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rea de Tecnologa

Electrnica

Universidad de
Oviedo

Introduccin a la Electrnica de
Dispositivos
Materiales semiconductores (Sem01.ppt)
La unin PN y los diodos semiconductores
(Pn01.ppt)
Transistores (Trans01.ppt)
Departamento de Ingeniera Elctrica, Electrnica, de
Computadores y de Sistemas
ATE-UO Trans 00

Tipos de transistores
BJT

PNP
NPN
JFET

Canal P
Canal N

FET MESFET Canal N

Acumulacin

MOSFET

Deplexin
BJT:Transistores bipolares de unin.

Canal P
Canal N

Canal P
Canal N

FET: Transistores de efecto de campo.


JFET: Transistores de efecto de campo de unin.
MESFET: Transistores de efecto de campo de metal semiconductor.
MOSFET: Transistores de efecto de campo de metal-oxidosemiconductor.
ATE-UO Trans 01

Caractersticas comunes a todos los


transistores (I)
Son dispositivos (tpicamente) de 3 terminales.

Dos de los tres terminales actan como terminales de


entrada (control).
Dos de los tres terminales actan como terminales de
salida. Un terminal es comn a entrada y salida.

is

ie

Ve

Entrada

Cuadripolo

Vs

Salida
ATE-UO Trans 02

Caractersticas comunes a todos los


transistores (II)
is

ie

La potencia consumida en
la entrada es menor que la
controlada en la salida.

Ve

Entrada

Vs

Salida
Cuadripolo

La tensin entre los terminales de entrada determina el


comportamiento elctrico de la salida.
La salida se comporta como:
Fuente de corriente controlada (zona lineal o activa).
Corto circuito (saturacin).
Circuito abierto (corte).
ATE-UO Trans 03

Caractersticas comunes a todos los


transistores (III)
is
Zona Activa

Vs

is

Zona de
Corte

Vs

Vs

is

Vs=0
is=0

is
+

Vs

is

Zona de
Saturacin

Vs
ATE-UO Trans 04

Transistores bipolares de unin (I)


Transistor PNP: zona P, zona N y zona P
Transistor NPN: zona N, zona P y zona N

Colector (N)

Colector (P)
Base
(N)

PNP

Base
(P)
Emisor (P)

NPN

El emisor debe estar mucho ms


dopado que la base.
La base debe ser mucho ms
pequea que la longitud de difusin
de los mayoritarios del emisor.

Emisor (N)

Muy, muy
importante
ATE-UO Trans 05

Transistores bipolares de unin (II)


PNP Emisor y Colector
(Si) N =1015 atm/cm3 =100 ns
AE
p
NAC=1014 atm/cm3

Lp=0,01 mm

Base
NDB=1013 atm/cm3
n=100 ns Ln=0,02 mm

E
P+

N-

C
P

Portad./cm3

1016
1012

pE

=1015

nB =1013

pB =107

108

nE =105
104

1m

pC =1014
escala
logartmica

nC=106
ATE-UO Trans 06

Polarizacin en Zona Activa (I)


Emisor (P)

Polarizamos las uniones:

Colector (P)

Emisor-Base, directamente
B (N)

Base-Colector, inversamente

VEB

iE

VEB

P+

B
N-

VBC

iB
P

VBC

iC
C

Cmo son las corrientes por los terminales


de un transistor?
Para contestar, hay que deducir cmo son las
corrientes por las uniones. Para ello, es preciso
conocer las concentraciones de los portadores.
ATE-UO Trans 07

Polarizacin en Zona Activa (II)


Portadores en el emisor y en la unin emisor-base (I)

Calculamos el exceso
de huecos en el
comienzo de la base
pB(0):

Portad./cm3

Polarizamos
directamente

Esc.
log.

Emisor

Unin emisor-base

1016
1012
108

pB(0)

pE

pB(0)

nE

104
-0,3 -0,2

pB(0)s.p.
-0,1

Longitud [mm]

Partimos de pE = pB(0)s.p.eVO/VT y de pE = pB(0)e(VO-VEB)/VT


Llegamos a: pB(0) = pB(0)-pB(0)s.p.= (eVEB/VT-1)pB(0)s.p.
Y como pB(0)s.p.= ni2/NDB, queda:

pB(0)=(eVEB/VT-1)ni2/NDB

ATE-UO Trans 08

Polarizacin en Zona Activa (III)


Portadores en el emisor y en la unin emisor-base (II)
Emisor

Unin emisor-base

Esc.
log.

Portad./cm3

1016
1012
108

pE

nE(0)

nE(0)

nE

104
-0,3 -0,2

-0,1

nE(0)s.p.

Longitud [mm]
Procediendo de igual forma con el exceso de concentracin de
los electrones del final del emisor, nE(0), obtenemos:

nE(0)=(eVEB/VT-1)ni2/NAE
ATE-UO Trans 09

Polarizacin en Zona Activa (IV)


Portadores en el colector y en la unin base-colector (I)

Polarizamos
inversamente

Unin basecolector

pC

1016
1012

pB(WB )s.p.

-pB(WB)

108

nC

104

pB(WB)
WB

Procediendo de igual forma con el exceso


de concentracin de los huecos del final de
la base, pB(WB), obtenemos:

pB(WB) =
ATE-UO Trans 10

(eVCB/VT-1)ni2/NDB

Portad./cm3

Colector

Esc.
log.

100
0,3 mm

C (P)

E (P)
B (N)

VEB

En zona activa, VCB< 0

VCB

VBC

Polarizacin en Zona Activa (V)


Portadores en el colector y en la unin base-colector (II)
Unin basecolector

pC

1016
1012

nC(WB )s.p.
nC

-nC(WB)
nC(WB)

WB

Procediendo de igual forma con el exceso


de concentracin de los electrones al
comienzo del colector, obtenemos:

nC(WB) =
ATE-UO Trans 11

108

(eVCB/VT-1)ni2/NAC

104

Portad./cm3

Colector

Esc.
log.

100
0,3 mm

C (P)

E (P)
B (N)

VEB

VCB

VBC

Polarizacin en Zona Activa (VI)


Portadores minoritarios a lo largo del transistor (I)

VBC

VEB
P+

-+

pB(0+)

-pB(WB-)
-nC(WB+)
nCs.p.= ni2/NAC

nEs.p.=
ni2/NAE

ATE-UO Trans 12

N- + -

WB

Polarizamos
en zona activa

Escala lineal
(no exacta)

nE(0-)

0- 0+ WB- WB+

pBs.p.= ni2/NDB

Cmo es la concentracin de los huecos en la base?

