Universidade Federal de Itajub

Instituto de Engenharia de Sistemas e Tecnologias da Informao

Engenharia da Computao

ELT303 Eletrnica Analgica I

Transistores Bipolares
(Polarizao)

Prof. Paulo Csar Crepaldi

Prof. Leonardo B. Zoccal

Universidade Federal de Itajub

Instituto de Engenharia de Sistemas e Tecnologias da Informao
Engenharia da Computao

Ateno
O material constante destas notas de aula foi preparado com base na
bibliografia recomendada e destina-se a servir como um apoio ao
acompanhamento da disciplina.
Em alguns slides so utilizados recursos coletados da INTERNET e
considerados de domnio pblico.

Transistores Bipolares: Polarizao

O transistor pode operar como chave (quando na regio de saturao ou corte)
ou como um amplificador (quando na regio ativa). Para tanto, necessrio que
se estabelea um ponto de operao (ponto Q) para o dispositivo dentro da
regio de interesse.
Os circuitos que realizam esta funo so chamados de Circuitos de Polarizao
do transistor. Para as aplicaes como amplificador seria interessante que estes
circuitos produzissem um ponto de operao estvel, ou seja, que este ponto no
modificasse os seus valores de tenso e corrente mesmo que a temperatura
sofresse variaes ou que o transistor usado fosse trocado por outro igual.
O fato de trocar um transistor por outro do mesmo lote significa que os seus
parmetros podem sofrer disperses. Um dos parmetros mais importantes, o
DC, sofre variaes tpicas de 3:1, ou seja, o fabricante informa que o valor de
beta est entre 100 e 300, por exemplo. Alm disto o DC tambm varia com a
temperatura e com o nvel de corrente do coletor.
Com o transistor como chave tambm ser necessrio observar algumas
influncias externas para garantir a operao no corte ou na saturao.
3

Transistores Bipolares: Polarizao

Exemplo da disperso de DC
Nas folhas de dados o parmetro
DC pode aparecer listado como hFE.
Esta simbologia significa um
Ganho de Corrente Direto
(corrente de sada (IC) dividido por
uma corrente de entrada (IB)) na
Configurao Emissor Comum para
um determinado valor de VCE
constante.

Polarizao: Malhas de Entrada e de Sada

Analisar (e projetar) a polarizao do transistor bipolar (e mesmo de outros tipos de
transistores como o MOSFET) , essencialmente, avaliar as chamadas malhas de
entrada e de sada para estabelecer os nveis de tenso e correntes necessrios.
A malha de entrada tem como principal parmetro a varivel de controle do
dispositivo enquanto que a malha de sada resolvida para a varivel que foi
produzida em proporo varivel de controle. Normalmente, a configurao base
para os circuitos de polarizao em Emissor Comum.
4

Polarizao: Malhas de Entrada e de Sada (Circuito Bsico)

Sempre que for possvel, aconselhvel
reduzir o circuito de polarizao atravs do
teorema de Thvenin, por exemplo, e ento
proceder anlise e/ou projeto usando o
conceito das malhas de entrada e de sada.
As equaes resultantes podem ser
adaptadas posteriormente a qualquer
circuito de polarizao mais especfico.

VBB

Malha I
I B .RB VBE I E .RE

VBB I B .RB VBE I C I B .RE

VBB I B RB VBE DC I B I B RE
VBB I B RB VBE I B DC 1 RE
IB

VBB VBE
DC 1 RE RB

VCC

Malha II
I C .RC VCE I E .RE

VCC I C .RC VCE

IC
.RE
DC

VCC I C RC VCE I C RE
VCC VCE I C RC RE

IC

VCE
VCC

RC RE RC RE

Reflexo de Impedncias

A equao de IB na malha I mostra um fenmeno interessante. Como a corrente que

circula por RE IE, para modelar o efeito deste resistor no ramo da Base (onde
circula IB) necessrio multiplicar o seu valor por (DC + 1). Isto significa que
qualquer resistor (ou impedncia) no ramo do emissor pode ser transferido
para o ramo da Base multiplicando-se o seu valor por, aproximadamente, DC
(normalmente DC pelo menos 10 vezes maior que 1). Da mesma forma, um
resistor no ramo da Base pode ser transferido para o ramo do Emissor
dividindo-se o seu valor por DC. Alguns autores referem-se a estas transferncias
como sendo um fenmeno de reflexo de impedncias (ou resistncias).

