Semiconductores

De acuerdo a su conductividad elctrica

tenemos:
Conductores (metales): Al, Ag, Fe, Cu,
Au
Aislantes (no-metales): H, N, O, C, P, Cl
Metaloides :Si, Ge, As, Sb, B, Te, Po

30/08/15

Semiconductores
Los metaloides tienen propiedades
intermedias entre los metales y los nometales. En particular, su
conductividad los identifica mejor como
SEMICONDUCTORES.
A cero grados Kelvin se comportan como
aislantes.

30/08/15

Semiconductores

Conductividad

plata
cobre
aluminio
grafito

conductores

germanio

semiconductores
silicio
Agua destilada

baquelita
mica
cuarzo
30/08/15

aisladores

Semiconductores
El proceso de conduccin elctrica en
metales se debe a los electrones
libres que existen en la rbita ms
externa (mayor energa) de los tomos
y que no estn fuertemente ligados al
ncleo. El resto de los electrones en
las rbitas interiores se encuentran
ms fuertemente ligados al ncleo y no
se pueden desplazar.
30/08/15

Semiconductores
Configuracin electrnica del tomo de
cobre CU

30/08/15

Semiconductores - Introduccin
Existen dos mecanismos asociados al transporte de
partculas cargadas en un slido

Corriente de
desplazamiento

30/08/15

Corriente de
difusin

Semiconductores - Introduccin
Corriente de desplazamiento

Movimiento aleatorio sin

un campo elctrico
aplicado

30/08/15

Movimiento aleatorio
con un campo elctrico
aplicado

Semiconductores - Introduccin

Corriente de difusin

Si existe una elevada concentracin de partculas en

una regin comparada con otra, existir un
desplazamiento neto de partculas que ecualizara la
concentracin luego de un periodo de tiempo

Concentracin inicial
30/08/15

Concentracin final

Teora de bandas de energa

Atomo aislado de hidrogeno

El desplazamiento de un electron de un nivel

discreto de energia hacia otro de mayor nivel
requiere una cantidad de energia extra.
Un electron desplazandose hacia un nivel de
energia inferior, libera una cantidad discreta de
energia
30/08/15

Modelo de Bohr:
la energia de los electrones
en sistemas atomicos esta
restringida a un limitado set
de valores.

Cada nivel de
energia corresponde
a una orbita del
electron alrededor
del nucleo

Teora de bandas de energa

Un solido esta formado por diversos atomos cuyos niveles de
energia interactuan entre si, resultando en un acoplamiento de los
niveles discretos de energia formando bandas de niveles de
energia permtidos

30/08/15

Teora de bandas de energa

Diagrama de bandas de energia

Banda de valencia: los electrones

no son moviles, no contribuyendo
a la conduccion de corriente electrica.
Banda de conduccion: es la banda ubicada sobre la banda de
valencia. Se encuentra parcialmente llena. Excitando con una
pequena cantidad de energia, se puede iniciar el desplazamiento
de los electrones -> corriente electrica.
Banda prohibida: esta ubicada entre la banda de conduccion y
la banda de valencia. Son niveles continuos de energia que no
pueden ser ocupados por portadores de carga.
30/08/15

Teora de bandas de energa

Clasificacin de los materiales

Existen electrones en la banda de
conduccin a temperatura ambiente.

semiconductor

aislador
Banda de conduccin vaca
Banda de valencia llena
Gran cantidad de energa es requerida para
desplazar un electrn de la banda de
valencia a la de conduccin
30/08/15

conductor
Las bandas de conduccin y de
valencia se solapan.
Existe un gran nmero de electrones en
la banda de conduccin a temperatura
ambiente.

Semiconductores
Cristales: Idealmente son materiales que se construyen
mediante la repeticin infinita regular en el espacio de
estructuras unitarias idnticas. Es decir, sus tomos estn
dispuestos de una manera peridica, llamada rejilla a cuyo
volumen se le da el nombre de celda bsica. Los ms utilizados
para construccin de diodos, son el Germanio y el Silicio.
Silicio
Segn su grado de pureza, pueden ser de
dos tipos
cristales

Cristales intrnsecos:
Llamados tambin
cristales puros.