Polarizacin en Zona Activa (VII)


Portadores minoritarios a lo largo del transistor (II)
La solucin de la ecuacin de continuidad es (ATE-UO PN136) :
pB(x) =

pB(WB-)

(pB(0+)

VBC

VEB
B
-+

N- + -

senh((WB-x)/LP)
senh(WB/LP)

Como WB<<Lp (base corta) se


cumple que senh (a) a y,
por tanto:
pB(x)=pB(WB-)+(pB(0+)-pB(WB-))(WB-x)/WB=
=pB(WB-)+(pB(0+)-pB(WB-))(WB-x)/WB

WB

pB(0+)

pB(WB-))

El gradiente de la concentracin de
huecos en la base es:

pB(0+)

pBs.p.
pB(WB-)

-pB(WB-)

0+

WB-

d(pB(x))/dx = -(pB(0+)-pB(WB-))/WB

x
ATE-UO Trans 13

Polarizacin en Zona Activa (VIII)


Portadores minoritarios a lo largo del transistor (III)

VBC

VEB
P+

-+

N- + -

WB

pB(0+)

ATE-UO Trans 14

-pB(WB-)
-nC(WB+)
nCs.p.= ni2/NAC

nEs.p.=
ni2/NAE

Escala lineal
(no exacta)

nE(0-)

0- 0+ WB- WB+

Ahora se pueden calcular los gradientes en


los bordes de las dos zonas de transicin

Polarizacin en Zona Activa (IX)


Clculo de los gradientes de los minoritarios
en los bordes de las zonas de transicin
WB

pB(0+)-pB(WB-)
nEs.p.=
ni2/NAE

nCs.p.= ni2/NAC

nE(0-)

0Emisor largo:
(dnE/dx)0- = nE(0-)/LNE

-nC(WB+)

0+

WB-

WB+

Colector largo:
(dnC/dx)WB+ = -nC(WB+)/LNC

Base corta:
(dpB/dx)0+ = -(pB(0+)-pB(WB-))/WB
ATE-UO Trans 15

Polarizacin en Zona Activa (X)


Resumen de los excesos de concentracin de los
minoritarios en los bordes de las zonas de transicin
nE(0-)=(eVEB/VT-1)ni2/NAE
pB(0+)=(eVEB/VT-1)ni2/NDB

pB(WB-) = (eVCB/VT-1)ni2/NDB
nC(WB+) = (eVCB/VT-1)ni2/NAC

Resumen de los valores de los gradientes de los


minoritarios en los bordes de las zonas de transicin
(dnE/dx)0- = nE(0-)/LNE = (eVEB/VT-1)ni2/(NAELNE)
(dpB/dx)0+ = -(pB(0+)-pB(WB-))/WB =
= -((eVEB/VT-1)-(eVCB/VT-1))ni2/(NDBWB)
(dnC/dx)WB+ = -nC(WB+)/LNC = -(eVCB/VT-1)ni2/(NACLNC)
ATE-UO Trans 16

Polarizacin en Zona Activa (XI)


Clculo de las corrientes por las uniones

VBC

VEB

E
P+

-+

juEB

N- + WB

juBC

juEB = qDNEnE(0-)/LNE + qDPB(pB(0+)-pB(WB-))/WB =


= qDNE(eVEB/VT-1)ni2/(NAELNE) + qDPB((eVEB/VT-1)-(eVCB/VT-1))ni2/(NDBWB) =
=(eVEB/VT-1)qni2(DNE/(NAELNE)+DPB/(NDBWB))-(eVCB/VT1)qni2DPB/(NDBWB)
juBC = qDPB(pB(0+)-pB(WB-))/WB - qDNCnC(WB+)/LNC =
= qDPB((eVEB/VT-1)-(eVCB/VT-1))ni2/(NDBWB) - qDNC(eVCB/VT-1)ni2/(NACLNC) =
=(eVEB/VT-1)qni2DPB/(NDBWB)-(eVCB/VT-1)qni2(DPB/(NDBWB)+DNC/(NACLNC))
ATE-UO Trans 17

Polarizacin en Zona Activa (XI)


IE

Clculo de las corrientes por los terminales

VEB
VEB

P+

IB

-+

Seccin A

IE = AjuEB

VBC

juEB

IC = -AjuBC

B N- + WB

VCB

IC
+

juBC

IB = -IC -IE = A(juBC- juEB)

IE =qni2A((eVEB/VT-1)(DNE/(NAELNE)+DPB/(NDBWB))-(eVCB/VT1)DPB/(N
))/V
DBWVBEB
2
VCB/VTT-1)D
IC=-qni A((e
PB/(NDBWB)-(e
1)(DPB/(N2DBWB)+D
/(NACLNC)))
VCB/VT-1)D /(N L ))
T-1)D
IB = -qni A((eVEB/VNC
NE/(NAELNE)+(e
NC
AC NC
ATE-UO Trans 18

Polarizacin en Zona Activa (XII)


Clculo de las corrientes en zona activa (I)
Muy importante!
E (P)
C (P)
Las ecuaciones anteriores valen
B (N)
para cualquier zona de trabajo del
IB
transistor
IE + VEB - - VCB +
Particularizamos para la zona activa:
VEB>>VT, VCB<<-VT (ya que VCB<0, VCB>>VT)
Por tanto:

VEB

IC

VBC

eVEB/VT-1 eVEB/VT y eVCB/VT-1 -1


IE eVEB/VTqni2A(DNE/(NAELNE)+DPB/(NDBWB))
IC - eVEB/VTqni2ADPB/(NDBWB)

IB - eVEB/VTqni2ADNE/(NAELNE)
ATE-UO Trans 19

Polarizacin en Zona Activa (XIII)


Clculo de las corrientes en zona activa (II)
IC/IE

E (P)

-DPB/(NDBWB)
DNE/(NAELNE)+DPB/(NDBWB)

IE

IB
+

VEB

C (P)
B (N)

- -

VCB

IC

Ejemplo:
DPB = 10 cm2/s
DNE = 40 cm2/s
NDB = 1013 atom./cm3 NAE = 1015 atom./cm3
WB = 1 m
LNE = 20 m

DPB/(NDBWB)= 10-8
IC/IE = -0,998

VEB

VBC

DNE/(NAELNE)= 210-11

IB/IE = (-IE - IC)/IE= - 0,002

Vamos a interpretar estos resultados


ATE-UO Trans 20

Polarizacin en Zona Activa (XIV)


Clculo de las corrientes en zona activa (III)
VEB
VBC

IE

+
E

VEB
P+

0,002IE

-+

B N- + -

0,998IE

VCB

+
P

La corriente de emisor IE se relaciona con la tensin emisorbase VEB como en cualquier unin PN polarizada directamente:

IE ISEeVEB/VT.

La corriente que sale por el colector es casi igual a la que


entra por el emisor.

