisor, en el
equipo de msica, en el reloj de pulsera, en el
telfono celular. Un computador personal
puede llegar a tener algunos miles de millones
de transistores.

Espectro
conductividad
contra
resistividad: Los
materiales en el
intervalo
intermedio entre
10-3 y 109 ohm
cm se han vuelto
muy importantes
en la tecnologa
moderna
como
semiconductores.

MATERIALES SEMICONDUCTORES

Lugar que ocupan en la Tabla Peridica los trece elementos


con caractersticas de semiconductores, identificados con su
correspondiente nmero atmico y grupo al que
pertenecen. Los
que
aparecen
con
fondo gris
corresponden a metales, los de fondo verde a metaloides
y los de fondo azul a no metales

TEORA DE BANDAS DE ENERGA


La conductividad varia enormemente entre
aislantes y conductores.
Cuando los N tomos se encuentran muy
prximos, las funciones de onda electrnicas
se empiezan a traslapar y la interaccin entre
ellos ocasiona que cada nivel energtico se
divida en N niveles con energas ligeramente
diferentes

TEORA DE BANDAS DE ENERGA


En un slido macroscpico, N es del orden
de , 1023 de modo que cada nivel se divide
en un nmero muy grande de niveles
energticos llamados una banda. Los
niveles estn espaciados casi continuamente
dentro de una banda.
Las bandas de energa, llamadas tambin
bandas permitidas, se encuentran separadas
unas de otras por brechas, denominadas
bandas prohibidas. El ancho de estas
bandas depender del tipo de tomo y el
tipo de enlace en el slido.

TEORA DE BANDAS DE ENERGA


Figura 1
Formacin
de
bandas de energa
como funcin de la
separacin de los
tomos. Si existen
muchos tomos cada
nivel de energa se
divide
en
un
conjunto
casi
continuo de niveles
que constituyen una
banda.

METALES, SEMICONDUCTORES Y
AISLADORES
La banda correspondiente a la capa atmica
ms externa, ocupada por los electrones de
valencia.
Si la banda ms externa no est
completamente llena, se denomina banda de
conduccin. Pero, si est llena, se llama
banda de valencia y la banda vaca que
queda inmediatamente encima de esta
ltima recibe el nombre de banda de
conduccin.

METALES, SEMICONDUCTORES Y
AISLADORES
Los distintos tipos de materiales de acuerdo a sus
propiedades de trasporte de corriente elctrica son:
Conductor es toda sustancia en que la energa del
primer estado electrnico vaco se encuentra
inmediatamente adyacente a la energa del ltimo
estado electrnico ocupado. En otros trminos, un
conductor es un material en el cual la ltima banda
ocupada no est completamente llena.

METALES, SEMICONDUCTORES Y
AISLADORES
Aislador es toda sustancia en que la energa
del primer estado electrnico vaco se
encuentra separada, por una brecha finita,
de la energa del ltimo estado electrnico
ocupado.
Semiconductor es un material aislador en
que el ancho de banda prohibida es menor
que 1 eV.

METALES, SEMICONDUCTORES Y
AISLADORES

METALES, SEMICONDUCTORES Y
AISLADORES
Brecha de Energa (Gap) eV

METALES, SEMICONDUCTORES Y
AISLADORES

TIPOS DE
SEMICONDUCTORES

S E M IC O N D U C T O R E S
IN T R N S E C O S

E X T R N S E C O S

SEMICONDUCTORES INTRNSECOS
A temperatura ambiente ( T = 300 K) la energa trmica
transferida a un electrn de la red es del orden de
aproximadamente 0.025 eV.
Esta energa es suficiente para que una pequea fraccin de
los electrones en la banda de valencia pueda saltar a la
banda desocupada. Sin embargo, a temperatura nula ningn
electrn podr ocupar la banda superior. Por lo tanto, los
semiconductores a T = 0K son aisladores.

SEMICONDUCTORES INTRNSECOS
Esto nos permite definir los semiconductores
intrnsecos como aisladores naturales de banda
prohibida angosta.

Semiconductor intrnseco (germanio). (a) Representacin esquemtica que


muestra los electrones en sus enlaces covalentes (y sus bandas de valencia), (b) Par
electrn-hueco. (El electrodo positivo est a la izquierda.) (c) Salto de energa, el cual
debe de efectuar un electrn para efectuar conduccin. Por cada electrn de
conduccin hay un hueco producido entre los electrones de valencia.

