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Mecnica Agrcola
MATERIALES Y MANUFACTURA
PRESENTA:
M.I PEDRO CRUZ MEZA
Chapingo, Edo de Mxico Febrero de 2015
Objetivos
Al termino de la clase, el estudiante debe ser capaz
de:
Cristales
sencillos
Metal
lquid
o
Solidificacin Celda
unitari
a (0.1
nm)
Cbica centrada en el
cuerpo
Cbica centrada en las
caras
Hexagonal compactada
Alotropismo
Cristal
es
Red
Inperfeccio
nes
Dislocacion
es
Policristale
s
FCC
BCC
T(C)
Titanio lquido
1 667
Ti
BCC
882
Ti
HCP
Tiempo
Figura 2. Curva de enfriamiento para el titanio
Punto
de
fusin,
C
Densid
ad,
kg/m3
Modulo
de
elasticida
d, 103
MPa
Resistivid
ad a 20
C, 10-8
.m
Conductivi
dad
trmica a
20 C,
J/m.s.C
634
(acero)
1 536
7 900
210
9.7
75
11.0
660
2 700
70
2.7
240
Cobre
7.0
1 083
8 900
122
1.7
400
Zinc
5.2
419
7 100
90
5.9
115
Plomo
3.6
327
11 300
16
21.0
35
Nquel
0.6
1 455
8 900
210
6.8
90
0.26
649
1 700
44
4.0
160
Estao
0.2
232
5 800
42
11.0
65
Titanio
0.06
1 670
4 500
106
6.8
25
Plsticos
43.3
900 2
3 - 10
1012
0.2
Hierro
Aluminio
Magnesi
o
Producci
n
mundial,
ton
mtrica
Tm- temp.
de fusin
del metal
Figura
2.
Comportamiento
del
metal
con
la
temperatura
de
homologacin para el
-7
cm
10
Triclnico
Monoclnico
Ortorrmbico
Romboedral
(trigonal)
Hexagonal
Tetragonal
Cbico
k)]: a = b c; = =
Volumen de la celda
unitaria
Cbica
a=b=
c
a3
Tetragonal
a=b
c
a2c
Ortorrmbi
ca
abc
Hexagonal
a=b
c
Rombodri
ca
a=b=
c
Monoclnic
o
Triclnico
a 3 1 a32cos
0.866
c 2 2 cos3
Nmero de coordinacin
Es el nmero de tomos que tocan a un tomo en
particular, es decir la cantidad de vecinos ms cercanos a
ese tomo.
Es el nmero de tomos vecinos que equidistan de
cualquier tomo de la red.
El nmero de coordinacin es un ndice del grado de
empaquetamiento o compacidad de la red. Mientras mayor
es este ndice ms compacta es la red.
6
SC
BCC
Factor de empaquetamiento
Es la fraccin de espacio de la celda unitaria que es ocupada por
tomos.
F .E
ao f( r)
tomos Nmero
por
de
celda
coordinac
in
Factor de Ejemplos
empaquet
amiento
Cbica
simple (SC)
ao = 2 r
0.52
Polonio
(Po), Mn
Cbica
centrada en
el cuerpo
(BCC)
ao = 4
r/3
0.68
Fe, Ti, W,
Mo, Nb,
Ta, K, Na,
V, Zr, Cr
Cbica
centrada en
las caras
(FCC)
ao = 4
r/2
12
0.74
Fe, Cu,
Au, Pt,
Ag, Pb, Ni
Hexagonal
compacta
(HCP)
ao = 2 r
co
1.633ao
12
0.74
Ti, Mg,
Zn, Be,
Co, Zr, Cd
ao 2 r
Red cbica centrada en el cuerpo
(BCC):
ao
4r
3
ao
4r
2
Factor de empaquetamiento
Es la fraccin de espacio ocupada por tomos, asumiendo que
son esferas duras que tocan a su vecino ms cercano. La
ecuacin general es:
Factor de empacado
4
(4 tomos / celda)( r 3 )
3
Factor de empacado
3
ao
ao
4r
2
4
(4)( r 3 )
3
Factor de empacado
0.74
4r
18
( )3
2
Densidad terica
masa
volumen
n A
VC N A
Donde
n- nmero de tomos por celda
A- peso atmico
Vc- volumen de la celda unitaria
NA nmero de avogadro (6.023 X 1023
tomos/mol)
Hexagonal compacta
Parmetro de la red,
Litio (Li)
3.039
Berilio (Be)
2.225
Wolframio (W)
2.739
Hierro (Fe)
2.481
Molibdeno (Mo)
2.725
Cromo (Cr)
2.489
Aluminio (Al)
2.862
Cobre (Cu)
2.556
Plomo (Pb)
3.499
Plata (Ag)
2.888
Nquel (Ni)
2.491
Oro (Au)
2.834
Titanio (Ti)
2.890
Cadmio (Cd)
2.979
Cobalto (Co)
2.506
Zinc (Zn)
2.664
Circonio (Zr)
3.170
Magnesio (Mg)
3.196
SISTEMAS DE DESLIZAMIENTO
Un sistema de deslizamiento es la combinacin de un plano y
una direccin que se halla sobre el plano a lo largo del cual se
produce el deslizamiento.