La corriente que sale por el colector no depende de la tensin


colector-base VCB. Por tanto, el colector se comporta como
una fuente (sumidero) de corriente.
Muy importante
ATE-UO Trans 21

Polarizacin en Zona Activa (XV)


Interpretacin con las escalas reales
VBC

VEB=0,3

E
P+
Portad./cm3
1012

N-

C
P

1m

VEBO=0,48V

pB

Escala
lineal

51011

nE

Gradiente muy pequeo


no hay casi corriente
de
minoritarios
del
emisor (electrones)

nC

La posicin vertical de
este punto vara mucho
con VEB.
Para cualquier VBC>0 (es
decir, VCB <0), la posicin
vertical de este punto no
vara casi.

Gradiente constante
ATE-UO Trans 22

Polarizacin en Zona Activa (XVI)


Corrientes por el transistor
Portad./cm3
1012

pB

Escala
lineal

51011

nC

nE

Contacto de base

Corriente mA
3

IE
IpE

-IC
IpB

1,5

InE
0

InB

-IpC
-InC

Gradiente muy pequeo en


el emisor no hay casi
corriente de electrones.
Gradiente muy grande en la
base hay mucha corriente
de huecos.
Calculamos la corriente total
de emisor.

Calculamos la corriente de
huecos en el emisor.
Calculamos la corriente de
electrones en la base.
Gradiente casi nulo en el
colector no hay casi
corriente de electrones.
ATE-UO Trans 23

Polarizacin en Zona Activa (XVII)


Corrientes por el transistor
Concentracin

pB3

Escala
lineal

IE

-IC

pB2
0

nE

Corriente

pB1

nC
Contacto de base

IE3

-IC3

IE2

-IC2

IE1

-IC1

VBC

VEB1 < VEB2 < VEB3

0
ATE-UO Trans 24

Polarizacin en Zona Activa (XVIII)


Definicin del parmetro a directo (I)
Expresin completa de las corrientes:
IE =qni2A((eVEB/VT-1)(DNE/(NAELNE)+DPB/(NDBWB))-(eVCB/VT1)DPB/(N
))/V
DBWVBEB
2
VCB/VTT-1)D
IC=-qni A((e
PB/(NDBWB)-(e
1)(DPB/(NDBWB)+DNC/(NACLNC)))
Salida en cortocircuito (VCB =0):

IE = qni2A(eVEB/VT-1)(DNE/(NAELNE)+DPB/(NDBWB))
IC = -qni2A(eVEB/VT-1)DPB/(NDBWB)
Definimos a:
a = -IC/IE
IE
-IC
VCB=0
C
E
DPB/(NDBWB)
a=
DNE/(NAELNE)+DPB/(NDBWB)
B

VEB

Muy importante

ATE-UO Trans 25

Polarizacin en Zona Activa (XIX)


Definicin del parmetro a directo (II)
Ya habamos obtenido antes (para VCB<0, ATE-UO Trans 20):

IC/IE

-DPB/(NDBWB)

= -a

DNE/(NAELNE)+DPB/(NDBWB)

Luego:

-IC aIE

IE

VEB

-IC

VBC

Tpicamente:

a = 0,99-0,999
Muy, muy importante
ATE-UO Trans 26

Polarizacin en Zona Activa (XX)


Definicin del parmetro b
IE
-IC
Partimos de :
C
E
-IC aIE y IE = -IB -IC
VEB -I
VBC
Eliminando IE queda:
B B
IC IBa/(1-a)
Definimos b:
b = a/(1-a)
Luego:
IC bIB

Valor de b en funcin de la
fsica del transistor:
b = DPBNAELNE /(DNENDBWB)

Tpicamente:

b = 50-200

Muy, muy importante


ATE-UO Trans 27

Polarizacin en Zona Activa (XXI)


Variacin del parmetro b
Aunque a es muy poco variable, b (definida como b =
a/(1-a)) es bastante sensible a las pequeas
variaciones de a.

Ejemplo:
a = 0,99

b = 0,99/(1-0,99) = 99

a = 0,999 b = 0,999/(1-0,999) = 999

bmax
bmin btpica
IC

Los fabricantes usan el


trmino hFE en vez de b.
ATE-UO Trans 28

Polarizacin en Zona Activa (XXII)


Configuraciones base comn y emisor comn
IE

VEB -I
B B

-IC

VEC (> VEB)

IE

VBC

Configuracin base comn

P
E

P
N

VEB -IB B

-IC

VEC-VEB>0

Configuracin emisor comn

Para controlar IC, la fuente


de tensin de entrada VEB
tiene que aportar la
corriente IE -IC/a -IC.

Para controlar IC, la fuente


de tensin de entrada VEB
tiene que aportar la
corriente IB IC/b << IC.
ATE-UO Trans 29

Transistor mal hecho (con base ancha) (I)


VEB=0,3

IE

VBC

IB B

N-

P+

IC

WB>>LP

Portad./cm3
1012

pB

51011

nE
0
Gradiente grande fuerte
corriente de huecos.

nC

Gradiente
muy
pequeo no hay
casi corriente de
electrones.

Gradiente muy pequeo no


hay casi corriente de huecos.
ATE-UO Trans 30

Transistor mal hecho (con base ancha) (II)


Portad./cm3
1012

pB

51011

nE

nC

Densidad de corriente [mA/cm2]


3

1.5

IE
IpE

InE

InB
IpB

-IC

-InC
-IpC
ATE-UO Trans 31

Transistor mal hecho (con base ancha) (III)

IE -IB

VEB=0,3

-IC 0

VBC

-IB B

N-

P+

C
P

WB>>LP

Circuito equivalente
con Base ancha.

IE -IB VEB VBC -IC 0

Densidad de corriente [mA/cm2]


3

1.5

-IB

IE

IpE
InE

InB
IpB

-IC

-InC
-IpC
ATE-UO Trans 32

Polarizacin en Zona de Corte (I)


Clculo de las corrientes en zona de corte
Particularizamos las ecuaciones del
transistor para la zona de corte ( ver
ATE-UO Trans 18):
VEB<<-VT y VCB<<-VT. Por tanto:

E (P)

IE

IB
+

VEB

C (P)
B (N)

- -

VCB

eVEB/VT-1 -1 y eVCB/VT-1 -1

VBE
Se obtiene:
IE -qni2ADNE/(NAELNE)
IC

-qni2ADNC/(NACLNC)

IC

VBC

Muy importante

Las tres corrientes


son muy pequeas

IB qni2A(DNE/(NAELNE) + DNC/(NACLNC))
ATE-UO Trans 33

Polarizacin en Zona de Corte (II)