SEMICONDUCTORES INTRNSECOS

SEMICONDUCTORES INTRNSECOS

SEMICONDUCTORES INTRNSECOS

De la grfica:

Semiconductividad contra temperatura


(germanio intrnseco: Eg = 0.72 eV).
Este grfico es una lnea recta debido a
que representa la ecuacin de log a
contra 1/T

SEMICONDUCTORES

Fotoconduccin. Un fotn (esto es,


energa luminosa) impulsa al electrn
a efectuar el salto de energa,
produciendo un par "electrn de
conduccin + hueco de valencia",
formando portadores de valencia. La
recombinacin ocurre cuando el
electrn regresa a su banda de
valencia.

Luminiscencia. Cada milisegundo,


una fraccin de los electrones
energizados hacia la banda de
conduccin regresan a la banda de
valencia. Cuando el electrn cae
efectuando el salto, la energa
puede ser liberada como un fotn.

COMPARACIN DE LOS SEMICONDUCTORES


EXTRINSECOS TIPOS n Y p
En un semiconductor con
tomos dadores (por ejemplo
P en Si), el nivel dador se
encuentra justo por debajo de
la banda de conduccin. Los
electrones
(
)
son
promocionados fcilmente a la
banda de conduccin. El
semiconductor es de tipo-n. En
un semiconductor con tomos
aceptores ( por ejemplo Al en
Si), el nivel aceptor se
encuentra justo por encima de
la banda de valencia. Los
electrones son promovidos
fcilmente al nivel aceptor
dejando agujeros positivos ( )
en la banda de valencia. El
semiconductor es de tipo-p.

SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS TIPO n

Semiconductores extrnsecos (tipo n). Un tomo del grupo V tiene un


electrn extra de valencia ms all del promedio de cuatro. Este quinto
electrn puede ser extrado de su tomo con muy poca adicin de energa
y "donarlo" a la banda de conduccin para convertirse en un portador de
carga. Observemos el nivel de energa donador Ed, que est debajo y
prximo al nivel superior del salto, o nivel de energa, (a) Una impureza tipo
n. (b) tomo ionizado de fsforo(Electrodo positivo a la izquierda.) (c)
Modelo de banda.

SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS TIPO p

Semiconductores extrnsecos (tipo p). Un tomo del grupo III tiene un


electrn de valencia menos que el promedio de cuatro .Este tomo puede
aceptar un electrn de la banda de valencia, dejando un electrn hueco
como un portador de carga el nivel de energa aceptor, Ea, est sobre y
prximo al nivel inferior del nivel de salto de energa, (a) Impureza tipo A. (b)
tomo de aluminio ionizado (electrodo negativo a la derecha), (c) Modelo de
banda.

SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS
Seccin reducida de la tabla
peridica de los elementos. El
silicio, en el grupo IV A, es un
semiconductor
intrnseco.
Aadiendo
una
pequea
cantidad de fsforo, del grupo
V A, se obtienen electrones
extra (no necesarios para los
enlaces con los tomos de
silicio). Como resultado, el
fsforo es un dopante tipo n (su
adicin produce portadores de
carga negativa). De forma
similar, el aluminio, del grupo
IIIA, es un dopante de tipo p
con
una
deficiencia
de
electrones de valencia, lo que
conlleva la formacin de
portadores de carga positiva
(huecos electrnicos).

SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS TIPO p


Representacin de la
conductividad elctrica
de un semiconductor
tipo p en un amplio
intervalo de temperatura.
La
zona
entre
el
comportamiento
intrnseco y extrnseco
se denomina intervalo de
saturacin
y
se
corresponde
con
el
instante en que todos los
niveles aceptores han
sido
saturados
u
ocupados
con
electrones.

SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS TIPO n


Representacin de la
conductividad elctrica
de un semiconductor
tipo n en un intervalo de
temperaturas
A bajas temperaturas
(alto 1/T), el material es
extrnseco.
A
altas
temperaturas (bajo 1/T),
el material es intrnseco.
El tramo central es el
intervalo de agotamiento,
en el cual todos los
electrones extra han
ascendido a la banda de
conduccin.

