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Transistores

UNIVERSIDAD DEL VALLE DE MXICO


Campus Villahermosa

Materia: ELECTRNICA
Profesor: Lic. Ernesto Mora Romero
Ing. En Energa y Desarrollo Sustentable
4to. Semestre
Integrantes:
Briseo Flores Elyasib Abiam(160023660)
Fecha:17/04/2015

Introduccin
En esta tarea de investigacin trataremos lo
relacionado con los transistores, desde sus
antecedentes, Qu es?, y Cmo esta
fabricado?, algunos tipos de transistores, su
funcionamiento,
para
parmetros
y
caractersticas, entre otros aspectos.

Objetivos.
Conocer las principales cualidades y
caractersticas principales de los transistores.
Comprender su fabricacin y funcionamiento
bsico.
Conocer los tipos de diodos.

Antecedentes.
En el ao 1956 el premio Nobel de fsica fue compartido por
tres grandes cientficos: William Bradford Shockley, John
Bardeen y Walter Houser Brattain por el que es considerado
como el mayor desarrollo tecnolgico del siglo XX: el
transistor. La historia de cmo se inici la carrera por la
miniaturizacin de los dispositivos tecnolgicos que an no
ha terminado en nuestros das me parece fascinante. Llena de
brillantez, peleas y afn de superacin.

Qu es un transistor?
Dispositivo semiconductor que permite el control y la regulacin de una
corriente grande mediante una seal muy pequea. Existe una gran
variedad de transistores. En principio, se explicarn los bipolares. Los
smbolos que corresponden a este tipo de transistor son los siguientes:

Un circuito con un transistor NPN se puede adaptar a PNP. El nombre


de estos hace referencia a su construccin como semiconductor.

Tipos de Transistores.
Transistor de contacto puntual
Primer transistor, consta de una base de germanio semiconductor, sobre la que se
apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector.
La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector.
Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda
desplazar las puntas) y ruidoso, en la actualidad ha desaparecido.

Transistor de unin bipolar.


El transistor de unin, se fabrica bsicamente sobre un monocristal de Germanio o
Silicio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores
como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se
contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo,
NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores
(cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio
(In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P).
La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la
letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al
emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen
diferente contaminacin (impurezas adicionadas intencionalmente) entre ellas (por lo
general, el emisor est mucho ms contaminado que el colector).

Transistor de unin bipolar.


El transistor de unin, se fabrica bsicamente sobre un monocristal de Germanio o
Silicio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores
como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se
contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo,
NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores
(cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio
(In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P).
La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la
letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al
emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen
diferente contaminacin (impurezas adicionadas intencionalmente) entre ellas (por lo
general, el emisor est mucho ms contaminado que el colector).

Transistor de unin bipolar.


El transistor de unin, se fabrica bsicamente sobre un monocristal de Germanio o
Silicio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores
como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se
contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo,
NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores
(cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio
(In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P).
La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la
letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al
emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen
diferente contaminacin (impurezas adicionadas intencionalmente) entre ellas (por lo
general, el emisor est mucho ms contaminado que el colector).

Transistor de efecto de campo


El transistor de efecto campo es una familia de transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la
conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse
como resistencias controladas por diferencia de potencial.
La mayora de los FET estn hechos usando las tcnicas de procesado de semiconductores habituales, empleando la
oblea monocristalina semiconductora como la regin activa o canal.
Los transistores de efecto de campo ms conocidos son los JFET, MOSFET y MISFET.
Fototransistor
Sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incide sobre la regin de base, generando portadores en ella.
Esta carga de base lleva el transistor al estado de conduccin. El fototransistor es ms sensible que el fotodiodo por
el efecto de ganancia propio del transistor.
Un fototransistor es igual a un transistor comn, con la diferencia que el primero puede trabajar de 2 formas:
1.- Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo comn).
2.- Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. Ip (modo
de iluminacin).
Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas, lpices pticos, etc. Para comunicaciones con fibra
ptica se prefiere usar detectores con fotodiodos p-i-n. Tambin se pueden utilizar en la deteccin de objetos
cercanos cuando forman parte de un sensor de proximidad.
Se utilizan ampliamente encapsulados conjuntamente con un LED, formando interruptores pticos (opto-switch),
que detectan la interrupcin del haz de luz por un objeto. Existen en dos versiones: de transmisin y de reflexin.

Disipadores de calor
Un disipador es un componente metlico generalmente de
aluminio que se utilizan para evitar que los transistores
bipolares se calienten y se daen.
Por ello una manera de aumentar la potencia de un transistor
es deshacerse del calor interno del encapsulado.