Reta de Carga
Na malha II, tem-se a equao que determina Reta de Carga DC. Esta reta ser
traada nas curvas de sada (IC = f(VCE) e existem dois pontos que facilitam esta
tarefa. Se nesta equao for feito IC = 0, tem-se VCE = VCC. Este ponto de
cruzamento com o eixo das correntes chamado de Ponto de Corte, pois est
dentro da regio de corte do transistor. Se, por outro lado, for feito V CE = 0, tem-se
IC = VCC/(RC + RE). Este ponto de cruzamento com o eixo das tenses chamado de
Ponto de Saturao, pois est dentro da regio de saturao do transistor.
IC mA

Ponto de Saturao
VCC
IC
p/VCE 0
RC RE

O cruzamento da Reta de Carga com a

curva de IB (valor definido pela Malha I)
estabelece o Ponto de Operao (Q).

VCE V

Ponto de Corte
VCE VCC p/I C 0

Polarizao Fixa ou Polarizao da Base

VCC

Malha I
I B RB VBE RE 0
IB

VCC VBE
RB
VCC VBE

R
B

I C hFE I B hFE
Malha

VCC I C RC VCE
IC

II

RE 0

VCE VCC

RC
RC

A corrente de Coletor diretamente proporcional corrente de Base atravs de DC.

Isto significa que todas as variaes impostas pela disperso e pela temperatura
sobre este parmetro sero transferidas para I C e, por conseqncia, para VCE.. Este
circuito representa, na maioria das vezes, uma escolha no adequada para a
polarizao do transistor quando o objetivo a sua atuao como amplificador.
usado, entretanto, quando o transistor bipolar est atuando como chave. V CC tambm
atua como VBB.
8

Polarizao Estabilizada do Emissor ou Polarizao por

Realimentao do Emissor
Malha

VCC I B RB VBE I E RE

VCC I B RB VBE I B hFE 1 .RE

IB

VCC VBE
hFE 1 RE RB

VCC VBE

hFE 1 RE RB
V VBE
I C CC
R
RE B
hFE

I C hFE

Malha

A corrente de Coletor no depende diretamente de

DC. Analisando a equao para IC pode-se, em uma
primeira anlise, julgar que se RE >> RB/hFE o
circuito conseguiria minimizar de forma efetiva as
variaes impostas pela temperatura e pela
disperso. A tenso VCC tambm faz o papel de VBB.

II

VCC I C RC VCE I E RE
VCC I C RC VCE

IC
RE
DC

VCC I C RC VCE I C RE
VCC VCE I C RC RE

IC

VCE
VCC

RC RE RC RE
9

Polarizao Estabilizada do Emissor: Dependncia de hFE

IC

VCC VBE
R
RE B
hFE

Aumentar muito o valor de RE implica em diminuir a inclinao da reta

carga e tambm diminuir o valor de IB. Assim o ponto Q deslocado
para a regio de saturao.
Outra soluo seria diminuir o valor de RB o que no mexeria na
inclinao da reta de carga DC. Isto provocaria um aumento de I B e
acabaria levando o ponto Q em direo a regio de saturao.