APLICACIONES DE LOS
SEMICONDUCTORES
A partir de la dcada de 1950, los dispositivos
semiconductores
-conocidos
tambin
como
dispositivos de estado slido- remplazaron los tubos
electrnicos de la industria tradicional. Por la
enorme reduccin de tamao, consumo de energa y
costo, acompaada de una mucho mayor durabilidad
y confiabilidad, los dispositivos semiconductores
significaron un cambio revolucionario en las
telecomunicaciones,
la
computacin,
el
almacenamiento de informacin, etc.

APLICACIONES DE LOS
SEMICONDUCTORES
Desde el punto de vista de su forma de operacin, el
dispositivo semiconductor ms simple y fundamental es
el diodo; todos los dems dispositivos pueden
entenderse en base a su funcionamiento.
Cuando un semiconductor de tipo n y otro de tipo p se
unen del modo indicado en la Figura, las
concentraciones inicialmente desiguales de electrones y
vacantes dan lugar a una trasferencia de electrones a
travs de la unin desde el lado p al n y de vacantes
desde el lado n al p. Como resultado, se crea una doble
capa de carga en la unin semejante a la de un
condensador de placas paralelas, siendo negativo el
lado p y positivo el lado n.

APLICACIONES DE LOS
SEMICONDUCTORES

Figura: Unin pn. Debido a la diferencia de sus concentraciones, las


vacantes se transfieren del lado p al n y los electrones se difunden del
lado n al p. Como resultado, existe una doble capa de carga en la
unin, siendo negativo el lado p y positivo el n.

APLICACIONES DE LOS
SEMICONDUCTORES
Los diodos tienen mltiples aplicaciones. La ms
evidente, y que se desprende directamente de
nuestra discusin anterior, es la conversin de la
corriente alterna en continua, proceso que se llama
rectificacin.
Otras aplicaciones de inters son las clulas
solares, que convierten la energa luminosa en
energa elctrica, y los diodos emisores de luz
(LEDs) que se utilizan corrientemente en las
pantallas de relojes digitales y calculadoras.

APLICACIONES DE LOS
SEMICONDUCTORES

Figura Diodo de unin pn. (a) Unin pn con polarizacin directa. La


diferencia de potencial aplicada estimula la transferencia de vacantes del lado
p al n y de electrones del lado n al p, dando lugar a una corriente I. (b) Unin
pn con polarizacin inversa. La diferencia de potencial inhibe la transferencia
posterior de vacantes y electrones, de modo que no hay corriente.

APLICACIONES DE LOS SEMICONDUCTORES


Nuestra discusin no podra estar completa sin mencionar al
dispositivo de estado slido ms relevante desde el punto de
vista tecnolgico; el transistor. Dicho en trminos simples, el
transistor es un dispositivo utilizado para producir una
seal de salida en respuesta a una seal de entrada.
Una de las formas ms simples que puede adoptar un
transistor se consigue uniendo tres piezas de material
semiconductor.
Estos materiales pueden ser tanto npn como pnp. Ambos
tipos conforman lo que se denomina un transistor de unin
bipolar, que consiste esencialmente de tres regiones distintas
llamadas emisor, base y colector.
Entre las aplicaciones del transistor bipolar podemos
mencionar su uso como amplificador de corriente.

Evolucin histrica de la
tecnologa electrnica

Definicin de Electrnica:

"Electrnica es la rama de la Ciencia y la Tecnologa que se


ocupa del estudio de las leyes que rigen el trnsito controlado
de electrones a travs del vaco, de gases o de
semiconductores, as como del estudio y desarrollo de los
dispositivos en los que se produce este movimiento
controlado y de las aplicaciones que de ello se deriven".

Era del tubo de vaco


Abarca la primera mitad del siglo XX

1905 A. Fleming inventa la primera vlvula de vaci, el diodo termoinico


Estos dispositivos aprovecharon la observacin previa de T.A. Edison (1881) de que, para
que pase corriente entre un electrodo (nodo) y un filamento (ctodo), es necesario que el
electrodo sea positivo respecto al filamento.
Esta propiedad fue estudiada por W. Preece en 1885 y el propio Fleming entre 1890 y
1896 y fue explicada mediante la teora de la emisin termoinica de Richardson
nodo +

Ctodo -

1907 Lee de Forest propone el trodo, primer amplificador

1912 el perfeccionamiento alcanzado por los tubos de vaco hizo posible que F.Lowenstein
patentara el trodo como amplificador , aumentando el grado de vaco en su interior,
1913 Meissner patentara su aplicacin como oscilador.
1916 Hull y Schottky introducen la rejilla pantalla entre la de control y el nodo para disminuir
capacidades dando lugar al tetrodo
1928, cuando B.Tellegen introdujo una nueva rejilla proponiendo un nuevo dispositivo: el pentodo.
Esta ltima rejilla, llamada supresora, est conectada cerca del nodo y tiene como misin eliminar
la emisin secundaria de electrones,.

