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Electrnica de Comunicaciones

CONTENIDO RESUMIDO:
1-Introduccin
2-Osciladores
3-Mezcladores.
4-Lazosenganchadosenfase(PLL).
5-AmplificadoresdepequeasealparaRF.
6-Filtrospasa-bandabasadosenresonadorespiezoelctricos.
7-AmplificadoresdepotenciaparaRF.
8-Demoduladoresdeamplitud(AM,DSB,SSByASK).
9-Demoduladoresdengulo(FM,FSKyPM).
10-Moduladoresdeamplitud(AM,DSB,SSByASK).
11-Moduladoresdengulo(PM,FM,FSKyPSK).
12-TiposyestructurasdereceptoresdeRF.
13-TiposyestructurasdetransmisoresdeRF.
14-Transceptorespararadiocomunicaciones
ATE-UO EC osc 00

2. Osciladores
Osciladores con elementos discretos
deBajaFrecuencia(RC)
Colpitts
deAltaFrecuenciay
Tiposde
FrecuenciaVariable(LC) Hartley
Osciladores
Otros(Clapp,...)
deAltaFrecuenciay
FrecuenciaFija(acristal)

Colpitts
Hartley
Pierce
Otros(Clapp,...)

ATE-UO EC osc 01

Teora bsica de sistemas realimentados


Se linealiza el sistema
Se toman transformadas de Laplace

xe(s)
Entrada

xer(s)

G(s)

xs(s)

Planta

Salida

xr(s)
Observaciones:

H(s)
Red de
realimentacin

xe: magnitud de entrada


xer: magnitud de error
xr: magnitud realimentada
xs: seal de salida
xx: magnitudes que pueden ser de distinto tipo
G(s): funcin de transferencia de la planta
H(s): funcin de transferencia de la red de realimentacin

ATE-UO EC osc 02

Clculo de funciones de transferencia

xe(s)
Entrada

xer(s)

G(s)

xs(s)

Planta

Salida

xr(s)

H(s)
Red de
realimentacin

Lazo abierto
G(s) =

Lazo cerrado

xs(s)

xs(s)

xer(s)

xe(s)

G(s)
1 + G(s)H(s)
ATE-UO EC osc 03

Casos particulares
xe(s)
Entrada

G(s)

xs(s)

xs(s)

Planta

Salida

xe(s)

G(s)
1 + G(s)H(s)

H(s)
Red de
realimentacin

Realimentacin negativa 1 + G(s)H(s)

> 1

Alta ganancia de lazo xs(s)/xe(s) = 1/H(s)


Realimentacin positiva 1 + G(s)H(s)

<1

Oscilacin 1 + G(s)H(s)

=0

Situacin indeseada en servosistemas


Situacin deseada en osciladores
ATE-UO EC osc 04

Caso de oscilacin
xs(s)

xe(s)

G(s)

=
xe(s) 1 + G(s)H(s)

Entrada

G(s)

xs(s)

Planta

Salida

H(s)
Red de
realimentacin

1 + G(s) H(s) = 0 xs(s)/xe(s)


Se genera Xs aunque no haya Xe

Cuando est oscilando:


G(s) H(s) = 1
G(s) H(s) = 180

-1

G(s)

xs(s)

Por tanto:

Planta

Salida

G(j osc) H(j osc) = 1

H(s)

G(j osc) H(j osc) = 180

Red de
realimentacin

ATE-UO EC osc 05

Condicin de oscilacin (I)


En oscilacin:
-1

G(j osc) H(j osc) = 1

G(josc)
Planta

Salida

G(j osc) H(j osc) = 180


H(josc)
Red de
realimentacin

Qu tiene que suceder para que comience la oscilacin?

xe(j osc)
Entrada

G(josc)
Planta

Salida

H(josc)
Red de
realimentacin

xe(j osc)G(j osc)H(j osc)


ATE-UO EC osc 06

Condicin de oscilacin (II)


xe(j osc)
Entrada

G(josc)
Planta

Salida

H(josc)

xe(j osc)G(j osc)H(j osc)

Red de
realimentacin

Si |xe(j osc)G(j osc)H(j osc)| > |xe(j osc)| (es decir, |G(j osc)H(j osc)| > 1)
cuando el desfase es 180, entonces podemos hacer que la salida del
lazo de realimentacin haga las funciones de la magnitud de entrada.