Comparacin entre las corrientes en zona
activa y en zona de corte
Zona de Corte

IE -qni2ADNE/(NAELNE)
IC -qni2ADNC/(NACLNC)
IB qni2A(DNE/(NAELNE) + DNC/(NACLNC))

Como VT 26mV, eVEB/VT


es muy grande en
condiciones normales
de uso. Por ejemplo, si
VEB = 400mV, entonces

eVEB/VT = 4,8106

Zona Activa
IE eVEB/VTqni2A(DNE/(NAELNE)+DPB/(NDBWB))
IC - eVEB/VTqni2ADPB/(NDBWB)
IB - eVEB/VTqni2ADNE/(NAELNE)

ATE-UO Trans 34

Polarizacin en Zona de Corte (III)


Comparacin entre las concentraciones de
minoritarios en zona activa y corte

Concentracin

pB (activa)

nE (activa)
nE (corte) pB (corte)

Escala
lineal

IE

nC

-IC

VBC

VEB
BE

Corriente

IE (activa)

-IC (activa)

IE (corte)

-IC (corte)
ATE-UO Trans 35

Resumen

Zona Activa

Zona de Corte

-IC aIE y -IB (1-a)IE


-IC -bIB
IE

y IE -(1+b)IB

IE

-IC

VEB -IB

IC 0, IE 0 y IB 0

VBE -IB
VBC

VEB -IB

-IC

Emisor
comn

VBC

VEC

IE

VEC(> VEB)
E

-IC

Base
comn

Base
comn

IE

VBE -IB

-IC

Emisor
comn
ATE-UO Trans 36

Otras condiciones cercanas a las de corte (I)


Cortocircuito entre emisor y base
Particularizamos las ecuaciones del
transistor para la zona de corte ( ver
ATE-UO Trans 18):
VEB=0 y VCB<<-VT. Por tanto:

eVEB/VT-1 = 0 y eVCB/VT-1 -1
IE (VEB=0) =qni2ADPB/(NDBWB))

IE

E
-IB

-IC

VBC

Base comn y
emisor comn

IC (VEB=0) =-qni2A(DPB/(NDBWB) + DNC/(NACLNC))


IB (VEB=0) = qni2ADNC/(NACLNC)
Corrientes muy pequeas, aunque algo mayores que las que
tenamos estrictamente en corte. En general, son despreciables.
ATE-UO Trans 37

Otras condiciones cercanas a las de corte (II)


Emisor en circuito abierto
La corriente de colector que circula es muy
pequea. Es denominada corriente inversa
de saturacin de la unin base-colector con
el emisor en circuito abierto, IC0.

-IC0

VBC

Base en circuito abierto


La corriente de colector que circula es
pequea, pero bastante mayor que la de
casos anteriores. Es denominada corriente
inversa de saturacin emisor-colector con la
base en circuito abierto, IEC0.
Es aconsejable no dejar la base al aire,
siendo mejor cortocircuitarla al emisor o
conectarla a dicho terminal a travs de una
resistencia.

IEC0

VEC

ATE-UO Trans 38

Polarizacin en Zona de Saturacin (I)


Clculo de las corrientes en zona de saturacin
Particularizamos las ecuaciones del
transistor para la zona de saturacin ( ver
ATE-UO Trans 18):
VEB>>VT y VCB>>VT. Por tanto:

eVEB/VT-1

eVEB/VT

Se obtiene:

eVCB/VT-1

eVCB/VT

E (P)

IB

IE +

VEB

VEB

C (P)
B (N)

- -

VCB

IC

VCB

IE = qni2A(eVEB/VT(DNE/(NAELNE) + DPB/(NDBWB)) - eVCB/VTDPB/(NDBWB))


IC=-qni2A(eVEB/VTDPB/(NDBWB) - eVCB/VT(DPB/(NDBWB)+DNC/(NACLNC)))
IB = -qni2A(eVEB/VTDNE/(NAELNE) + eVCB/VTDNC/(NACLNC))

Corrientes de emisor y de colector muy dependientes


de las tensiones emisor base y colector base.
ATE-UO Trans 39

Polarizacin en Zona de Saturacin (II)


Caso habitual: una impedancia en el circuito de
colector y configuracin en emisor comn (I)
-IC
Emisor
comn

VCB +

VEB
-IB

Partimos de un valor moderado de -IB,


de forma que VCB = -V1 - ICR + VEB < 0.
Entonces estamos en zona activa.

Hacemos crecer -IB, de forma que crece -IC.


Llega un momento que VCB >0 e incluso
VCB>>VT.

Si llamamos DB y DC:

P
V1
V1 >VEB

DB = qni2ADPB/(NDBWB)

DC = qni2ADNC/(NACLNC)
La corriente de colector ser:

-IC = eVEB/VTDB - e (-V1 - ICR + VEB)/VT(DB+DC)


ATE-UO Trans 40

Polarizacin en Zona de Saturacin (III)


Caso habitual: Una impedancia en el circuito de
colector y configuracin en emisor comn (II)
Por tanto:

(-IC) = eVEB/VT(DB - e (-V1 +(- IC)R)/VT(DB+DC))


-IC
Emisor
comn

VCB +

VEB
-IB

Si VEB/VT >>1, eVEB/VT .

Entonces:

(-IC)R = V1 + VTln(DB/(DB+DC))

y, como DB>>DC:

(-IC)R V1

P
V1
V1 >VEB

El transistor se
comporta como
un cortocircuito

Muy, muy importante

ATE-UO Trans 41

Polarizacin en Zona de Saturacin (IV)


Comparacin entre las concentraciones de
minoritarios en zona activa y saturacin

Concentracin

pB (lim.)

nE
0

pB (sat.)

pB (activa)

Escala
lineal

nC

Corriente

(satur.)
IIEE (lmite)

-IC (satur.)
(lmite)

IE (activa)

-IC (activa)

Misma pendiente, ya
que la corriente de
colector es ms o
menos constante.