Aumentando RE
Ponto Q Saturao

Diminuindo RB
Ponto Q Saturao

10

Polarizao Estabilizada do Emissor: Projeto

VCEQ 0,5VCC
VE 0,1VCC

VRC 0,4VCC

I EQ I CQ RE

VE
I CQ

RC 4RE
I BQ

I CQ
hFE(typ)

VB VE 0,7V RB

VCC VB
I BQ

A partir da folha de dados, possvel extrair um

ponto de polarizao recomendado pelo
fabricante.
Em uma primeira aproximao, posicionar o
ponto quiescente no centro da reta de carga
significa que VCE representa 50% da tenso de
alimentao VCC.
Os outros 50% sero divididos entre RE e RC.
Como RC determinante para o ganho de alguns
amplificadores, recomenda-se que ele tenha um
valor mais elevado ficando, assim, com 40% da
tenso de alimentao.
O hFE a ser usado o valor tpico (valor mais
provvel em uma distribuio estatstica). Caso
no seja fornecido, uma boa aproximao tomar
a mdia geomtrica entre os valores mnimo e
mximo.
Calcular todos os resistores e somente depois
adotar os valores comerciais mais adequados.
11

Polarizao Estabilizada do Emissor: Exemplo

Projetar um circuito de polarizao
estvel do emissor para o
transistor BC548A.
Ponto Q sugerido:
(VCE=5V, IC=2mA) @ T=250C.
VCEQ 0,5VCC VCC 10V
VE 1V

VRC 4V

I EQ I CQ RE

VE
1V

500
I CQ 2mA

RC 4RE 2K
I BQ

I CQ
hFE(typ)

VB VE 0,7V RB

2mA
11,1 A
180

VCC VB 10V 1V 0,7V

747K
I BQ
11,1 A

Valores comerciais(5%): RE=510, RC=2K e RB=750K.

12

Polarizao Estabilizada do Emissor: Exemplo

Pela simulao, tem-se:
hFE

I CQ
I BQ

2,178mA
200
10,93 A

VCEQ 4,5V
ICQ 2,18mA
IBQ11A

Observar que os valores das correntes, tenses e

potncia esto abaixo das especificaes limites do
transistor.
Para os resistores, uma especificao de potncia de
1/8W suficiente.

Estabilidade da Polarizao (Anlise da Sensibilidade):

Uma anlise mais detalhada (e mesmo uma ferramenta de projeto) a Anlise da Sensibilidade. Nesta
anlise, a corrente de Coletor equacionada como uma funo de vrias variveis e calcula-se o seu
diferencial total. O projetista pode, ento, de acordo com este resultado, buscar meios de minimizar as
variveis que esto causando os maiores desvios em relao ao valor esperado.

I C f(VCC , I CBO , VBE , hFE ...)

dI C

VCC
I
V
h
dVCC CBO dI CBO BE dVBE FE hFE ...
I C
I C
I C
I C

13

Polarizao por Realimentao do Coletor

Malha

VCC I E RC I B RB VBE
VCC VBE I B RB I E RC

VCC VBE I B RB hFE 1 RC

IB

VCC VBE
hFE 1 RC RB

VCC VBE

hFE 1 RC RB
V VBE
I C CC
R
RC B
hFE

I C hFE

Neste circuito, a tenso VBB dada por VCC-IERC. A

corrente de coletor fica menos dependente do parmetro
DC. Contudo so vlidas as mesmas observaes quanto a
relao entre RC e RB/hFE, ou seja, no se consegue
maximizar a diferena entre eles sem saturar o transistor.
Uma vantagem deste circuito a simplicidade.

Malha II
VCC I E RC VCE
VCC

IC
RC VCE
DC

VCC I C RC VCE
IC

VCE VCC

RC RC
14

Polarizao por Realimentao do Coletor: Projeto

VCEQ 0,5VCC
VRC 0,5VCC

Novamente, tem-se o
ponto de operao
centrado na reta de
carga DC.