1922 Estaba generalizado el uso de tubos electrnicos en


mltiples aplicaciones:
Comunicaciones: radio y telfono
Rectificadores de potencia,
Amplificadores de potencia,
Convertidores DC-AC, (corriente continua a alterna)
Controladores de motores, hornos de induccin, etc.
Informtica

1946 Eckert y Mauchly construyen el primer ordenador electrnico


(ENIAC)
Diseado para calcular tablas balsticas.
Utilizaba unos 18000 tubos de vaco.
Ocupaba una habitacin de 100m2 , pesaba 40Tm, consuma 150kW
Trabajaba a una frecuencia de reloj de 100kHz.. Multiplicacin en 2.8mseg

Problemas de la vlvula de vaco:


Consumo de potencia elevado.
Fiabilidad.
Costo de fabricacin.
Tamao.

1.1.1 Electrnica de Estado Slido


El gran avance de la Electrnica, que ha permitido alcanzar el nivel de desarrollo
actual, fue la sustitucin de los tubos de vaco por los dispositivos semiconductores
La utilizacin de contactos entre materiales slidos diferentes para controlar la
corriente elctrica fue relativamente temprana
1874, Braun hizo notar la dependencia de la resistencia de una unin metalsemiconductor con respecto a la polaridad de la tensin aplicada y las condiciones
de las superficies de contacto
1904 se utiliz un dispositivo de puntas de contacto como rectificador (Diodo)
1920 se haba generalizado el uso comercial de rectificadores cobre-xido de cobre
o hierro-selenio
1926, J.E. Liliendfeld patent cinco estructuras que corresponden a dispositivos
electrnicos modernos: La primera, en 1926, es el "MESFET", La segunda
estructura, en 1928, incorpora un aislante entre el metal de puerta y el
semiconductor, por tanto se trata de un MISFET o MOSFET de deplexin

1947 En los laboratorios de la Bell Telephone Shockley Bardeen y


Brattain inventan el Transistor de puntas de contacto.
Consiguieron Nobel en 1956

1948 Shockley propuso el transistor bipolar de unin

(npn pnp)

1951 Teal, Spark y Buehler construyeron el primer transistor bipolar de


unin con posibilidades comerciales inmediatas

1953 Dacey y Ross fabricaron primer transistor de efecto campo operativo, el FET de
unin (JFET).

1955 I.M.Ross describio la estructura MOSFET de enriquecimiento tal


como se conoce hoy da, es decir, con uniones p-n en la fuente y el drenador .
A pesar de ser la idea del MOSFET ms antigua que la del BJT, fueron los avances
tecnolgicos producidos en el desarrollo del transistor bipolar los que hicieron viable al
de efecto campo. No obstante habra que esperar a que se perfeccionara la tecnologa
para poder aprovechar toda la potencia del MOSFET

1955 Nacimiento del Silicon Valley en Palo Alto (California)


Hewlett y Packard ,Shockley Transistor Corporation, Fairchild Semiconductor
Corporation, Texas Instruments

1958 Kilby de Texas Instruments idea de circuito integrado, patent un flipflop realizado en un cristal de germanio con interconexiones de oro

1959 Noyce de Fairchild patent la idea de circuito integrado de silicio


utilizando en 1960 la tecnologa planar para definir, mediante fotolitografa,
transistores y resistencias interconectados usando lneas delgadas de aluminio
sobre el xido de pasivacin

Se comenz a usar el Si como material semiconductor por sus propiedades:

Fcil oxidacin, Pasivacin.

Su oxido puede ser atacado sin atacar al Si.