Transistor de potencia
Son similares a los transistores comunes, con la diferencia
que soportan altas tensiones e intensidades que soportan,
pero debido a ello tambin tienen que disipar altas potencias
y su recalentamiento es prolongado; para evitar el sobre
recalentamiento se usa los disipadores.
Tipos de transistores de potencia:
- Bipolar.
- Unipolar o Transistor de Efecto de Campo.
- IGBT (Transistor bipolar de puerta aislada).

Cmo funcionan?
1. FUNCIONAMIENTO BASICO
Cuando el interruptor SW1 est abierto no circula intensidad por la Base del transistor por lo que la
lmpara no se encender, ya que, toda la tensin se encuentra entre Colector y Emisor. (Figura 1).

Cuando se cierra el interruptor SW1, una intensidad muy pequea circular por la Base. As el transistor
disminuir su resistencia entre Colector y Emisor por lo que pasar una intensidad muy grande,
haciendo que se encienda la lmpara. (Figura 2).
En general: IE < IC < IB ; IE = IB + IC ; VCE = VCB + VBE

2. POLARIZACIN DE UN TRANSISTOR
Una polarizacin correcta permite el funcionamiento de este
componente. No es lo mismo polarizar un transistor NPN que PNP.

Generalmente podemos decir que la unin base - emisor se polariza


directamente y la unin base - colector inversamente.

3. ZONAS DE TRABAJO
CORTE.- No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector
y Emisor tambin es nula.La tensin entre Colector y Emisor es la de la batera.
El transistor, entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto.

IB = IC = IE = 0; VCE = Vbat
SATURACION.- Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un
incremento de la corriente de colector considerable. En este caso el transistor
entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor cerrado. De esta
forma, se puede decir que la tensin de la batera se encuentra en la carga
conectada en el Colector.
ACTIVA.- Acta como amplificador. Puede dejar pasar ms o menos corriente.
Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturacin se dice que trabaja en
conmutacin. En definitiva, como si fuera un interruptor.

La ganancia de corriente es un parmetro tambin importante para los transistores ya que relaciona la
variacin que sufre la corriente de colector para una variacin de la corriente de base. Los fabricantes suelen
especificarlo en sus hojas de caractersticas, tambin aparece con la denominacin h FE. Se expresa de la
siguiente manera:
= IC / I B
En resumen:

Los encapsulados en los transistores dependen de la funcin que realicen y la potencia que disipen, as nos
encontramos con que los transistores de pequea seal tienen un encapsulado de plstico, normalmente son
los ms pequeos ( TO- 18, TO-39, TO-92, TO-226 ... ); los de mediana potencia, son algo mayores y tienen
en la parte trasera una chapa metlica que sirve para evacuar el calor disipado convenientemente refrigerado
mediante radiador (TO-220, TO-218, TO-247...) ; los de gran potencia, son los que poseen una mayor
dimensin siendo el encapsulado enteramente metlico . Esto, favorece, en gran medida, la evacuacin del
calor a travs del mismo y un radiador (TO-3, TO-66, TO-123, TO-213...).

Parmetros caractersticos del transistor


Parmetro
El parmetro de un transistor indica la relacin de semejanza que se produce
en la corriente de colector y las variaciones de las corrientes del emisor.

As por ejejmplo, en el caso de que en un transistor se haya medido una


variacin de la corriente de colector de 7.92 mA, entre dos puntos de
funcionamiento, y una variacion de 8 mA en la corriente de emisor,
tendremos que:

Dado que la corriente de base, suele ser muy pequea, en la mayor parte de los
transistores el valor del parmetro se acerca a la unidad.

Ganancia de corriente o parmetro de un transistor


La circunstancia de que una pequea corriente de base controle las corrientes de
emisor y colector mucho ms elevadas, indica la capacidad que posee un transistor
para conseguir una ganancia de corriente. As, la ganancia de corriente de un
transistor es la relacin que existe entre la variacin o incremento de la corriente de
colector y la variacin de la corriente base.

As, por ejemplo, en el caso de que en un transistor se obtenga una variacin de


corriente de colector de 8 mA y de 0.08 mA en la corriente de base, la ganancia ser:

La ganancia de corriente de los transistores comerciales vara bastante de unos a


otros. As, nos podemos encontrar transistores de potencia que poseen una de tan
slo 20. Por otro lado, los transistores de pequea seal pueden llegar a tener una
de 400. Por todo ello, se pueden considerar qe los valores normales de este
parmetro se encuentran entre 50 y 300.

Relacin entre los parmetros y


Combinando las expresiones de los parmetros anteriores: =
IC/IE y = IC/IB y teniendo en cuenta la relacin existente entre
las diferentes corrientes que se dan en el transistor IE = IC+IB, se
pueden encontrar las expresiones matemticas que relacionen
ambos parmetros, tal como se indica a continuacin.