I EQ I CQ RC
I BQ

VRC
I CQ

I CQ
hFE(typ)

VB VBE 0,7V RB

VCEQ VB
I BQ

Polarizao por Realimentao do Coletor: Exemplo

Projetar um circuito de polarizao
estvel do emissor para o transistor
BC548A. O ponto Q permanece:
(VCE=5V, IC=2mA) @ T=250C.
Valores comerciais (5%):
RC=2K4 e RB=390K

VCEQ VRC 0,5VCC VCC 10V

RC
I BQ
RB

VRC
5V

2500
I CQ 2mA
I CQ
hFE(typ)

VCEQ VB
I BQ

2mA
11 A
180

5V 0,7V
390K
11 A

15

Polarizao Estabilizada do Emissor: Exemplo

Pela simulao, tem-se:
2.144mA

11.03mW

hFE

RC
2.4K

44.60uW
RB

4.854V

390K
10.69uA

Q1
BC548A

683.6mV

10.36mW

I CQ
I BQ

2,144mA
200
10,69 A

VCEQ 4,85V
ICQ 2,14mA
IBQ10,7A

VCC
10V

Os valores das correntes, tenses e potncia esto

abaixo das especificaes limites do transistor.
Para os resistores, uma especificao de potncia de
1/8W suficiente.

Escolha do Circuito de Polarizao e Simulao Eltrica:

O circuito de polarizao deve ser escolhido de acordo com a aplicao. Existem aplicaes que requerem
circuitos com altos graus de estabilidade outras nem tanto. No se deve usar sempre as melhores solues do
ponto de vista da estabilidade da polarizao, pois poderia inviabilizar economicamente o projeto.
Com o advento dos simuladores eltricos a tarefa de projetar circuitos, de um modo geral, ficou mais facilitada.
Porm, no se deve esquecer, nunca, que o projetista quem detm o sentimento do circuito. O software
apenas realiza contas e o hardware apenas acelera todo o processo.
16

Polarizao Universal ou por Divisor de Tenso

O primeiro passo para analisar este circuito
de polarizao visualizar a aplicao do
teorema de Thvenin entre os pontos A e B.
A partir da fonte VCC tem-se um divisor
resistivo e a tenso equivalente VTH ser a
tenso sobre o resistor R2. A resistncia
equivalente ser o paralelo entre R1 e R2.

VTH

VCC R2
R1 R2

RTH R1 //R 2

R1 R2
R1 R2
17

Polarizao Universal ou por Divisor de Tenso

Malha

VTH I B RTH VBE I E RE

VCC VBE I B RTH I E .RE

VTH VBE I B RTH hFE 1 RE

IB

VTH VBE
hFE 1 RE RTH

VTH VBE

hFE . 1 RE RTH
V VBE
I C TH
R
RE TH
hFE

I C hFE

Malha II

Para este circuito possvel uma soluo que faz

com que a corrente de coletos se torne muito pouco
sensvel em relao ao parmetro hFE. Para tanto
basta fazer RTH/hFE muito menor que RE.
Resta avaliar o quanto menor.

VCC I E RE VCE I C RC
VCC

IC
RE VCE I C RC
DC

VCC I C RC RE VCE
IC

VCE
VCC

RC RE RC RE
18

Polarizao Universal: Polarizaes Firme e Rgida

Diminuir o valor de RTH representa uma soluo vivel, pois diferentemente dos
outros casos, RTH o paralelo entre dois resistores e, ao mesmo tempo possvel
modificar o valor de VTH para manter IB constante.
Assim, esta configurao de polarizao revela-se uma das mais eficientes tanto que
chamada, em algumas literaturas, de Polarizao Independente de Beta.
Os limites de diminuio de RTH em face de RE so classificados como:
Polarizao Firme As variaes no entorno do ponto de operao ficam restritas
a um percentual de erro de aproximadamente 10%;
Polarizao Rgida As variaes no entorno do ponto de operao ficam restritas
a um percentual de erro de aproximadamente 1%.
RTH
hFE(MIN)

0,1RE

RTH 0,1RE hFE(MIN)

Polarizao Universal: Firme

RTH
hFE(MIN)

0,01RE

RTH 0,01RE hFE(MIN)

Polarizao Universal: Rgida

Para garantir os percentuais de erro de 10% e 1% aconselha-se o uso do h FE(MIN). Em

termos de projeto usar a condio de igualdade nas relaes acima para no induzir
o uso de resistores muito pequenos.
19

Polarizao Universal: Anlise Aproximada

Se o circuito de polarizao foi projetado
segundo o critrio rgido ou firme,
possvel analis-lo de uma forma
aproximada. Diminuir o valor de RTH/hFE
relativamente RE significa dizer que a
queda de tenso sobre o resistor RTH
muito menor (10 vezes ou 100 vezes) que
a queda de tenso sobre RE. Assim, a
tenso VTH aparece praticamente em sua
totalidade aplicada ao terminal da Base.