G(josc)
Planta

Salida

H(josc)
Red de
realimentacin

ATE-UO EC osc 07

Condicin de oscilacin (III)


En realidad si |G(j osc)H(j osc)| > 1 cuando el desfase es 180,
las magnitudes empezarn a crecer constantemente

G(josc)
Planta

Salida

H(josc)
Red de
realimentacin

Existe un lmite a este crecimiento?


Evidentemente s, por razones energticas hay lmites. Incluso
el sistema podra destruirse al crecer la magnitud de salida.
ATE-UO EC osc 08

Condicin de oscilacin (IV)

G(josc)
Planta

Salida

H(josc)
Red de
realimentacin

|Gpm(j osc)H(j osc)| > 1


|Ggm(j osc)H(j osc)| = 1
Observaciones:
Gpm(s): funcin de transferencia de pequea magnitud
Ggm(s): funcin de transferencia de gran magnitud
ATE-UO EC osc 09

Condicin de oscilacin (V)


xe(j osc)
Entrada

G(josc)
Planta

Salida

H(josc)

xe(j osc)G(j osc)H(j osc)

Red de
realimentacin

Si |G(j osc)H(j osc)| < 1 cuando el desfase es 180, entonces la


oscilacin se extinguir

G(josc)
Planta

Salida

H(josc)
Red de
realimentacin

ATE-UO EC osc 10

Condicin de oscilacin (VI)


Formulacin formal:
Criterio de Nyquist

-1

G(josc)
Salida

Planta

H(josc)
Red de
realimentacin

Para que empiece la oscilacin:


Tiene que existir una osc a la que se se cumpla
G(j osc)H(j osc) = 180
A esa osc tiene que cumplirse |G(j osc)H(j osc)| > 1
Cuando se estabiliza la oscilacin:
Disminuye la G(j osc) hasta que |G(j osc)H(j osc)| = 1
cuando G(j osc)H(j osc) = 180
ATE-UO EC osc 11

Condicin de oscilacin (VII)

|G(j)H(j)| [dB]
80

Interpretacin con
Diagramas de Bode

40

Para que empiece la oscilacin.

-40

-1

H(josc)
Red de
realimentacin

G(josc)
Planta

Oscilar

Salida

102

104

106

G(j)H(j)[]
0
-60
-120
-180
-240
1

ATE-UO EC osc 12

102

osc

104

106

Condicin de oscilacin (VIII)


Cuando ya oscila.
Para que no oscile.
|G(j)H(j)| [dB]

|G(j)H(j)| [dB]

80

80

40

40

-40

-40

No
oscilar

G(j)H(j)[]

G(j)H(j)[]

-60

-60

-120

-120

-180

osc

-240
1

102

-180

osc

-240
104

106

ATE-UO EC osc 13

102

104

106

Condicin de oscilacin en osciladores


Caso general
-1

Oscilador
A(j)

G(j)

Amplificador

Salida

Planta

H(j)

Salida

(j)

Red de
realimentacin

Red pasiva

Para que empiece la oscilacin:

Existencia de osc tal que


G(j osc)H(j osc) = 180

Existencia de osc tal que


A(j osc)(j osc) = 0

A osc se cumple |
G(j osc)H(j osc)| > 1

A osc se cumple |
A(j osc)(j osc)| > 1

Cuando ya oscila:

|G(j osc)H(j osc)| = 1

|A(j osc)(j osc)| = 1


ATE-UO EC osc 14

Tipos de Osciladores
BJT, JFET, MOSFET, Amp. Integrados, etc

A(j)
Amplificador

Salida

(j)
Red pasiva

RC en baja frecuencia.
LC en alta frecuencia (y variable).
Dispositivo piezoelctrico en alta frecuencia (y constante).
Lneas de transmisin en muy alta frecuencia.
ATE-UO EC osc 15

Osciladores LC con tres elementos reactivos (I)


D

+
gvgs

vgs

Rs

FET

A(j)
Amplificador

Salida

(j)
Red pasiva

Z2
Z1
Z3
ATE-UO EC osc 16

Osciladores LC con tres elementos reactivos (II)


D

+
ve

gvgs

vgs

vs

Rs
-

Z2
Z1

+
-

vsr

Z3

ver
ATE-UO EC osc 17

Osciladores LC con tres elementos reactivos (III)