V1/R

ATE-UO Trans 41

Resumen
Zona Activa

Zona de Corte

VEB

VCB
-IB

VCB < 0
-IC aIE y -IB (1-a)IE
-IC -bIB y IE -(1+b)IB

P
V1

VCB
-IB

IE

-IC

-IC

-IC

VCB
-IB

Zona de Saturacin

VBE

IE

VEB
V1

P
IE

IC 0, IE 0

VCB > 0 (VCE 0)

y IB 0

-IC V1/R
Muy, muy importante

ATE-UO Trans 43

V1

Polarizacin en Zona Transistor Inverso (I)


Estamos usando el emisor como si fuera un
colector y el colector como si fuera un emisor

IE
+

VBE
VEB
P+

IC

VCB

IB

-+

B N- + -

VCB

+
P

E
Particularizamos las ecuaciones del transistor para
la zona de transistor inverso ( ver ATE-UO Trans 18):
VEB<<-VT y VCB>>VT. Por tanto:

eVEB/VT-1 -1 y eVCB/VT-1 eVCB/VT


ATE-UO Trans 44

Polarizacin en Zona Transistor Inverso (II)


Queda:
IE -qni2A(DNE/(NAELNE) + DPB/(NDBWB) + eVCB/VTDPB/(NDBWB))
IC qni2A(DPB/(NDBWB) + eVCB/VT(DPB/(NDBWB)+DNC/(NACLNC)))
IB qni2A(DNE/(NAELNE) - eVCB/VTDNC/(NACLNC))
Finalmente, despreciando los trminos no afectados por
eVCB/VT, obtenemos:
IE -qni2AeVCB/VTDPB/(NDBWB)
IC qni2AeVCB/VT(DPB/(NDBWB)+DNC/(NACLNC))
IB -qni2AeVCB/VTDNC/(NACLNC)

Estas ecuaciones son como las de zona activa si hacemos los


siguientes cambios: VEB VCB, VCB VEB, IE IC, IC IE,
DNC/(NACLNC) DNE/(NAELNE) y DNE/(NAELNE) DNC/(NACLNC).
ATE-UO Trans 45

Polarizacin en Zona Transistor Inverso (III)


Conclusin:
Existe cierta reversibilidad en el comportamiento del
emisor y del colector. La gran diferencia es que las
caractersticas fsicas del emisor, DNE/(NAELNE), y del
colector, DNC/(NACLNC), son distintas.
Definicin del parmetro a inverso, aR
aR = -IE/IC

-IE
VEB=0

aR =

DPB/(NDBWB)

E
-IB

IC

VCB

DNC/(NACLNC)+DPB/(NDBWB)

Para distinguir ambos parmetros a vamos a llamar


aF al directo, definido en ATE-UO Trans 25.
ATE-UO Trans 46

IE

Comparacin de aF y aR
E

-IC

-IE

VEB

-IB

aF = -IC/IE

IC

VCB

aR = -IE/IC
VEB=0

VCB=0

aF =

DPB/(NDBWB)
DNE/(NAELNE)+DPB/(NDBWB)

aR =

DPB/(NDBWB)
DNC/(NACLNC)+DPB/(NDBWB)

Ejemplo:
DPB = 10 cm2/s
NDB = 1013 atom./cm3
WB = 1 m

DNE = 40 cm2/s
NAE = 1015 atom./cm3
LNE = 20 m

DPB/(NDBWB)= 10-8

DNE/(NAELNE)= 210-11

aF = 0,998

DNC = 40 cm2/s
NAC = 1014 atom./cm3
LNC = 20 m

DNC/(NACLNC)= 210-10

aR = 0,98

ATE-UO Trans 47

Definicin de bF y bR
Definimos bF:
bF = aF/(1-aF)

Definimos bR:
bR = aR/(1-aR)

Valor de bF en funcin de la
fsica del transistor:
bF=DPBNAELNE /(DNENDBWB)

Valor de bR en funcin de la
fsica del transistor:
bR=DPBNACLNC /(DNCNDBWB)

Ejemplo anterior:
DPB = 10 cm2/s
NDB = 1013 atom./cm3
WB = 1 m

DNE = 40 cm2/s
NAE = 1015 atom./cm3
LNE = 20 m

bF = 500

DNC = 40 cm2/s
NAC = 1014 atom./cm3
LNC = 20 m

bR = 50

En la realidad, estos valores suelen ser menores por


la influencia de otros fenmenos no contemplados.
ATE-UO Trans 48

Modelo de Ebers-Moll de un transistor (I)


Principal idea: buscar un
C (P)
circuito equivalente a un
B (N)
IB
transistor que sea vlido en
V
IE + VEB - - CB + IC cualquier regin de trabajo.
E (P)

Volvemos a escribir las ecuaciones del transistor:

IE = qni2A(DNE/(NAELNE)+DPB/(NDBWB))(eVEB/VT-1) ISE(eVEB/VT-1) = IF
- qni2ADPB/(NDBWB)(eVCB/VT-1)
IC = -qni2ADPB/(NDBWB)(eVEB/VT-1) +
+ qni2A(DPB/(NDBWB)+DNC/(NACLNC))(eVCB/VT-1)
ISC(eVCB/VT-1) = IR
ATE-UO Trans 49

Modelo de Ebers-Moll de un transistor (II)


Por tanto:

IE = IF - qni2ADPB/(NDBWB)(eVCB/VT-1)
siendo:

IRaR

IF = qni2A(DNE/(NAELNE)+DPB/(NDBWB))(eVEB/VT-1)
y tambin:

IC = IR -qni2ADPB/(NDBWB)(eVEB/VT-1)
siendo:

IFaF

IR = qni2A(DPB/(NDBWB)+DNC/(NACLNC))(eVCB/VT-1)

Por tanto, en resumen:

IE = IF - IRaR

IC = IR - IFaF

IF = ISE(eVEB/VT-1)

IR = ISC(eVCB/VT-1)
ATE-UO Trans 50

Modelo de Ebers-Moll de un transistor (III)


Resumen:

IE = IF - IRaR

IC = IR - IFaF

IF = ISE(eVEB/VT-1)

IR = ISC(eVCB/VT-1)
IE

E (P)

IB

IE +

VEB

C (P)

B (N)

- -

VCB

IC

VEB

IF

VCB

IR

IC
C

aRIR IB B aFIF

Muy, muy importante


ATE-UO Trans 51

Modelo de Ebers-Moll de un transistor (IV)


IE = IF - IRaR

IE

IC = IR - IFaF

IF = ISE(eVEB/VT-1)
IR = ISC(eVCB/VT-1)

VEB

IF

VCB

IC

IR

aRIR IB B aFIF

De las ecuaciones anteriores se deduce:

qni2ADPB/(NDBWB)(eVCB/VT-1) = ISCaR(eVCB/VT-1)

qni2ADPB/(NDBWB)(eVEB/VT-1) = ISEaF (eVEB/VT-1)


Por tanto: ISCaR = ISEaF = IS
Consecuencia:

Slo hacen falta tres parmetros para definir el


modelo de Ebers-Moll de un transistor: IS, aF y aR.
ATE-UO Trans 52

Clculo de IC0
IE=0 + VEB -

VCB

E I
F

IC=IC0

IR C

aRIR IB B aFIF
VBC

-IC0

VBC

Partiendo de:

0 = IF - IRaR
IC0 = IR - IFaF
IF = ISE(eVEB/VT-1)
IR = ISC(eVCB/VT-1)