I E IC

VTH VBE
RE

O uso da polarizao rgida implica em menores valores para os resistores R 1 e R2.

Isto pode ser uma desvantagem se existir uma condio de contorno na aplicao que
limita o consumo de potncia. As polarizaes firme e rgida representam limites
inferiores e, na prtica, o projetista pode optar outras solues que estabeleam
relaes acima de 10% de porcentagem de erro. Contudo, deve-se ter em mente que a
estabilidade da corrente de coletor a grande vantagem desta topologia de
polarizao. O preo a ser pago est na maior quantidade de resistores.
20

Polarizao Universal: Projeto

VCEQ 0,5VCC

Ponto de
operao
centrado na reta
de carga DC e as
mesmas
consideraes de
distribuio das
tenses.

VE 0,1VCC

VRC 0,4VCC

I EQ I CQ RE

VE
RC 4RE
I CQ

VB VTH VE 0,7V
RTH

VCC R2
R1 R2

R1 R2
0,1RE hFE(MIN)
R1 R2
ou

RTH

R1 R2
0,01RE hFE(MIN)
R1 R2

Polarizao Universal: Exemplo

Projetar um circuito de polarizao firme para transistor BC548. Em seguida reprojetar para a polarizao rgida e comparar os resultados. Observar que este reprojeto muito simples, uma vez que basta dividir os resistores R 1 e R2 calculados
para a polarizao firme por 10.
Relembrando: (VCE=5V, IC=2mA) @ T=250C e hFE(MIN)=110
21

Polarizao Universal: Projeto

VCEQ 5V 0,5VCC VCC 10V
RE

VE
1V

500 RC 4RE 2000

I CQ 2mA

VB VTH VE 0,7V
RTH

VCC R2
10VR2
R2

1,7V
0,17
R1 R2
R1 R2
R1 R2

R1 R2
0,1RE hFE(MIN) 0,1.500.11 0 5500
R1 R2

Valores comerciais (5%):

RE=510, RC=2K,
R1=33K e R2=6K8

0,17R1 5500 R1 32352

R2 0,17 32352 R2 5500 R2

R2 1 0,17 5500 R2 6627

Observar:
a maior dissipao de
potncia na polarizao
rgida e a sua maior
preciso do ponto Q

Firme: ICQ1,9mA, VCEQ5,2V

Rgida: ICQ2mA, VCEQ5V

22

Circuitos de Polarizao: Transistores PNP

At ento os circuitos de polarizao forma desenvolvidos para transistores NPN. Os
circuitos de polarizao para transistores PNP so exatamente os mesmos mudando
apenas os sentidos das correntes e das tenses.
Contudo, para facilitar a anlise e o projeto destes circuitos, existe uma conveno
de desenho chamada de cabea para baixo. Observar a ilustrao a seguir:
No existe a necessidade de
fontes negativas para polarizar
transistores PNP. Tudo uma
questo do ponto de referncia
das tenses.
Uma dica importante para o
projeto e: Faa todo o projeto
como se o transistor fosse NPN,
porm na hora de desenhar use
esta conveno.
Polarizao por Realimentao de Coletor para um
Transistor PNP e a Conveno de Cabea para Baixo
23

Circuitos de Polarizao: Transistores PNP (Exemplo)

Refazer o projeto proposto no Slide 14, porm utilizando o transistor PNP BC557A.