D

+
ve

gvgs

vgs

Z2
Z1

+
-

vsr

Por tanto:

vs

Rs

Z3

ver
-

Rs

Z1(Z2+Z3)

Z1+Z2+Z3
vs=-gve
Z1(Z2+Z3)
Rs+
Z1+Z2+Z3
Z3
vsr=ver
Z2+Z3
ver=vs

Rs

Z1Z3

Z1+Z2+Z3
vsr=-gve
Z1(Z2+Z3)
Rs+
Z1+Z2+Z3

ATE-UO EC osc 18

Osciladores LC con tres elementos reactivos (IV)


RsZ1Z3
vsr=-gve
De otra forma:
Rs(Z1+Z2+Z3)+Z1(Z2+Z3)
Por tanto:
G

+
ve

A=vsr/ve=-g
Rs(Z1+Z2+Z3)+Z1(Z2+Z3)

+
gvgs

vgs

RsZ1Z3

Z2
Z1

+
-

vsr

vs

Rs

Z3

Puesto que usamos slo


bobinas y condensadores:

Z1=jX1
Z2=jX2
Z3=jX3

ver
-

Por tanto:
-RsX1X3

ATE-UO EC osc 19

A=-g
jRs(X1+X2+X3)-X1(X2+X3)

Osciladores LC con tres elementos reactivos (V)


Si el circuito debe oscilar al cerrar el interruptor, debe cumplirse que:

ExisteosctalqueA(josc)(josc)=0(esdecir,REAL)
Aoscsecumple|A(josc)(josc)|>1
Por tanto:

Como:

-RsX1X3

A(josc)(josc)=-g
jRs(X1+X2+X3)-X1(X2+X3)
=0

X1(osc)+X2(osc)+X3(osc) = 0, los tres elementos

reactivos no pueden ser iguales. Tiene que haber dos bobinas y un


condensador o dos condensadores y una bobina.

RsX3(osc)

A(josc)(josc)=-g
X2(osc)+X3(osc)

Y como: X
2(osc)+X3(osc)=-X1(osc),

Queda:

ATE-UO EC osc 20

Osciladores LC con tres elementos reactivos (VI)


RsX3(osc)
A(josc)(josc)=g
queda:
X ( )
1 osc
Como: A(j

osc)(josc)=0(esdecir,POSITIVO), X3y X1
deben ser del mismo tipo (los dos elementos bobinas o los dos
condensadores).
Z2
Z1
Z3

Z2

Hartley

Z1
Z3

Z2
Z1
Z3

Colpitts
ATE-UO EC osc 21

Osciladores LC con tres elementos reactivos (VII)


Como para que el circuito oscile al cerrar el interruptor debe
cumplirse que |A(josc)(josc)|>1, entoncesqueda:

X2=-1/C2

X3=L3

X2=L2
X3=-1/C3

RsX3(osc)
g>1
X1(osc)
X1=L1

Hartley

X1=-1/C1

Colpitts

RsL3
g>1
L1

RsC1
g>1
C3
ATE-UO EC osc 22

Osciladores LC con tres elementos reactivos (VIII)


La frecuencia de oscilacin se calcula a partir de la condicin:

X1(osc)+X2(osc)+X3(osc)=0
X2=-1/C2

X3=L3

X2=L2
X3=-1/C3

X1=L1

fosc=

Hartley

X1=-1/C1

Colpitts

fosc=

1
2(L1+L3)C2

1
C1C3
2
L2
C1+C3
ATE-UO EC osc 23

Resumen
Hartley

D
+
-

gvgs

vgs

RsL3
g>1
L1

Rs

C2

fosc=

L1

1
2(L1+L3)C2

L3

Colpitts

G
+
-

gvgs Rs

vgs
S

L2
C3

C1

RsC1
g>1
C3
1
fosc=
C1C3
2
L2
C1+C3
ATE-UO EC osc 24

Realizacin prctica de un Colpitts en fuente comn


D

G
+
-

gvgs Rs

vgs

vs osc

L2

C1

+
vs osc

L2

C1

C3

C3

ATE-UO EC osc 25

+ Vcc

+ Vcc

LCH

LCH

CG

S
CS

CD
+
vs osc

L2

S
CS

C1
C3

Realizacin prctica de un Colpitts en puerta comn


D

G
+
-

vgs

gvgs

Rs

vs osc
-

+
vs osc

L2

L2

C1

C1

C3

C3

+ Vcc

+ Vcc

L2

LCH

ATE-UO EC osc 26

D
S

CD
+

D
S

C1
C3

vs osc
-

Realizacin prctica de un Colpitts en drenador comn


D

gvgs Rs

vgs

L2

L2

C1

ATE-UO EC osc 27

vs osc
-

+ Vcc

+ Vcc
D

C1

C3

vs osc

C3

L2

S
LCH

C3
C1

D
CS

+
LCH

vs osc
-

Realizacin prctica de un Hartley en fuente comn


G

D
+
-

gvgs

vgs

Rs

vs osc
-

C2

+ Vcc
L1

L1

CD

L3

C2
+ Vcc
LCH

D
S

CS

ATE-UO EC osc 28

L3
CS

+
vs osc

Realizacin prctica de un Hartley en puerta comn


G

D
+
-

gvgs

vgs

+ Vcc

Rs

vs osc
-

LCH

C2

L1

vs osc

D
G

L3

+ Vcc
LCH

D
S

ATE-UO EC osc 29

CD1

L3
CM

CD2

L1 C
2

Realizacin prctica de un Hartley en drenador comn


G

D
+
-

gvgs Rs

vgs
S

C2

+ Vcc
L1

C2

+
vs osc

L3

CG

D
CS

L3

+
vs osc

L1

+ Vcc
G

D
S
LCH

ATE-UO EC osc 30

CM

Osciladores LC con ms de tres elementos reactivos:


El oscilador de Clapp (I)
D

+
vgs

gvgs

Rs

Condiciones de oscilacin:

RsC1
g>1
C3
fosc=

C2
L2
C3

2
C1

C1C2C3
L2
C1C2+C1C3+C2C3

C2 no influye en la condicin |
A(josc)(josc)|>1
C2 influye en la frecuencia de

oscilacin, especialmente si C2 << C1,C3


Especialmente til para osciladores de frecuencia variable.
ATE-UO EC osc 31

Osciladores LC con ms de tres elementos reactivos:


El oscilador de Clapp (II)
Realizacin prctica en drenador comn

+ Vcc
G
RG

L2

C3

C2

C1

D
CS

+
LCH
R1

vs osc
-

ATE-UO EC osc 32

Osciladores de frecuencia variable (I)


Hay que hacer variar uno de los elementos reactivos de la red de
realimentacin.
Tipos:
Con control manual
Controlado por tensin (VoltageCotrolledOscillator, VCO)

Con control manual de la frecuencia


Usando un condensador variable

ATE-UO EC osc 33

Osciladores de frecuencia variable (II)


+ Vcc
+ Vcc
G
RG

L2

C3

C2

C1

G
CS

C2

+
LCH
R1

vs osc

Condiciones de oscilacin:

1
2

C1C2C3
L2
C1C2+C1C3+C2C3

C3
C1

Clapp (Colpitts sintonizado en serie)


en drenador comn

fosc=

L2

D
CS

+
LCH
R1

vs osc
-

Colpitts sintonizado en paralelo


en drenador comn

RsC1
g>1 (comn)
C3
fosc=

1
C1C3
2 (+C2)L2
C1+C3
ATE-UO EC osc 34

Osciladores de frecuencia variable (III)


Osciladores Controlado por Tensin (VCOs)
Se basan en el uso de diodos varicap (tambin llamados varactores)

+ Vcc
G
RG

L2

C21

C22

vCF

CS

C3

RCF

C1

LCH
R1

vs osc
-

C2

ATE-UO EC osc 35

Hojas de caractersticas de un diodo varicap (BB131) (I)

ATE-UO EC osc 36

Hojas de caractersticas de un diodo varicap (BB131) (II)

ATE-UO EC osc 37

Osciladores de frecuencia muy constante


Se basan en el uso de cristales de cuarzo (u otro
material piezoelctrico)
Smbolo:

Interior del dispositivo:

Contacto
metlico

Cristal
Cpsula

Aspecto:

Terminales
ATE-UO EC osc 38

Cristales piezoelctricos (I)


Circuito equivalente de un cristal de cuarzo:

R1

R2

R3

L1

L2

L3

C1

C2

C3

CO

ATE-UO EC osc 39

Cristales piezoelctricos (II)

R1

R2

L1

L2

R3
L3

C1

C2

C3

Z(f)
CO

Im(Z(f)) [k
50

Comportamiento
inductivo

0
Comportamiento
capacitivo

-50
f1
ATE-UO EC osc 40

f2

Cristales piezoelctricos (III)


Modelo simplificado (alrededor de una de las frecuencias
en las que se produce comportamiento inductivo)
Ejemplo: cristal de P de 10 MHz
R

R = 20

L = 15 mH

C = 0,017 pF

CO = 3,5 pF

CO
C

XL(10 MHz)= 21071510-3 = 942 k

Z(f)
1

Im(Z) [M]

0
200 Hz
-1
10,0236

10,024
f [MHz]

10,0244
ATE-UO EC osc 41

Cristales piezoelctricos (IV)


Ejemplo: cristal de P de 10 MHz

En otra escala

R = 20

L = 15 mH

C = 0,017 pF

CO = 3,5 pF

Im(Z) [k]
600
Margen de
comportamiento inductivo

R
L

25 kHz

CO
C

-600

10

10,01

f [MHz]

10,02

10,03
ATE-UO EC osc 42

Cristales piezoelctricos (V)


Calculamos la impedancia del modelo del cristal

L
C

CO

1
1
(Ls+)
COs
Cs
1 (LCs2+1)
Z(s)==
CPs (LCSs2+1)
1
1
+Ls+
COs
Cs
siendo:

CS=

CCO
C+CO

CP=C+CO

Anlisis senoidal: s= j
-j (1-LC2) -j(1/2)2 (1(/1)2)
Z(j)=
=
CP (1-LCS2)
CO
(1(/2)2)

1
1
1=
2=
siendo:
LC
LCS
ATE-UO EC osc 43

Cristales piezoelctricos (VI)


L
C

CO

-j(1/2)2 (1(/1)2)
1=
Z(j)=
CO
(1(/2)2)

1
LC

2=

1
LCS

Como CS < C, entonces: 2 > 1


Si < 1, entonces tambin < 2 y entonces:
Z(j) = -j(cantidad positiva) < 0, es decir, comportamiento capacitivo.
Si 1 < < 2, entonces:
Z(j) = -j(cantidad negativa) > 0, es decir, comportamiento inductivo.
Si 2 < entonces tambin 1 < y entonces:
Z(j) = -j(cantidad positiva) < 0, es decir, comportamiento capacitivo.

Solo se comporta de modo inductivo si 1 < < 2


ATE-UO EC osc 44

Cristales piezoelctricos (VII)


L
C

Resumen:

1=

1
LC

CO

Z(j)=jX()

X()

CS=

CCO
C+CO

2=

1
LCS

-(1/2)2 (1(/1)2)
X()=
CO
(1(/2)2)

Comp.
inductivo

Comportamiento
capacitivo
ATE-UO EC osc 45

Hojas de caractersticas de cristales de cuarzo

ATE-UO EC osc 46

Osciladores a cristal
Se basan en el uso de una red de realimentacin que incluye un
dispositivo piezoelctrico (tpicamente un cristal de cuarzo). Tipos:
Basados en la sustitucin de una bobina por un cristal de cuarzo
en un oscilador clsico (Colpitts, Clapp, Hartley, etc.) El cristal
de cuarzo trabaja el su zona inductiva.
Basados en el uso del cristal de cuarzo en resonancia serie.

Basados en la sustitucin de una bobina por un cristal (I)


+ Vcc
G
RG

L2

C3

C2

C1

+ Vcc

CS

RG

+
LCH
R1

vs osc
-

Xtal

C3
C1

D
CS

+
LCH
R1

vs osc
-

ATE-UO EC osc 47

Osciladores basados en la sustitucin de una bobina


por un cristal (II)
+ Vcc
Condiciones de oscilacin:
G
RG

Xtal

C3

RsC1
g>1
C3

CS
+
LCH

C1

R1

Clculo de la frecuencia de oscilacin :

vs osc
-

XC1(osc)+XC3(osc)+XXtal(osc)=0

Cristal de 10 MHz

R = 20

C = 0,017 pF

CO = 3,5 pF

ATE-UO EC osc 48

Grficamente:
-(XC1()+XC3()), XXtal() []