As, por ejemplo, para determinar el parmetro de un


transistor que tuviese una ganancia de corriente de 150,
operaramos as:

Tensin de ruptura.
Al igual que ocurra con los diodos, cuando se
polariza inversamente cualquiera de las uniones
de un transistor aparecen pequeas corrientes
inversas, que no provocarn la ruptura de dichas
uniones si la tensin que se aplica no supera los
valores mximos fijados en las hojas de
especificaciones tcnicas.

1. Tensin inversa colector-base (VCBO) con el emisor abierto


En este caso, la unin formada por la base y el colector estn polarizadas inversamente con
la tensin VCB. Como ocurra con los diodos, esto provoca la circulacin de una pequea
corriente de fuga (ICBO) que no ser peligrosa hasta que no se alcance la tensin de ruptura de
la unin. Normalmente esta tensin suele ser elevada (del orden de 20 a 300 V).
Nunca deber trabajarse, por supuesto, con una tensin superior a la indicada por el
fabricante en sus hojas tcnicas. Este dato suele aparecer indicado con las siglas V CBO.

2. Tensin inversa colector-emisor con la base abierta


En este otro caso, se ha abierto la base, por tanto, se aplica una tensin entre el colector y
el emisor que es igual a la suma de las tensiones de las fuentes de emisor a colector. Esta
fuerte diferencua de potencial provoca un pequeo flujo de electrones que emite el emisor
y que se sienten fuertemente atrados por el potencial positivo de la fuente. El resultado es
una pequea corriente de fuga de emisor a colector I CEO. Al igual que ocurra
anteriormente, el valor de esta corriente est determinado por la tensin colector-base
(VCEO) aplicada. En las hojas tcnicas tambin aparece la tensin mxima de
funcionamiento (VCEO) que en ningn caso debe ser superada, para evitar el peligro de
destruccin del semiconductor.
As, por ejemplo, para el transistor BC 108, en las hojas de especificaciones tcnicas
aparecen los siguientes valores para las tensiones de ruptura: V CBO = 30V y VCEO = 20V, lo
que significa que este transistor nunca deber operar con tensiones superiores a estos
valores especificados.

Resistencia de entrada
Se podra decir que la resistencia de entrada de
un transistor es la que presenta ste, visto
desde los bornes de entrada.
Al observar la caracterstica de transferencia
del transistor, representada en la figura de
abajo, se puede ver que la intensidad de base
aumenta con la tensin base-emisor.
Pues bien, a la relacin existente entre las
variaciones de tensin base-emisor y las de la
corriente de base, que se corresponden con la
tensin y la corriente de entrada, se la
denomina resistencia de entrada, es decir:

Para realizar el clculo de la resistencia de


entrada nos valdremos de la curva
caracterstica de transferencia.

Perspectivas a Futuro.
Computadoras qunticas.
En 1965, el presidente emrito y cofundador de Intel, Gordon E. Moore- idelogo de la ley-,
se da cuenta de que el nmero de transistores que contiene un microchip se duplica aprox.
Cada ao pero, esta progresin no es infinita.
La miniaturizacin de circuitos tiene un limite ya que el reducir tanto su tamao hace que
produzcan demasiado calor. Por otra parte, a la escala nanomtrica entran las leyes de la
fsica quntica al juego, en la que los electrones se comportan de una manera probabilstica.
Algunos Fsicos en 1982 empez a gestarse una idea que pareca descabellada: construir una
computadora quntica, una maquina capaz de aprovecharse de las particulares leyes fsicas
del mundo subatmico para procesar a gran velocidad ingentes cantidades de datos y, en
definitiva, hacer que las supercomputadoras actuales parezcan simples bacos.
A diferencia de las computadoras personales que han sido diseadas para que trabajen con
informacin en forma de bits una computadora bsica usa bits qunticos o qubits, capaces
de registrar unos y ceros a la vez. Esto lo logran gracias a la una de las premisas
fundamentales de la mecnica quntica: la sobreposicion, que indica que a escalas nfimas
un nico objeto puede tener al mismo tiempo dos propiedades distintas o pueda estar en dos
sitios a la vez. De esta forma la velocidad d calculo aumenta enormemente.

Conclusin.
En cuanto lo expuesto vemos que los transistores se
encuentran en la gran mayora de productos electrnicos
como: Smartphone, Celulares, Laptop, Tablets, etc.
Por ende su uso es indispensable en todo tipo de aparatos
electrnicos, debido a su variedad en tipo como lo son los
transistores bipolares.
Por lo dicho, llegamos a la conclusin de que los transistores
en su uso actual son indispensables para la elaboracin de
aparatos de tecnologa que requieren algn tipo de
transferencia, la cual lo ofrece un transistor.