Observar que o fabricante optou por indicar as

tenses e correntes acrescentando um sinal menos.
Este transistor apresenta os mesmos valores limites
que o BC548 e tem as caractersticas eltricas muito
semelhantes.
O fato do hFE(typ) mudar de 180 para 170, neste
caso, tem um impacto muito pequeno nos clculos e
sero adotados os mesmos valores de resistores.

24

Circuitos de Polarizao: Transistores PNP (Exemplo)

Pela simulao, tem-se:
hFE

I CQ
I BQ

2,006mA

176
11,35 1

VCEQ 5,15V
ICQ 2,00mA
IBQ11,35A

Ateno: As tenses dos terminais (E, B e C) em

relao referncia (terra) podem estar diferentes em
comparao com o projeto utilizando transistor NPN.
Contudo as tenses entre terminais (V BE e VCE
principalmente) devero estar com valores prximos.

Outros Circuitos de Polarizao:

Existem outros circuitos de polarizao que combinam, por exemplo, os circuitos aqui descritos (Polarizao
por Realimentao do Coletor com Resistor no Emissor) e mesmo circuitos mais complexos que levam a
estabilidades maiores. No escopo desta disciplina apresentar todos estes circuitos mas, sim, fornecer aos
leitores um embasamento terico que os possibilitem a analis-los e projet-los com as adaptaes que se
fizerem necessrias.
Em circuitos integrados os procedimentos de polarizao de transistores bipolares e MOSFETs muito
diferente dos apresentados aqui pois requerem uma economia de rea de silcio que os resistores no
conseguem minimizar. Estas tcnicas de polarizao sero abordadas em outras disciplinas do curso.
25

Transistor Operando como Chave

Os transistores quando operando como chaves (corte e saturao) representam a
base dos chamados circuitos de chaveamento que constituem as aplicaes
digitais. Existem transistores especiais (chamados de transistores de
chaveamento) que apresentam uma velocidade de operao (transio entre as
regies de corte e saturao) mais elevada.
Para a aplicao em chaveamento a polarizao da base utilizada.

Em diagramas esquemticos, uma forma alternativa de representar a tenso de

alimentao (VCC) como a ilustrada acima. Fica subentendido a existncia de um
potencia DC positivo, no caso, em relao referncia (terra). Este potencial pode ser
advindo de uma bateria ou de uma fonte de alimentao.

26

Transistor Operando como Chave: Funo de Transferncia

Existem duas situaes a serem avaliadas:
Quando o sinal de entrada zero (nvel lgico zero), no possvel polarizar a juno BaseEmissor. Isto representa uma corrente de Base tambm igual a zero. Como I C = .IB, tem-se IC
= 0. Assim, a queda de tenso no resistor RC zero o que significa que a tenso de sada vO
ser igual a VCC. Est se desprezando a corrente ICEO (na realidade IC no exatamente zero
mas sim igual a ICEO) que tem um valor na ordem de A.
Quando o sinal de entrada igual a VCC (nvel lgico um), o circuito deve garantir que se
estabelea uma corrente de Base grande o suficiente para saturar o transistor. A tenso de
sada vO ser igual a zero. Nesta situao est se desprezando o valor real de VCE(SAT)
(normalmente algumas dezenas a algumas centenas de mV).

Tem-se o comportamento de
um inversor lgico.
Observar que a transio
comea a ocorrer quando
VBE se aproxima de 600 a
700mV.

Funo de Transferncia

27

Transistor Operando como Chave: Temporizao

O chaveamento entre as condies de corte e saturao do transistor possui tempos
finitos devido a presena das capacitncias das junes Base-Emissor e BaseColetor. Lembrar que para ligar uma juno (passar do corte saturao - t ON)
mais rpido do que deslig-la (passar da saturao ao corte - t OFF ). Estes tempos
so contabilizados tomando-se por base 10% e 90% do valor final da corrente I C
IC
6.0mA

toff

ton

90%
4.0mA

2.0mA

10%
0A

t
0s

100ns

200ns

300ns

O comando para ligar

a chave foi dado em
100nS e o comando
para desligar em
160nS. Os tempos tON
e tOFF, para transistores
de chaveamento est
na ordem de dezenas a
centenas de nS.