El Mecanismo de deslizamiento puede definirse como el movimiento
paralelo de dos regiones cristalinas adyacentes, una respecto a la otra,
a travs de algn plano (o planos).
El deslizamiento no se produce sobre un plano solamente, sino sobre
pequeas regiones de planos paralelos llamados bandas de
deslizamiento o lneas de deslizamiento, dependiendo de sus espesores.
Puesto que todas las lneas de deslizamiento est en grupos paralelos
dentro de cada monocristal (cada grano), deben corresponder a una
misma familia de planos (hkl) ocupados del grano particular. A partir de
mediciones sobre especmenes de monocristales de orientaciones
conocidas se puede determinar 1) los planos sobre los cuales se
produce el deslizamiento y 2) la direccin de deslizamiento dentro de
estos planos. Tales experimentos han revelado que en las estructuras
FCC el deslizamiento siempre se produce sobre los planos {111} pero
solamente en las direcciones <110>. Esto significa que si se produce el
deslizamiento sobre el plano (111) ser en alguna de las tres
Figura Deformacin de un
cristal simple a tensin.
a) en macroescala, b) en
alta magnificacin, y c) en
la escala atmica.
Y
Y
X
X
Figura
Direcciones
y planos de
deslizamient
o
en
a)
cbica
centrada en
las
caras
(FCC),
b)
cbica
centrada en
el
cuerpo
(BCC),
c)
hexagonal,
relacin
grande c/a y
d) hexagonal
Monocristales.
Cuando la disposicin peridica y repetitiva de los
tomos de un slido cristalino es perfecta o se
extiende a lo largo de toda la probeta sin
interrupciones, el resultado es un monocristal.
Todas las celdillas unidad estn entrelazadas del
mismo modo y tienen la misma orientacin.
Materiales policristalinos
La mayora de los slidos cristalinos son un
conjunto de cristales pequeos o granos; este tipo
de material se denomina policristalino.
Figura Ilustracin
esquemtica de las lneas de
deslizamiento y bandas de
deslizamiento en un cristal
simple (grano) sometido a
esfuerzo cortante. Una banda
de deslizamiento consiste de
un nmero de planos de
deslizamiento. El cristal del
centro de la ilustracin
superior es un grano
individual rodeado por otros
a)
b)
Fuerza
Recuperaci
n
Figura Ilustracin esquemtica de los efectos de recuperacin,
recristalizacin y crecimiento del grano en propiedades mecnicas y
en la forma y tamao del grano. Ntese la formacin de un nuevo
grano pequeo durante la recristalizacin.
Procesos
Trabajo en fro
Trabajo de
templado
Trabajo en
caliente
FUENTE: Kalpakjian,
2001
T/Tm
< 0.3
0.3 0.5
> 0.6
T- temperatura de trabajo
Tm temperatura de
fusin
descrito
tiene
un
carcter
La
cristalizacin
consta de 2 etapas
fundamentales:
Formacin
de
ncleos primarios.
Crecimiento de los
cristales a partir de
dichos ncleos.
Ambos
fenmenos
transcurren
simultneamente.
En la figura 8 se da
una
representacin
esquemtica
de
Figura
8
Representacin
esquemtica de la cristalizacin.
Muchas
Gracias