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El transistor de uniunin

(UJT)

es un dispositivo con un funcionamiento

diferente al de otros transistores. Es un


dispositivo de disparo. Es un dispositivo que
consiste de una sola unin PN

Eltransistor uniunines un tipo

detiristorque contiene doszonas


semiconductoras. Tiene tres terminales
denominados emisor (E), base uno (B1) y base
dos (B2). Est formado por una barra
semiconductora tipo N, entre los terminales B1
Y B2, en la que se difunde una regin tipo P+,
el emisor, en algn punto a lo largo de la
barra, lo que determina el valor del
parmetro, standoff ratio, conocido como
razn de resistencias o factor intrnseco.

Construccin
Consiste en una placa de material ligeramente dopado

de silicio tipo-n. Los dos contactos de base se unen a los


extremos de esta superficie tipo n. Estos se indican
comoB1 Y B2 yrespectivamente. Un material de tipo p
se utiliza para formar una juntura p-n en el lmite de la
varilla de aluminio y la placa de silicio tipo n. El tercer
terminal llamado emisor (E) se hace a partir de este
material tipo-p. El tipo n est ligeramente contaminado,
mientras que el de tipo p est fuertemente
contaminado. Como el tipo n est ligeramente dopado,
ofrece una alta resistencia mientras que el material tipo
p, ofrece baja resistividad puesto que est fuertemente
contaminado

aplicaciones
estas son unas cuantas de sus aplicaciones .

como oscilador, en circuitos de disparo,


generadores de diente de sierra , control de
fase circuitos temporizadores, redes
biestables, y alimentaciones regulas de
voltaje o corriente

Como se dijo antes este es un dispositivo de

disparo. El disparo ocurre entre el Emisor y la Base1


y elvoltajeal que ocurre este disparo est dado por
la frmula: Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + n x V B2B1
Donde:

- n = intrinsic standoff radio (dato del fabricante)


- VB2B1= Voltaje entre las dos bases
La frmula es aproximada porque el valor
establecido en 0.7 puede variar de 0.4 a 0.7
dependiendo del dispositivo y la temperatura.

Ejemplo 1.- Un UJT 2N4870 tiene un n = 0.63 y 24 voltios entre B2 y B1.

Cul es el voltaje de disparo aproximado?


Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + (0.63 x 24) = 15.8 Voltios
Ejemplo 2.- Un UJT 2N4870 tiene un n = 0.68 y 12 voltios entre B2 y B1.
Cul es el voltaje de disparo aproximado?
Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + (0.68 x 12) = 8.86 Voltios.
Notas:
formula Voltaje de disparo Vp = 0.7 + n x VB2B1
Un dato adicional que nos da el fabricante es lacorrientenecesaria que
debe haber entre E y B1 para que el UJT se dispare = Ip.
- Es importante hacer notar que tambin se ha construido elUJTdonde
la barra es de material tipo P (muy poco). Se le conoce como el CUJT o
UJT complementario. Este se comporta de igual forma que el UJT pero
con las polaridades de las tensiones al revs
Dos ejemplos sencillos con el transistor UJT