Usando su resistividad se hacen resistencias y las uniones pn pueden actuar


como condensadores
1960 Kanhng y Atalla fabrican el primer MOSFET operativo
Alrededor de 1968 ya se haban propuesto las estructuras bsicas MOS. Desde
entonces la mayor parte de los esfuerzos tecnolgicos se han dedicado a la
miniaturizacin de los dispositivos con el propsito de aumentar su velocidad y la
densidad de integracin
1960 SSI (Small Scale Integration) 100 componentes/chip
1966 MSI (Mediun Scale Integration) 100-1000 componentes/chip
1969 LSI (Large Scale Integration)1000-10000 componentes/chip
1975 VLSI (Very Large Scale Integration) mas de 10mil componentes/chip
Actualmente ULSI (Ultra Large Scale Integration) mas de 100Millones comp/chip

Procesador 4004 de Intel

Procesador Pentiun II

Fabricacin de Dispositivos
semiconductores

Etapas para la fabricacin


un dispositivo

de

1. Purificacin del substrato (Fabricacin de obleas)


2.- Oxidacin
3.- Litografa y Grabado
4.- Impurificacin
5.- Creacin de capas delgadas (Deposicin y
crecimiento epitaxial).
6.- Colocacin de los contactos metlicos

1. Purificacin del substrato (Fabricacin de obleas)


Obtencin de Si puro
1)

Materia prima: Slice o dixido de Silicio: SiO2 (muy abundante,


arena de la playa).

2)

Reduccin del SiO2 a alta temperatura:


Silicio + Carbn a 2000C Silicio metalrgico, Si al 98%.

3)

Si metalrgico + ClH (Clorhdrico)SiHCl3 TricloroSilano

4)

Destilacin del SiHCl3 SiHCl3 TricloroSilano puro.

5)

Reduccin del SiHCl3


SiHCl3 + H2 Si de alta pureza Si Policristalino
Concentracin impurezas<1 ppmm (1013 cm-3).

El Silicio policristaio o polisilicio esta formado por pequeos


cristales de silicio
Las obleas para la fabricacin de un C.I. Tienen que tener una
estructura cristalina

Tres tipos de solidos, clasificados por su ordenacin atmica:


(a) La estructura cristalina y (b) Amorfa son ilustradas con una
vista microscopica de sus atomos, mientras (c) la estructura
policristalina se muestra de una forma ms macroscopica con sus
pequeos cristales con distinta orientacion pegados unos con
otros.

Dos mtodos para obtener Si cristalino


a) Mtodo de Czochraiski
b) Mtodo de Zona flotante

Mtodo de Czochralski
Es el mtodo empleado en el 90%

aparato denominado
"puller"

(a) Horno
Crisol de slice fundida (SiO2)
Soporte de grafito
Mecanismo de rotacin
Calentador

(b)

Mecanismo de crecimiento del


cristal
Soporte para la semilla
Mecanismo de rotacin (sentido
contrario).

(c) Mecanismo del control de ambiente


Una fuente gaseosa (argn)
Un mecanismo para controlar el flujo
gaseoso
Un sistema de vaciado.

Procedimiento
Se coloca el Si policristalino en el crisol y el horno se calienta hasta fundirlo.
Se aaden impurezas del tipo necesario para formar un semiconductor tipo N
(Fosforo, Arsenico, Antimonio) o P (Boro, Aluminio, Galio) con el dopado deseado
Se introduce la semilla en el fundido (muestra pequea del cristal que se quiere crecer)
Se levanta lentamente la semilla (se gira la semilla en un sentido y el crisol en el
contrario)

El progresivo enfriamiento en la interface slido-lquido proporciona un Si


monocristalino con la misma orientacin cristalina que la semilla pero de mayor
dimetro

Dimetro depender de:


La temperatura
La velocidad de elevacin y rotacin
de la semilla
La velocidades de rotacin del crisol

Efecto de segregacin:
La concentracin de dopante del Si solidificado es inferior a la del Si fundido.
La concentracin del dopante aumente a medida que la barra de cristal crece.
La concentracin de impurezas es menor en lado de la semilla que en el otro
extremo.

El Silicio fabricado por el mtodo de Czochralski contiene oxigeno,


debido a la disolucin del crisol de Slice (SiO 2).

Este oxigeno no es perjudicial para el silicio de baja resistividad


usado en un circuito integrado.

Para aplicaciones de alta potencia donde se necesita Si con alta


resistividad este oxigeno es un problema.

En estos casos se usa el mtodo de Zona Flotante.