Cristales extrnsecos:
Llamados tambin cristales
impurificados, o dopados.

Veamos cmo se estructura un cristal de Silicio.....

La celda fundamental de un
cristal de Silicio consiste de 5
tomos distribudos en un
espacio geomtrico de la
siguiente manera: Uno
central......
Alrededor del cual se
encuentran otros 4 tomos
iguales,compartiendo
electrones entre s, lo que se
conoce como enlaces
covalentes......

El cristal de Silicio

Veamos cmo se estructura un cristal de Silicio.....

Un tomo de Si al centro de
la celda base......
Y 4 tomos iguales alrededor
de ste ligados a l
compartiendo electrones
entre s.

Enlaces
covalentes

Los electrones perifricos de

cada tomo de Si que
participan en los enlaces
covalentes. Permitiendo que
el tomo del centro quede
con 8 electrones en su ltima
rbita.

Veamos cmo se estructura un cristal de Silicio.....

Estas causas naturales

incluyen efectos como la
energa luminosa en forma
de fotones y la energa
trmica del medio que lo
rodea.

Enlaces
covalentes

A temperatura ambiente
existen aproximadamente 1.5
x 10 10 portadores libres en un
centmetro cbico de material
de Silicio puro.

Entonces, la celda fundamental del cristal de Silicio se puede

representar de cualquiera de estas dos maneras.....

Si
Si
Si

Si

Celda fundamental del cristal de Silicio

Si

Semiconductores: Silicio

Estructura cristalina

Enlaces covalentes

tomo de silicio

30/08/15

Un pedazo de este tipo de material estar formado casi en

un 100%, por tomos iguales, lo que le da la caracterstica
de pureza.
Al observar la estructura
de este material se
pueden apreciar ejes y
planos en torno a los
cuales se ubican los
tomos. Esta es una
caracterstica de los
cristales.....
tomos de Si

El material es qumicamente estable por su estructura

reticular cristalina debido a sus enlaces covalentes; y
adems es elctricamente neutro, ya que no existen cargas
elctricas libres ......
En estas
condiciones, un
cristal de tal
pureza es mal
conductor de la
corriente
elctrica.

tomos de Si

Cmo es entonces que un cristal de silicio puede utilizarse

como conductor, o como no conductor en los circuitos
electrnicos? ......

La respuesta a
esta pregunta
se encuentra en
los procesos de
dopamiento
tomos de Si

Semiconductores: Silicio

Portadores

Cuando un enlace de
Si-Si es roto, el electrn
asociado es un portador
de corriente.
Equivalentemente, la
excitacin de un
electrn de la banda de
valencia a la banda de
conduccin crea
portadores ->
Electrones en la
banda de conduccin
son portadores

Sin portadores

electrn

laguna
30/08/15

Remover un electrn
de la banda de
valencia crea un
estado vaco.
Este estado vaco,
es un segundo tipo
de portadores
denominado huecos

Electrones y huecos son portadores

en los semiconductores

Semiconductores: Silicio
Generacin de pares electrones-hueco
Concentracin de
electrones

intrnseco

Concentracin de
lhuecos

Corriente en un semiconductor
A elevar la temperatura algunos enlaces
covalentes son rotos, y los electrones
asociados al enlace son libres de desplazarse
bajo la influencia de un campo elctrico
Movilidad de
Movilidad de
externo.
los electrones

Simultneamente, la ruptura del enlace, deja

una carga positiva neta en la estructura de
valencia -> lagunas
30/08/15

los huecos

Semiconductores: Silicio

Circulacin de corriente en un semiconductor

30/08/15

Silicio con dopaje

El agregado de un pequeo porcentaje de tomos

forneos en la estructura cristalina del silicio produce
importantes cambios en sus propiedades elctricas.