Se obtiene: IC0 = ISC(eVCB/VT-1)(1-aRaF) y como VCB<<-VT,

IC0 = -ISC(1-aRaF) = -IS(1-aRaF)/aR

ATE-UO Trans 53

Particularizando el modelo para


polarizacin en Zona Activa

-IC0

Partiendo de:
E (P)

IE = IF - IRaR
IC = IR - IFaF
IF = ISE(eVEB/VT-1)
IR = ISC(eVCB/VT-1)

C (P)

IB

IE

VEB

VEB

B (N)

- -

VCB

-IC

VBC

Se obtiene -IC = -IR(1-aRaF) + IEaF y como VCB<<-VT, queda:

-IC = ISC(1-aRaF) + IEaF = -IC0 + IEaF


y como IB + Ic + IE = 0, se obtiene:

Muy importante

IC = IC0(1+bF) + IBbF
stas son mejores aproximaciones que -IC aFIE y IC bFIB
ATE-UO Trans 54

Comparacin entre IC0, IC (corte), IC (VEB=0) y IEC0


E

-IC0

VBC

VBE

-IC (corte)
C

B VBC

-IC (VEB=0)
C

B VBC

IEC0

B VEC

Partiendo del modelo de Ebers-Moll, se obtiene:

IC (corte) = -ISC(1-aR) = -IS(1-aR)/aR = IC0(1-aR)/(1-aRaF)

IC (VEB=0) = -ISC = -IS/aR = IC0/(1-aRaF)


IEC0 = ISC(1-aRaF)/(1-aF) = IS(1-aRaF)/((1-aF)aR) =- IC0/(1-aF)
En resumen:
IC (corte) IC0

IC (VEB=0) IC0(1+bR)

IEC0 = -IC0(1+bF)

IC (corte)< IC0< IC (VEB=0)< IEC0


ATE-UO Trans 55

Efecto Early
Portad./cm3
1012

pB (VBC1)

Escala
lineal

51011

nE

pB (VBC2)

WB

VEB

B VBC

nC

VBC1 < VBC2

WB
Al aumentar la tensin Base-Colector VBC, el ancho de la zona de
transicin tambin aumenta, por lo que el ancho efectivo de la
Base WB disminuye. Al disminuir el ancho efectivo de la base
aumenta la corriente de emisor (ya que aumenta el gradiente de
minoritarios de la base), y tambin disminuye la corriente de base
(ya que disminuyen las recombinaciones, ahora despreciadas, de
minoritarios en ella).

ATE-UO Trans 56

Curvas caractersticas en base comn (I)


Referencias normalizadas
E

IE

IB
+

VEB

- -

VCB

IE [mA]
20
Curvas de
entrada

VCB=-5V
VCB=
-10V

IC
0

VCB=0
VEB [V]
0,6

Para una determinada tensin VEB, la corriente de


emisor crece con la tensin inversa aplicada entre
colector y base (efecto Early). Este efecto no es muy
significativo.
Cuando VEB=0 y VCB<<-VT, la corriente de emisor es
ligeramente positiva (ver ATE-UO Trans 37). Es un detalle
no muy importante.
ATE-UO Trans 57

Curvas caractersticas en base comn (II)


Referencias normalizadas
E

IE

IB
+

Curvas de salida
IC [mA]
IE=50mA

VEB

- -

VCB

IC

IE=40mA

-40

IE=30mA
IE=20mA

-20

IE=10mA
IE=0mA VCB [V]
0
En polarizacin en zona
activa, se comporta como
una fuente de corriente.

-2

-4

IC0

-6

Muy importante
ATE-UO Trans 58

Curvas caractersticas en base comn (III)


Zonas de trabajo
Referencias normalizadas
E

IE

IB
+

Curvas de salida
IC [mA]
IE=50mA

VEB

- -

VCB

Saturacin

IC

-40

IE=30mA
IE=20mA

-20

Zona Activa
Muy importante

IE=40mA

IE=10mA
IE=0mA VCB [V]

-2

-4

IC0

-6

Corte
ATE-UO Trans 59

Curvas caractersticas en emisor comn (I)


Referencias normalizadas

IC
+
-

IB

VCE

VBE

VCE=-5V

IB[A]
-100

Curvas de
entrada

VCE=0
VCE=-10V

VBE[V]

-0,6
0
Para una determinada tensin VBE, la corriente de base
decrece con la tensin inversa aplicada entre colector y
emisor (efecto Early). Este efecto no es muy
significativo.
Cuando VBE=0 y VCB<<-VT, la corriente de base es
ligeramente positiva (ver ATE-UO Trans 37). Es un detalle
no muy importante.
ATE-UO Trans 60

Curvas caractersticas en emisor comn (II)


Curvas de salida
IC [mA]
IB=-400A

Referencias normalizadas

IC
+
-

IB

VCE

VBE

-40

IB=-300A
IB=-200A

-20

IB=-100A
0

En zona activa, se comporta


como una fuente de corriente,
como ocurra en base comn,
pero con un comportamiento
algo menos ideal.

-2

IB=0
A
-4

VCE [V]
-6

-IEC0 =IC0(1+bF)
Muy importante
ATE-UO Trans 61

Curvas caractersticas en emisor comn (III)


Zonas de trabajo
Curvas de salida
IC [mA]
IB=-400A

Referencias normalizadas

IC
+
-

B
VBE

IB

VCE
E

-40

IB=-300A

IB=-200A

-20

IB=-100A

Saturacin
Zona Activa

-2

IB=0
A
-4

VCE [V]
-6

Corte
Muy, muy importante
ATE-UO Trans 62

Anlisis grfico en emisor comn


-IC [mA]

-IC

-IB=400A

40

R=200W

-IB=300A

-IB

20

-VCE
V1

-IB=200A
-IB=100A

+
V2=6V

-VCE [V]

IB=0A

-IB = 0 -IC 0 -VCE 6V Corte

Recta de carga

-IB = 100A -IC 10mA -VCE 4V Zona activa


-IB = 200A -IC 20mA -VCE 2V Zona activa

-IB = 300A -IC 30mA -VCE 0,4V Saturacin


-IB = 400A -IC 30mA -VCE 0,4V Saturacin

ATE-UO Trans 63

La corriente de colector como funcin de la


corriente de base.
IC

Saturacin

Esta representacin justifica


en trmino saturacin.

Corte

IB
Determinacin del estado en zona
activa o en saturacin en circuitos

Zona Activa: IC IBbF


Saturacin: IC < IBbF
ATE-UO Trans 64

El transistor bipolar ideal


Curvas de salida

Curvas de entrada

Unin PN ideal

IE
E

Circuito
equivalente

IC

b= Cte.