L = 15 mH

(no depende del cristal)

1000

XXtal()

C1 = C3 = 50pF
500

C1 = C3 = 100pF
C1 = C3 = 500pF

0
f [MHz]
10

10,002

10,004

Osciladores basados en la sustitucin de una bobina


por un cristal (III)
Analticamente:
XC1(osc)+XC3(osc)+XXtal(osc)=0
-(1/2)2 (1(osc/1)2)
XXtal(osc)=
COosc (1(osc/2)2)
-1
-1
XC1(osc)+XC3(osc)=+
C3osc
C1osc

Despejando osc se obtiene:

C
osc=11+
C1C3
+CO
C1+C3
Ntese que 1 < osc < 2 ya que:

C
CO

2=11+
ATE-UO EC osc 49

Osciladores basados en la sustitucin de una bobina


por un cristal (IV)
Ajuste de la frecuencia de oscilacin: modificar el valor de C O
externamente poniendo un condensador Cext en paralelo con el cristal
osc=11+

+ Vcc

C1C3
+CO+Cext
C1+C3

RG

Cext Xtal
10 MHz

1500

XXtal, -(XC1 + XC3) []


Cext = 15pF

1000
500

C1 = C3 = 50pF
0pF

xXtal

0
9,999

10

C1

CS

+
LCH
R1

vs osc
-

10pF
5pF

-(XC1 + XC3)

C3

fosc(Cext=0pF)=10.002,9622kHz
fosc(Cext=5pF)=10.002,5201kHz
fosc(Cext=10pF)=10.002,1929kHz
fosc(Cext=15pF)=10.001,9408kHz

10,001 10,002 10,003

f [MHz]

ATE-UO EC osc 50

Osciladores basados en el uso del cristal de cuarzo


en resonancia serie (I)
D

ve

+ +
- -

vgs

gvgs

Rs
-

vs

ve

+ +
- -

vgs

Rs

gvgs

vs

CO

vsr

R1

Xtal

En este caso:

ver
-

vsr
-

R1 ZXtal=jXxtal

ver
-

RsR1
A(j)(j)=-g
jXXtal+R1+RS

ATE-UO EC osc 51

Osciladores basados en el uso del cristal de cuarzo


en resonancia serie (II)
D

ve

+ +
- -

vgs
S

vsr

R1

Rs

gvgs

jXxtal
Xtal

vs

En oscilacin:

XXta=0 ya que A(josc)(josc)=0


0>-(R1+RS)/(R1RS)>gya que |
A(josc)(josc)|>1

ver
-

Amplificador
con g > 0

+
-

ve

R1
ATE-UO EC osc 52

Rs

gve

Xtal

+
-

vs

Conexin de la carga a un oscilador (I)

+ Vcc
D

L2

C3
C1

CS
+

RL

CL

vs osc

LCH
R1

Carga

CL influye en la frecuencia de oscilacin y RL influye en la


ganancia del transistor.
Hay que conectar etapas que aslen al oscilador de la carga.
ATE-UO EC osc 53

Conexin de la carga a un oscilador (II)

+ Vcc
D

L2

C3
C1

R2
CS
CE

LCH
R1

R3

RL

CL

vs osc
-

Carga

Etapa en colector comn para minimizar


la influencia de la carga en el oscilador.
ATE-UO EC osc 54

Osciladores con transistores bipolares (I)


B

ib

C
ib

Re
E
Z2

Z1
Z3

Z1=jX1
Z2=jX2
Z3=jX3
-X3X1

A(josc)(josc)=-
jRe(X1+X2+X3)-X3(X1+X2)
=0

X1(osc)
A(josc)(josc)=
X3(osc)
ATE-UO EC osc 55

En este caso:

queda:

Estudio y resultados
prcticamente idnticos
al caso de transistores
de efecto de campo.

Osciladores con transistores bipolares (II)


Como: A(josc)(josc)=0(esdecir,POSITIVO), X1y X3 deben
ser del mismo tipo (dos bobinas o dos condensadores).
Como para que el circuito oscile debe cumplirse que
X1(osc)
A(josc)(josc)|>1, entoncesqueda:

>1
X3(osc)

+ Vcc
R1

R3

CB

L2

C1

Colpitts en colector
comn con transistor
bipolar + seguidor de
tensin.