400ns

Temporizao de um Transistor Operando como Chave

28

Transistor Operando como Chave: Projeto

O ponto principal do projeto da polarizao para o
transistor atura como chave a condio de garantia da
saturao. Uma forma de ter certeza que o transistor
est saturado fazer a relao entre as correntes de
coletor e base muito inferior ao valor de hFE. Adota-se
esta relao como sendo =10.

I C( SAT)

VCC VCE ( SAT )

RC

VCC VBE( SAT)

RB

hFE I B( SAT)

I B( SAT)

I C( SAT)
hFE( MIN)

p/ garantir saturao:
I B( SAT)

I C( SAT)
10

hFE( MIN) 10

Projetar um circuito de acionamento para o rele (12V) cujas caractersticas so

apresentadas a seguir. O transistor a ser usado o BC548 e suas caractersticas ON
tambm esto listadas na seqncia. A tenso de acionamento de 5V.
Contatos da
bobina

Contatos de potncia

29

Transistor Operando como Chave: Projeto

Para a corrente nominal da
bobina do rele de
aproximadamente 15mA
(14,2mA) tem-se, pelas curvas
do BC548, que:
VBE(SAT) 720mV
VCE(SAT) 40mV
Qual a funo do diodo?

ICQ=15mA

Acionamento do Rele com BC548

30

Transistor Operando como Chave: Projeto

I C(SAT)MAX
I C(SAT)MIN

VCC VCE(SAT)
RC(MIN)
VCC VCE(SAT)
RC(MAX)
5V VBE(SAT)
RB

12V 0,04V
15,67mA
848 10%

12V 0,04V
12,82mA
848 10%

I B(SAT)

5V 0,72V 15,67mA

e
RBMIN
10

I C(SAT)
10

5V 0,72V 12,82mA

RBMAX
10

RBMIN 2731; RBMAX 3338

Valor comercial para RB: 3K35%

Os rels so dispositivos comutadores

eletromecnicos. Nas proximidades de um
eletrom instalada uma armadura mvel
que tem por finalidade abrir ou fechar um
jogo de contatos. Quando a bobina
percorrida por uma corrente eltrica
criado um campo magntico que atua sobre
a armadura, atraindo-a. Nesta atrao
ocorre um movimento que ativa os
contatos, os quais podem ser abertos,
fechados ou comutados, dependendo de
sua posio (adendo 1).

The reed switches comprise two ferromagnetic reeds placed with a gap in between and
hermetically sealed in a glass tube. The glass tube is filled with inert gas to prevent the
activation of the contacts. The surfaces of the reed contacts are plated with rhodium or
iridium. The reed switch is operated by the magnetic field of an energized coil or a permanent
magnet which induces north (N) and south (S) poles on the reeds. The reed contacts are closed
by this magnetic attractive force. When the magnetic field is removed, the reed elasticity
causes the contacts to open the circuit (adendo 2)
31

Exemplos de Circuitos com BJTs: Avaliar as Polarizaes

Espelho de
Corrente
Adendo 3

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Exemplos de Circuitos: Avaliar as Polarizaes

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Adendo 1: Rels

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Adendo 2: Reed Switches

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Adendo 3: Espelho de Corrente Bsico

Uma tcnica de polarizao, muito usada em circuitos integrados,
o espelhamento de corrente. Neste circuito, o transistor Q1 forma
uma conexo diodo (diode-conected BJT) de tal forma que:
I REF

VCC VBE(Q1)
R

Existem, entretanto, outras tcnicas mais sofisticadas que

produzem uma corrente de referncia (IREF) de tal modo que ela
seja independente das variaes da tenso de alimentao e da
temperatura.
Equacionando-se o circuito, considerando que as caractersticas
eltricas dos transistores so semelhantes, tem-se:
I REF

IC
IC 1

2IC

Como os VBEs de Q1 e Q2 so iguais:

I REF
2

I O I C I REF

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se 2
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