IC4
IC3

IB4
IB3

IC2
IC1

IB2
IB1

IB0

VCE

-IC
C

-IB

Muy importante

B aIE
-bIB

ATE-UO Trans 65

Anlisis grfico en emisor comn


con un transistor ideal
-IC [mA]
-IC

R=200W

200A

20

-VCE
V1

300A

30
-

-IB

400A

40

-IB= 100A

10

-IB=0

V2=6V

-IB = 0 -IC = 0 -VCE = 6V Corte

-VCE [V]

-IB = 200A -IC = 20mA -VCE = 2V Z. activa


-IB = 300A -IC = 30mA -VCE = 0V Saturacin
-IB = 400A -IC = 30mA -VCE = 0V Saturacin
ATE-UO Trans 66

Anlisis del funcionamiento de un


transistor ideal en emisor comn (I)
Zona activa
-IC

Como VCB < 0, el diodo


CB no puede conducir.

R2
+

C
(P)

-bIB

VCB
-IB

R1
V1

Por tanto:

(N)

V2

(P)

IC = bIB

Muy importante

ATE-UO Trans 67

Anlisis del funcionamiento de un


transistor ideal en emisor comn (II)
Corte

Como IB = 0, la fuente de
corriente no conduce
corriente.

-IC

R2
+

-bIB

VCB
IB=0

R1
V1

Como VCB < 0, el diodo


CB no puede conducir.

C
(P)

V2

(P)

Por tanto:

(N)

IC = 0

E
Muy importante

ATE-UO Trans 68

Anlisis del funcionamiento de un


transistor ideal en emisor comn (III)
Saturacin

Como b(-IB) >V2/R2, el


diodo CB conduce.

-IC

R2
+

C
(P)

(N)

VCB
-IB

R1
V1

b(-IB)

VCB = 0, -IC = V2/R2

V2

(P)

Por tanto:

Muy importante

ATE-UO Trans 69

Transistores NPN
Todo lo dicho para transistores PNP se aplica a los NPN sin ms que:
Mantener todos los tipos de polarizacin (directa o inversa).
Cambiar los sentidos de todas las fuentes de tensin que hemos
dibujado. Por convenio mantendremos los sentidos en los que
medimos las tensiones.
Cambiar los sentidos de todas las circulaciones reales de corriente.
Por convenio mantendremos los sentidos en los que medimos las
corrientes.
-IC
IC
NPN, z.
PNP, z.
activa
activa

VCB
-IB

VCB < 0
-IC aIE
IC bIB

N
VEB

VCB
IB

P
IE

V1

VCB > 0
IC a(-IE)
IC bIB

VBE

N
N
-IE

V1
ATE-UO Trans 70

Resumen con transistores NPN


IC

NPN, z.
activa

VCB
IB

R
+

VCB
IB

P
VBE

IC

NPN,
corte

-IE

VCB > 0
IC a(-IE)
IC bIB

V1

VCB
IB

VEB

-IE

IC

NPN,
saturacin

V1

VBE

N
N
-IE

IC 0, IE 0

VCB < 0 (VCE 0)

y IB 0

IC V1/R

Muy, muy importante


ATE-UO Trans 71

V1

Curvas caractersticas en emisor comn en un


transistor NPN
Referencias
normalizadas

B
VBE

100

VCE
E

VCE=5V

IB[A]

IB

+
-

IC

VCE=0

Curvas de
entrada

VCE=10V
VBE[V]

IC [mA]
40

IB= 400A

0,6

IB= 300A
Curvas de
salida

IB= 200A

20

IB= 100A

IB=0A VCE [V]


0

Todas las magnitudes


importantes son positivas

6
ATE-UO Trans 72

Circuitos equivalentes para un transistor NPN


IE = -IF + IRaR

IE

IC = -IR + IFaF

IF = ISE(eVBE/VT-1)
IR = ISC(eVBC/VT-1)
-IE
E

Circuito
equivalente ideal

VBE

VBC

IR

IF

IC

aRIR IB B aFIF
IC

Modelo de
Ebers-Moll

IB
B a(-IE)
bIB

ATE-UO Trans 73

Encapsulado de transistores
Encapsulado
TO-92

Encapsulado
TO-126 (SOT-32)

Encapsulado
TO-220

BC548 (NPN)
BC558 (PNP)
Encapsulado
TO-3

BD135 (NPN)
BD136 (PNP)

MJE13008 (NPN)
IRF840 (MOSFET, N)
BDX53C (Darlington)

2N3055 (NPN)
BU326 (NPN)
ATE-UO Trans 74

Forma real de los transistores


Antiguo transistor
PNP de aleacin

Transistor NPN plano


de doble difusin

N-

SiO2

P+

E
N+

P-

N+

B
C

ATE-UO Trans 75

Resistencia de base

Parte que realmente


acta como transistor

E
P+

N-

P+

Existe una resistencia


relativamente alta al estar
la base poco dopada. La
llamamos RB.
IE
E

VEB

IR

IF

aRIR IB B aFIF

Modelo de Ebers-Moll modificado

B
ATE-UO Trans 76

VCB

RB

IC
C

Efectos dinmicos en los transistores (I)


Como en el caso de las uniones PN en general, se
caracterizan como:
Capacidades parsitas (aplicaciones lineales)
Tiempos de conmutacin (en conmutacin)
El tiempo ms largo es el de retraso por el almacenamiento de
portadores minoritarios en la base, tS.

Transistor saturado

Concentracin

P+

nE
0

N-

pB (sat.)

pB corte

nC

Para
cortar
el
transistor hay que
eliminar
todo
este
exceso de portadores.

Transistor cortado
ATE-UO Trans 77

Efectos dinmicos en los transistores (II)


Cmo disminuir el de retraso por el almacenamiento
de portadores minoritarios en la base, tS?
a) No dejando que el transistor se sature muy
intensamente (que quede en el lmite zona activasaturacin).
b) Extrayendo los minoritarios de la base polarizando
inversamente la unin base emisor.
pB (sat.)

Situacin menos
deseable (muy saturado)

pB (lim.)
Situacin ms deseable
(en el lmite)
(desde en punto de vista de la rapidez).
ATE-UO Trans 78

Efectos dinmicos en los transistores (III)


Circuitos de antisaturacin:

R2

R1

V2
VCB +
N
P

El transistor se queda en el
lmite entre saturacin y zona
activa.

R2

V1
Con diodo Schottky
Estos diodos impiden la
polarizacin directa de la
unin CB.

R1

VCB +
N
P

V2

V1
Con 3 diodos
ATE-UO Trans 79

Efectos dinmicos en los transistores (IV)


Circuito con extraccin lenta
de los minoritarios de la base.

R2
Saturacin

V1

V2

R1

N
P

Corte +

Circuito para la extraccin


rpida de los minoritarios de la
base.

