PROCESAMIENTO DE

CIRCUITO INTEGRADO.

Numerosas etapas de Fotolitografa.

Procesado Qumico.

Los dispositivos integrados pueden ser tanto

analgicos como digitales.

PROCESO

PASOS GENERALES PARA LA

FABRICACIN DE I.C
Componente activo
Silicio

Crecimiento del Cristal del

Sustrato Produccin de la
Oblea

Metalizacin

Oxidacin

Empacado

Difusin o Implantacin de iones

Fotolitografa

PREPARACIN DE LA OBLEA
Esta tcnica se conoce como proceso CZOCHRALSKI CZ
Se corta el lingote en obleas circulares : 0,2 mm

Una de las caras de la oblea se lapida y pule para eliminar las

imperfecciones superficiales antes de proseguir con el siguiente
paso.

OXIDACIN
1. - Puede eliminarse con cido fluorhdrico HF al que la capa de silicio es
resistente
2.- Las impurezas empleadas para el dopado del silicio no penetran en el
dixido SiO2. As cuando se emplean tcnicas de enmascaramiento se
puede lograr un dopado selectivo de zonas especificas del chip.
La oxidacin trmica del silicio se lleva a cabo en presencia de vapor de
agua. La reaccin qumica es:
(proceso de oxidacin seca) o como
vapor (oxidacin hmeda)

DIFUSIN
Es el proceso mediante el cual los tomosse mueven de una regin de
alta concentracin a una de baja a travs del cristal semiconductor.
Las impurezas ms comunes utilizadas como contaminantes son el Boro
(tipo p), el Fsforo (tipo n) y el Arsnico (tipo n).
Si la concentracin de la impureza es excesivamente fuerte, la capa
difundida tambin puede utilizarse como conductor

METALIZACIN
Su propsito es interconectar los
diversos componentes (transistores,
condensadores, etc.) para formar el
circuito integrado que se desea,
implica la deposicin inicial de un
metal sobre la superficie del Silicio.

FOTOLITOGRAFA

Esta tcnica es utilizada para definir la geometra de la superficie

de los diversos componentes de un circuito integrado

EMPACADO
Una oblea de Silicio puede contener varios cientos de circuitos o
chips terminados, cada chip puede contener de 10 o ms
transistores en un rea rectangular, tpicamente entre 1 mm y 10
mm por lado. Despus de haber probado los circuitos
elctricamente se separan unos de otros (rebanndolos) y los
buenos (pastillas) se montan en cpsulas (soportes).
Normalmente se utilizan alambres de oro para conectar las
terminales del paquete al patrn de metalizacin en la pastilla; por
ltimo, se sella el paquete con plstico o resina epxica al vaco o
en una atmsfera inerte.

 https://www.youtube.com/watch?v=6AOdvdVnaI4

PROCESOS QUE PUEDEN INTERVENIR EN LA

FABRICACIN DE CIRCUITOS INTEGRADOS

Crecimiento epitaxial
Oxidacin en semiconductores
Implantacin inica
Difusin en estado slido
Deposicin en semiconductores
Litografa
Nanotecnologa
Mecnica