SAN MARTIN

Resumen circuitos
Instructor: Gabriel Zegovia Chonate

COMPONENTES ELECTRNICOS

Componentes pasivos

Se fabrican con carbn,

acero, cobre.
Resistencias.
Condensadores
Bobinas

Componentes
semiconductores

Se fabrican con materiales

especficos como: selenio, germanio
y silicio.
Diodos.
Transistores.
Circuitos integrados

RESISTENCIAS

Funcin

Oponerse al paso de la corriente

Depende de:

Valor

Unidades

longitud (l)
seccin (S)
= Resistividad

Ohmio ()
Mltiplos:
k kiloohmio (1.103 )
M megaohmio (1.106 )

Utilidad de las resistencias:

Para ajustar la tensin.

Montaje en serie.

Para limitar la intensidad.

Montaje en paralelo.

Existen dos formas de conectar una batera a una unin PN

POLARIZACIN
DIRECTA

El polo negativo de la batera inyecta electrones en la zona N y el

polo positivo recibe electrones de la zona P, con lo que se origina
una corriente elctrica.

Hemos conseguido disminuir o vencer la

barrera de potencial

POLARIZACIN
INVERSA

En este caso no hay corriente en ningn sentido porque los

huecos libres de la zona P se recombinan con los electrones
procedentes del polo negativo de la batera y los electrones
libres de la zona N son absorbidos por el polo positivo de la
batera, alejndose tanto huecos como electrones de la zona de
unin

El efecto ha sido el de aumentar la

barrera de potencial

2.5 Aplicaciones
Rectificadores: Su principal uso es en sistemas electrnicos encargados de
realizar una conversin de potencia de ac, en potencia de dc.
DE MEDIA ONDA:
20V

0V

D2

V1

1k

-20V
V1(V2)
20V

0V

SEL>>
-20V
0s

1ms

2ms

3ms

4ms

5ms

6ms

7ms

8ms

9ms

10ms

8ms

9ms

10ms

V(D1:2)
Time
20V

0V

120

1k

-20V
V1(V2)
20V

0V

SEL>>
-20V
0s

1ms

2ms

3ms

4ms

5ms

V(R1:1)
Time

6ms

7ms

DE ONDA COMPLETA:

10V

2 2

1k
1 1

20V

0V

-10V

-20V
0s

0 .5ms

1.0ms

1.5ms

V(V2:+)
Time

CON TRANSFORMADORES:
Si
1

T1

5
6

Si

2.0ms

2.5ms

3.0ms

Recortadores:
Tienen la capacidad de recortar una porcin de la seal de entrada sin
distorisionar la parte restante de la forma de onda alterna.
SERIE:
20V

D2
5V

0V

1k

-20V
V(V10:+)
20V

0V

SEL>>
-20V
0s

0.5ms

1.0ms

1.5ms

2.0ms

2.5ms

3.0ms

V(R1:2)
Time
20V

10V

1k

0V

4V
-10V

-20V
0s
V(D1:2)

0.5ms
V(V1:+)

1.0ms

1.5ms
Time

2.0ms

2.5ms

3.0ms

EL TRANSISTOR
La ampliacin mas sencilla que se puede hacer de la unin PN es
aadirle otra nueva zona N o P. Resulta as el transistor, que
puede ser de dos tipos:

EMISOR

BASE

COLECTOR

En el transistor hay dos uniones PN que se pueden polarizar de

formas distintas mediante una batera.
Segn tengamos polarizadas estas uniones el transistor se
comporta de forma diferente.
Diremos entonces que est trabajando en una u otra
zona y las posibilidades son tres:

Con el transistor en la zona de

SATURACIN los electrones circulan a
travs de las dos uniones PN en el
sentido indicado y a travs de la base
hay corriente

ON
Con el transistor en la zona de CORTE,
las dos uniones PN estn polarizadas
de forma inversa y no hay paso de
electrones a travs de ninguna de las
dos, por lo que no hay corriente

OF
El transistor ha funcionado como un interruptor (ON-OF)

Cmo es el funcionamiento en la ZONA ACTIVA?

Si slo tenemos conectada la batera A
en la forma indicada, los electrones
(portadores mayoritarios) pasan del
emisor (N) a la base (P) originando
una corriente bastante intensa.

Equivale a decir que la resistencia en la unin PN es pequea

Si desconectamos la batera A y
conectamos la B en la forma indicada,
la unin PN base-colector est
polarizada de forma inversa y no se
produce paso de corriente.

Equivale a decir que la resistencia en la unin PN es GRANDE

Pero, qu ocurre al conectar las dos bateras a la vez?

En la unin BE polarizada de forma

directa, la barrera de potencial es
pequea, pero en la BC, polarizada
de forma inversa, la barrera de
potencial es grande.

Los electrones empiezan a desplazarse desde el emisor (de

tipo N) a la base (de tipo P) aproximndose al colector (de
tipo N) y consiguen atravesar la unin base-colector gracias a
la gran atraccin que ejerce el el borne muy positivo de la
batera B al que est conectado el colector.

Por qu no se recombinan los

electrones y los huecos de la
base?

Cada civilizacin ha desarrollado sus propios sistemas de

numeracin, no slo en los smbolos, sino en los criterios
usados para contar.

En esta unidad conocers distintos sistemas de numeracin y los

podrs comparar con el sistema que actualmente usamos: es
sistema de numeracin decimal.

Sistema de numeracin egipcio

(Tercer milenio a. C.)

Sistemas de numeracin

Utiliza un sistema de base 10 con distintos smbolos

para las sucesivas potencias de 10.

Sistema de numeracin romano

Sistemas de numeracin (3000 a. C.)

Utiliza un sistema de base decimal (10).

Sistema de numeracin babilnico

(1900 a. C.)

Sistemas de numeracin

Utiliza un sistema de base sexagesimal (60).

Sistema de numeracin maya

(s. IV d. C.)

Sistemas de numeracin

Utiliza un sistema de numeracin vigesimal (20).

Sistema de numeracin mapuche

Sistemas
de numeracin
Se representa
mediante palabras y su base es 10.

1 = kie

6 = kayu

2 = epu7 = regle
3 = kula

8 = pura

4 = meli

9 = aylla

5 = kechu 10 = mari

Muchas Gracias