Mtodo de Zona Flotante


El proceso parte de un cilindro de silicio policristalino
Se sostiene verticalmente y se conecta uno de sus extremos a la semilla
Una pequea zona del cristal se funde mediante un calentador por radio frecuencia
que se desplaza a lo largo de todo el cristal desde la semilla
El Si fundido es retenido por la tensin superficial entre ambas caras del Si slido
Cuando la zona flotante se desplaza hacia arriba, el silicio monocristalino se
solidifica en el extremo inferior de la zona flotante y crece como una extensin de la
semilla

2) Proceso de Oxidacin trmica.


Las obleas de Si se montan en un carrete de cuarzo
Este se mete dentro de un tubo de cuarzo situado dentro de un horno de
apertura cilndrica calentado por resistencia
T entre los 850 y 1100C

Dos tipos de oxidacin: Seca y hmeda


Oxidacin Hmeda
Se introduce vapor de agua en el horno
Si(s) +2H2O(g) SiO2(s) + 2H2(g)
Es mucho mas rpida y se utiliza para crear xidos gruesos

Oxidacin seca
Se introduce gas de oxigeno puro
Si(s) + O2(g) SiO2(s) + 2H2(g)
Se consiguen xidos de mayor calidad pero es ms lenta
Esta tcnica no es apropiada para la creacin de xidos gruesos ya que se puede
producir una redistribucin de las impurezas introducidas en los anteriores procesos

Tipos de Hornos

Horno horizontal

Horno vertical

En la oxidacin trmica parte de la capa de Si se consume


La interface Si-SiO2 se introduce en el Si
Por cada micra de oxido crecido se consume 0.44 micras de Si

1 Cuando el espesor del oxido formado es pequeo


Crecimiento limitado por la reaccin en la interface Si-SiO2
Espesor varia linealmente con el tiempo.

Espesor t

2 Cuando el espesor es grande


Crecimiento limitado por la difusin de las especies oxidantes
Espesor proporcional a la raz cuadrada del tiempo.

Espesor t

3) Proceso de litografa y grabado


Se cubre la oblea con una fotoresina + o Se hace incidir luz U.V. a travs de
una mascara
Se ablanda (+) o se endurece (-) la
resina expuesta

Se elimina la fotoresina no
polimerizada con tricloroetileno
Grabado: se ataca con HCl o HF y se
elimina el SiO2 no protegido por la
fotoresina

Se elimina la fotoresina con un


disolvente Sulfrico SO4H2

Litografa
Diferentes fuentes de luz

Luz Ultravioleta
Rayos X
Haces de electrones

Litografa con luz ultravioleta

Es la ms utilizada

Para una buena resolucin (longitud de onda de la luz) tiene que ser
lo suficientemente pequea para evitar efectos de difraccin

Litografa con rayos X

Menor longitud de onda Mayor resolucin


Problemas mascaras difciles de fabricar
Radiacin puede daar el dispositivo

Litografa con haces de electrones

No necesita mascara
Buena resolucin
Problema proceso muy lento

Litografa
Tipos de mascaras
Para una oblea entera

Para un solo Chip

Litografa
Stepper

Grabado

Hmedo y Seco
(a) Hmedo:
Bao de cido fluorhdrico o
clorhdrico que ataca SiO2 no protegido,
pero no ataca al Si.
Gran selectividad
Problema: ataque isotrpico igual en
todas las direcciones

(b) Seco:
Se usa un plasma con un gas ionizado
Grabado Fsico o qumico
Ataque anistropo
Menor selectividad

Reactive Ion Etching (RIE)


(1) El proceso comienza con la formacin de los reactivos
(2) Los reactivos son transportados por difusin a travs de una capa gaseosa de
estao hacia la superficie.
(3) La superficie adsorbe a los reactivos.
(4) Se produce la reaccin qumica de los reactivos con la especies de la superficie,
junto con efectos fsicos (bombardeo inico).
(5) Los materiales resultados de la reaccin qumica o bombardeo fsico son
repelidos por la superficie y eliminados por un sistema de vaco.

4) Impurificacin (adicin de dopantes)


Dos mtodos: Difusin e implantacin inica
Difusin
Se colocan las obleas en el interior de un horno a
travs del cual se hace pasar un gas inerte que
contenga el dopante deseado.

