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DIODOS DE POTENCIA

VERA BARCES, Yonathan A.

DEFINICION
Uno de los dispositivos ms importantes de los
circuitos de potencia son los diodos, aunque
tienen, entre otras, las siguientes limitaciones:
son dispositivos unidireccionales, no pudiendo
circular la corriente en sentido contrario al de
conduccin. El nico procedimiento de control es
invertir el voltaje entre nodo y ctodo.

DEFINICION
Los diodos de potencia se caracterizan porque en
estado de conduccin, deben ser capaces de
soportar una alta intensidad con una pequea
cada de tensin. En sentido inverso, deben ser
capaces de soportar una fuerte tensin negativa
de nodo con una pequea intensidad de fugas.

CURVA CARACTERISTICA
El diodo responde a la
siguiente ecuacin:

: Factor de idealidad (1 2)
: Voltaje trmico

: Constante de Boltzman =
: Temperatura absoluta en K
: Carga del electrn = C

: Corriente de saturacin
inversa
:Voltaje de polarizacin
directa

TIPOS DE DIODOS DE
POTENCIA
DIODOS RECTIFICADORES PARA BAJA FRECUENCIA
Caractersticas
IFAV: 1A 6000 A
VRRM: 400 3600 V
VFmax: 1,2V (a IFAVmax)
trr: 10 s
Aplicaciones
Rectificadores de Red.
Baja frecuencia (50Hz).

TIPOS DE DIODOS DE
POTENCIA

TIPOS DE DIODOS DE
POTENCIA
DIODOS RAPIDOS(FAST) Y ULTRARAPIDOS (ULTRA FAST)
Caractersticas
IFAV: 30A 200 A
VRRM: 400 1500 V
VFmax: 1,2V (a IFAVmax)
trr: 0,1 - 10 s
Aplicaciones
Conmutacin a alta frecuencia (>20kHz).
Inversores.
UPS.
Accionamiento de motores CA.

TIPOS DE DIODOS DE
POTENCIA
DIODOS SCHOTKKY
Caractersticas
IFAV: 1A 120 A
VRRM: 15 150 V
VFmax: 0,7V (a IFAVmax)
trr: 5 ns
Aplicaciones
Fuentes conmutadas.
Convertidores.
Diodos de libre circulacin.
Cargadores de bateras.

TIPOS DE DIODOS DE
POTENCIA
DIODOS PARA APLICACIONES ESPECIALES(ALTA
TENSION)

Caractersticas
IFAV: 0,45A 2 A
VR: 7,5kV 18kV
VRRM: 20V 100V
trr: 150 ns
Aplicaciones
Aplicaciones de alta tensin.

TIPOS DE DIODOS DE
POTENCIA
DIODOS PARA APLICACIONES ESPECIALES(ALTA
CORRIENTE)

Caractersticas
IFAV: 50A 7000 A
VRRM: 400V 2500V
VF: 2V
trr:10 s
Aplicaciones
Aplicaciones de alta corriente.

CARACTERISTICAS DEL DIODO

Caractersticas estticas:

Parmetros en bloqueo (polarizacin inversa).


Parmetros en conduccin.
Modelo esttico.

Caractersticas dinmicas:
Tiempo de recuperacin inverso (t rr).
Influencia del trren la conmutacin.
Tiempo de recuperacin directo.

Potencias:
Potencia
Potencia
Potencia
Potencia

mxima disipable.
media disipada.
inversa de pico repetitivo.
inversa de pico no repetitivo.

Caractersticas trmicas.
Proteccin contra sobreintensidades.

CARACTERISTICAS ESTATICAS
PARAMETROS EN BLOQUEO

Tensin
Tensin
Tensin
Tensin

inversa de trabajo (VRWM):


inversa de pico repetitivo (VRRM):
inversa de pico nico (VRSM):
de ruptura (VR)

CARACTERISTICAS ESTATICAS
PARAMETROS EN ESTADO DE CONDUCCION
Intensidad media nominal (IFAV):
Intensidad de pico repetitivo (IFRM):
Intensidad de pico nico (IFSM):

CARACTERISTICAS ESTATICAS
MODELO ESTATICO
Estos modelos facilitan los clculos a realizar,
para lo cual debemos escoger el modelo
adecuado segn el nivel de precisin que
necesitemos.

CARACTERISTICAS ESTATICAS
MODELO ESTATICO
a) Modelo Ideal
b) Diodo ideal en serie con fuente de tensin.
c) Diodo ideal en serie con fuente de tensin y con
la resistencia del diodo en conduccin.

CARACTERISTICAS DINAMICAS
TIEMPO RECUPERACION INVERSO
ta(tiempo de almacenamiento): es el tiempo que
transcurre desde el paso por cero de la intensidad
hasta llegar al pico negativo.
tb(tiempo de cada): es el tiempo transcurrido
desde el pico negativo de intensidad hasta que sta
se anula, y es debido a la descarga de la capacidad
de la unin polarizada en inverso. En la prctica se
suele medir desde el valor de pico negativo de la
intensidad hasta el 10% de ste.
trr(tiempo de recuperacin inversa): es la suma de
ta y tb.

CARACTERISTICAS DINAMICAS
INFLUENCIA DEL trr EN LA CONMUTACION
Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es
despreciable:
Se limita la frecuencia de funcionamiento.
Existe una disipacin de potencia durante el tiempo de
recuperacin inversa.
Para altas frecuencias, por tanto, debemos usardiodosde
recuperacin rpida. Factores de los que depende trr:
A mayor IRRM menor trr.
Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa
el diodo mayor ser la capacidad almacenada, y por tanto
mayor ser trr.

POTENCIAS
Potencia mxima disipable (Pmx):Es un valor de
potencia que el dispositivo puede disipar, pero no debemos
confundirlo con la potencia que disipa el diodo durante el
funcionamiento, llamada sta potencia de trabajo.
Potencia media disipada (PAV):Es la disipacin de
potencia resultante cuando el dispositivo se encuentra en
estado de conduccin, si se desprecia la potencia disipada
debida a la corriente de fugas.
Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM):Es la
mxima potencia que puede disipar el dispositivo en estado
de bloqueo.
Potencia inversa de pico no repeptitiva (PRSM):Similar
a la anterior, pero dada para un pulso nico.

CARACTERISTICAS TERMICAS
Temperatura de la unin (Tjmx):Es el lmite
superior de temperatura que nunca debemos
hacer sobrepasar a la unin del dispositivo si
queremos evitar su inmediata destruccin.

Temperatura de almacenamiento (Tstg):Es la


temperatura a la que se encuentra el dispositivo
cuando no se le aplica ninguna potencia.