Material tipo N: Dopantes con valencia +5 son

utilizados.
4 electrones de la banda de valencia forman enlaces
covalentes con los tomos vecinos de silicio. El
electrn restante esta dbilmente ligado al tomo de
impureza, actuando como un electrn libre.
Impurezas donoras: donan un electrn a la banda de
conduccin.
Fsforo, arsnico, antimonio

30/08/15

Silicio Tipo N

Conductividad

Concentracin de tomos donores

30/08/15

Silicio Tipo P

TIPO P

Dopantes con valencia +3 son empleados: Boro,

Galio, Indio.
Para completar el enlace covalente con tomos de
silicio, un electrn es atrado de la banda de valencia
dejando un hueco.
impureza aceptora: acepta un electrn de la banda de
valencia

30/08/15

Semiconductores

Terminologa
Semiconductor intrnseco:

semiconductor sin el agregado de impurezas

Donor:

Aceptor

Portadores mayoritarios:

Portadores minoritarios:

tomos de impurezas que incrementan la concentracin de

electrones
tomos de impurezas que incrementan la concentracin de
huecos
Los portadores mas abundantes en un semiconductor.
Electrones en material tipo N y huecos en material tipo P.
Los portadores menos abundantes en un semiconductor.
Electrones en material tipo P y huecos en material tipo N

30/08/15

UNIN PN

Juntamos dos
manera abrupta

Difusin

materiales

de

UNIN PN

Lo ms importante es la formacin de la zona

de agotamiento

Juntura P-N en equilibrio

Un diodo de juntura consiste de un material
Semiconductor tipo P en contacto con un
material N.
Consideraciones
Region P N_A atomos aceptores
Region N N_D atomos donores
N_D>N_A
No existe potencial externo aplicado
Regin N: Los electrones cercanos a la juntura
se difunden desde la regin con alta
concentracin de electrones (regin N) a la
regin con baja concentracin de electrones
(region P).
Regin P: Los huecos se difunden hacia la
regin N.
30/08/15

Electrones
Huecos

Juntura PN polarizacin directa

Al ser polarizada directamente la

juntura PN, el potencial de juntura
disminuye.
Los electrones se difunden
hacia la regin P y los
huecos hacia la regin N

Corriente de difusin
Corriente de desplazamiento
30/08/15

La corriente de difusin es la
dominante

Juntura PN polarizacin inversa

La barrera de potencial aumenta.
El campo electrico se intensifica.
La capa de deplecin se ensancha.
La corriente de difusin se hace cercana
a cero

Corriente de difusin
Corriente de desplazamiento

30/08/15

Juntura PN
EQUILIBRIO

Polarizacin directa

Polarizacin inversa

30/08/15

El diodo

La corriente de huecos y la corriente de electrones

son asumidas como corrientes de difusin.

Corriente de saturacin inversa : es funcin del

rea de juntura, de las constantes de difusin,
concentracin de equilibrio y longitud de difusin
de los portadores minoritarios
30/08/15

Tensin de ruptura
inversa

El diodo como elemento

El smbolo utilizado para su representacin en diagramas
de circuitos es una punta de flecha, dirigida en el sentido
convencional de la corriente.
nodo

ctodo

I
Sentido convencional de la corriente

El diodo Zona de ruptura

Si un voltaje negativo
suficientemente elevado es
aplicado, la juntura PN
experimentara una rpida avalancha
y conducir en la direccin inversa.
Los electrones de valencia que son
liberados bajo la influencia del
campo elctrico aplicado, son
acelerados colisionando con otros
electrones creando una avalancha.
En esta regin, pequeos cambios
en el voltaje aplicado pueden causar
grandes variaciones de corriente.

30/08/15

El diodo Aplicaciones

Rectificadores
Reguladores
Circuitos de enclavamiento
Circuitos lgicos
LEDs, fotodiodos

30/08/15

Rectificadores
Rectificador de media onda

Rectificador de onda completa

30/08/15

Rectificadores
Rectificador de onda completa

30/08/15

Rectificadores con filtro RC

30/08/15

Rectificadores con filtro RC

Rizado en filtros RC (ripple)

30/08/15

Rectificadores

Ejemplo: Cargador de batera

30/08/15

Reguladores

30/08/15

Recortadores

30/08/15

Circuitos lgicos con diodos

30/08/15