T entre 800 y 1200 C

Para Si tipo P el dopante ms usual es el Boro y para tipo N se usa el Arsnico


y Fsforo.
Tienen una alta solubilidad en silicio en el rango de
temperatura de difusin.
Se puede distinguir entre dos formas al realizar la difusin:

a) Con fuente ilimitada: cuando se mantiene la misma concentracin de


impurezas durante el proceso
b) Con fuente limitada: se parte de una concentracin inicial y no se
aaden mas dopantes
Normalmente se usan los dos mtodos uno seguido del otro.
La profundidad de la difusin depender del tiempo y de la temperatura.
La concentracin de dopante disminuye montonamente a medida que se
aleja de la superficie.
La tcnica de difusin tiene el problema de que las impureza se difunden
lateralmente

Implantacin inica
Se ionizan las impurezas
Se aceleran y adquieren alta energa
Se introducen en el Si con el ngulo adecuado
Annealing: se somete la oblea a un recocido para reordenar al estructura
Mejor control de la difusiones profundidad y dopado

5) Formacin de capas delgadas (Deposiciones y Epitaxia)


Se puede depositar diferentes tipos de material como xidos, polisilicio, metal y
semiconductor con estructura cristalina (en este caso el proceso se llama epitaxia)
Podemos distinguir entre dos tipos de deposicin segn se produzca en el
proceso una reaccin qumica o fsica

1) Chemical vapour deposition (CVD)


Atmospheric pressure CVD
Low-pressure CVD
Plasma-enhanced CVD
2) Physical vapour deposition (PVD)
Evaporation technology
Sputtering
Molecular Beam Epitaxy (MBE)
Las tcnicas de CVD se suelen usar para depositar aislante y polisilicio
La tcnica de CVD y MBE para depositar semiconductores cristalinos (Epitaxia)
Las tcnicas Fsicas de evaporacin y Sputtering para metalizaciones

Chemical vapour deposition (CVD)


Creacin de una capa de Si
Las obleas de silicio se introducen en un recipiente sobre un soporte de grafito,
En el recipiente se introduce la fuente gaseosa, tpicamente tetracloruro de
silicio (SiCl4 ) y se calienta todo a una temperatura de 1200 C, dndose la
reaccin:

Pero adems se produce tambin la reaccin siguiente:

Si la concentracin de tetracloruro de silicio (SiCl4 ) es demasiado elevada, predominar la


segunda reaccin, por lo que se producir una eliminacin de silicio del substrato en vez del
crecimiento de la capa epitaxial.

La capa epitaxial puede crecerse con un cierto dopado. El dopante se introduce a la


vez que el SiCl4 en la mezcla gaseosa. Como dopante tipo p se utiliza el diborano
(B2 Cl4 ), mientras que la arsina (AsH3 ) y la fosfina (PH3 ) se utilizan como
dopantes tipo n.

Distintos
tipos de
hornos

Creacin de una capa de oxido


A bajas t (300 a 500 C) las pelculas se forman al reaccionar silano y oxgeno.

A altas t (900 C) al reaccionar diclorosilano, SiCl2 H2 con xido nitroso a


bajas presiones:

a medida que mayor es la temperatura mejor es la calidad del xido

Creacin de una capa de polisilicio


se utiliza un reactor LPCVD a una temperatura entre 600 y 650 C
donde se produce la pirolisis del silano:

Molecular Beam epitaxy MBE


Recipiente al vaco

Distintos materiales en crisoles se calientan las


partculas evaporadas son dirigidas a la muestra
bajas temperaturas (400 a 800 C)
Control preciso del perfil del dopado.
Crecimiento de mltiples capas
monocristalinas con espesores atmicos.

No hay reaccin qumica

6) Metalizacin
Phisical vapour deposition
Se evapora el metal con calor a depositar en una cmara de alto vaco
Se condensa en la superficie de la oblea al enfriarse.

La energa de los tomos de vapor suele ser baja lo cual pueden resultar capas
porosas y poco adherentes

Varias tcnicas para evaporar el metal

Filamento de tungsteno. De
cada espira del filamento se
cuelga un pequeo trozo de
aluminio.

En un crisol de nitruro
de boro se calienta el Al
mediante induccin RF.

Evaporacin por haces de


electrones.
Un filamento suministra un haz
de electrones que son acelerados
por un campo elctrico y
conducidos hacia la superficie
del metal donde al chocar con
ste producen la evaporacin del
mismo.

Sputtering (Salpicado)
El material a depositar se arranca cargndolo negativamente al
bombardearlo con iones positivos Argon
Los tomos de Al desprendidos se dirigen y depositan sobre al oblea

Ms uniformidad

Mejor control del


espesor

Fabricacin de 4
diodos

Fabricacin de un MOSFET