CE1

C3

CE2
LCH
R2

R4

vs osc

+
ATE-UO EC osc 56

Circuitos para limitar automticamente la ganancia en


el transistor (ejemplo con JFET) (I)

+ Vcc
G
RG

D1 C2

L2
Resistencia de
arranque

C3
C1

D
CS

+
LCH

vs osc
-

Diodo para polarizar negativamente la


puerta con relacin a la fuente

ATE-UO EC osc 57

Circuitos para limitar automticamente la ganancia en


el transistor (ejemplo con JFET) (II)
RG
D1

C2
L2

C3

Circuito equivalente

C1

RS

ids

LCH

RG
D1

C2
L2

C3
C1

Thvenin
S
RS

LCH

+
idsRS
ATE-UO EC osc 58

Circuitos para limitar automticamente la ganancia en


el transistor (ejemplo con JFET) (III)
Corriente despreciable
(resistencia muy grande)
RG
D1

C2
L2

C3
C1

Corriente media nula (por


ser condensadores)
S
RS

LCH

Luego: la corriente media por el


diodo debe ser nula. Para ello, C3
debe cargarse de tal forma que no
conduzca el diodo.

+
vSO

Tensin media nula


(por ser una bobina)

ATE-UO EC osc 59

Circuitos para limitar automticamente la ganancia en


el transistor (ejemplo con JFET) (IV)

RG

D1

0
0

C3
C2

vG

G
+

L2

vC1
vC3
vG

nivel de cc

vC3

C1 +
vC1

RS

LCH

vSO

i = 0 (resonancia)
vC1 vSO (ZLCH >> RS)
vC3 = vC1C1/C3 + nivel de cc

nivel de cc

vG = vC1+ vC3

ATE-UO EC osc 60

Circuitos para limitar automticamente la ganancia en


el transistor (ejemplo con JFET) (V)

RG

D1

C3
+

C2

vG

vC3

nivel
de cc

vG

nivel
de cc

G
+

L2

vC3

C1 +
vC1

i=0

RS

LCH

vSO

vC3 (=vGS) tiene un nivel de cc negativo


proporcional al nivel de las seales
que supone una polarizacin negativa
de la puerta con respecto a la fuente
que disminuye la ganancia al crecer el
nivel de las seales
ATE-UO EC osc 61

Condensadores adecuados para osciladores


de alta frecuencia
Deben ser condensadores cuya capacidad vare muy poco
con la frecuencia. Ejemplos:
Condensadores cermicos NP0.
Condensadores de aire (los variables)
Condensadores de mica.
Condensadores de plsticos de tipo Styroflex.

Cermicos NP0

Mica

Styroflex.

ATE-UO EC osc 62

Ejemplos de esquemas reales de osciladores (I)


(obtenidos del ARRL Handbook 2001)

ATE-UO EC osc 63

Ejemplos de esquemas reales de osciladores (II)


(obtenidos del ARRL Handbook 2001)

Hartley

Alimentacin estabilizada

Diodo para polarizar


negativamente la puerta

Separador basado en MOSFET de doble puerta

Transformador para
adaptacin de impedancias
ATE-UO EC osc 64

Ejemplos de esquemas reales de osciladores (III)


(obtenidos en http://www.qrp.pops.net/VFO.htm)

Colpitts

ATE-UO EC osc 65

Ejemplos de esquemas reales de osciladores (IV)


(obtenidos del ARRL Handbook 2001 y de notas de aplicacin de
National Semiconductor)

ATE-UO EC osc 66

Parmetros caractersticas de los osciladores


Margendefrecuencia.
EstabilidadMayorcuantomayoreselfactordecalidadQdela
redderealimentacin.

Potencias(absolutadesalidasobre50)yrendimientos
(Potenciadeseal/potenciadealimentacin).
Niveldearmnicosyespuriaspotenciasrelativasdeunoo
variosarmnicosconrelacinalfundamental.

Pullingoestabilidadfrentealacargausodeseparadores.
Pushingoestabilidadfrentealaalimentacinusode
estabilizadoresdetensin(zeners,78LXX,etc.).

DerivaconlatemperaturaCondensadoresNP0,demica,etc.
EspectroderuidoSedebefundamentalmentearuidodefase.
ATE-UO EC osc 67

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