VBE C1

+ Saturacin

Esta corriente es la
V1
de eliminacin de
los minoritarios de
la base

Corte

R1/2

R2
V2

R1/2

+
VBE

ATE-UO Trans 80

Fototransistores y fotoacopladores
Un fototransistor es un transistor en el que la
incidencia de luz sobre la zona de la base
influye mucho en la corriente de colector. La
luz juega un papel semejante al de la
corriente de base.

Smbolo

R2

R2

IC

Optoacoplador
F.T.

+ ILED
N
P

Fotodetector

IC

V2

V2
LED

IC/ILED 1-0,2
Muy importante
ATE-UO Trans 81

Estructura de los transistores de efecto de


campo de unin, JFET (canal N)

P+
NFuente
(S)

Canal

Drenador
(D)

P+
Puerta (G)
G

JFET (canal N)
Smbolo

G
Otros smbolos

G
canal N

S canal P

JFET (canal P)
Smbolo

S
ATE-UO Trans 82

Principio de funcionamiento de los transistores


de efecto de campo de unin, JFET (I)

P+
NFuente
(S)

P+

Drenador
(D)

Puerta (G)
Zona de transicin en zona muy dopada estrecha
Zona de transicin en zona poco dopada ancha
ATE-UO Trans 83

Principio de funcionamiento de los transistores


de efecto de campo de unin, JFET (II)

P+
(S)

(D)

N-

P+

VV12

(G)

V1 < V2

Segn aumenta la tensin drenador-fuente, aumenta


la resistencia del canal, ya que aumenta la zona de
transicin, que es una zona de pocos portadores.
ATE-UO Trans 84

Principio de funcionamiento de los transistores


de efecto de campo de unin, JFET (III)
ID
G

D
+
VDS
S

Evolucin si la resistencia
no cambiara con la tensin.
ID

VDS
Evolucin real en un JFET
(la resistencia cambia con
la tensin aplicada).

V1

V2
ATE-UO Trans 85

Principio de funcionamiento de los JFET (IV)

P+
(S)

N-

VPO

(D)

VDS

P+
(G)

VDS=VPO > V2

Si se aumenta ms la tensin drenador-fuente, la zona de transicin


llega a dejar una parte del canal con muy pocos portadores. La
corriente de drenador no cesa (si cesara no se formara el perfil de
zona de transicin que provoca esta situacin). La tensin VDS a la
que se produce la contraccin total del canal recibe el nombre de
tensin de contraccin (pinch-off), VPO.

ATE-UO Trans 86

Principio de funcionamiento de los JFET (V)

P+
(S)

N-

LZTC

LC

(D)
VDS

P+
(G)

VDS=V3 > VPO

Si se aumenta la tensin drenador-fuente por encima de VPO, va


aumentando la parte del canal que ha quedado con muy pocos
portadores, LZTC (longitud de la zona de transicin en el canal). Sin
embargo, el aumento de
LZTC al aumentar
VDS es pequeo
comparado con la longitud del canal, LC.
ATE-UO Trans 87

Principio de funcionamiento de los JFET (VI)

P+
-

VPO

LZTC
+ L
ZTC

(D)

(S)

N-

VDS

P+
(G)

VDS=V4 > V3

Si LZTC << LC (hiptesis de canal largo) y admitimos que el perfil de


portadores en la parte no contrada del canal no ha cambiado,
tenemos que admitir que la tensin en dicha parte es VPO.
Luego la corriente que circula es la necesaria para dar la misma cada
de tensin sobre el mismo perfil de canal misma corriente que
cuando aplicbamos VPO corriente constante por el canal cuando
VDS>VPO.
ATE-UO Trans 88

Resumen del principio de funcionamiento de


los JFET cuando VGS = 0
VDS=0
ID

Comportamiento
resistivo
Comportamiento como
fuente de corriente

VDS=V1

VDS=V2
VDS

VDS=VPO
VDS=V3

V1 V2 VPO

V3

V4

VDS=V4
ATE-UO Trans 89

Qu pasa si VGS 0?

P+

VPO

(S)

N-

Con VGS=0, la
contraccin ocurre
cuando VDS = VDSPO =VPO.

(D)

+
-

VDS=VPO

P+
(G)

N-

P+

VPO

(S)
P+

+
-

(D)

+
VD

(G)

UB

+
VGS
-

El canal es siempre
ms estrecho, al estar
polarizado ms
inversamente
mayor resistencia
UA La contraccin se
produce cuando:
VDS=VDSPO=VPO + VGS

Es decir:
VDSPO = UA = VPO - UB

Cuando VGS < 0, la corriente que circula es menor y la


contraccin se produce a una VDS menor.
ATE-UO Trans 90

Curvas caractersticas de un JFET (canal N)


Referencias
normalizadas

D
G
+
VGS
-

Curvas de salida
ID [mA]

ID

+
VDS
-

Curvas de entrada:
No tienen inters
(unin polarizada
inversamente)

VGS = 0V

VGS = -0,5V

VGS = -1V
VGS = -1,5V
VGS = -2V

VDS [V]

Contraccin del canal


Muy importante

Contraccin producida cuando:


VDSPO=VPO + VGS
ATE-UO Trans 91

La tensin VPO
P+
N-

(D)

(S)
P+
(G)

UB1

+
VGS
-

P+
N(S)
P+
(G)

UB1< UB2

+
VGS = -VPO
-

(D)

Cortocircuitamos el
drenador y la fuente y
aplicamos tensin
entre puerta y fuente.

Cuando la tensin VGS


alcanza un valor
negativo
suficientemente
grande, la zona de
transicin invade
totalmente el canal.
Este valor es el de
contraccin del canal,
VPO.
ATE-UO Trans 92

Anlisis grfico de un JFET en fuente comn


ID
2,5KW

D
G
+
VGS
-

ID [mA]
VGS = 0V

VGS = -0,5V

+
VDS
-

VGS = -1V

10V

VGS = -1,5V
VGS = -2V

12 VDS [V]
VGS = -2,5V

VGS = 0V > -0,5V > -1V > -1,5V > -2V > -2,5V

Comportamiento resistivo

Muy
importante

Comportamiento como fuente de corriente


Comportamiento como circuito abierto
ATE-UO Trans 93

Clculo de las corrientes en la zona de fuente


de corriente (canal contrado)
Partimos de conocer el valor de la corriente de drenador
cuando VGS = 0 y el canal est contrado, ID0PO.

ID [mA]
4
Tambin se conoce la
tensin de contraccin
del canal, VPO

Ecuacin ya conocida:

VDSPO = VPO + VGS


Ecuacin no demostrada:

ID0PO
IDPO

VGS = 0V
VGS = -0,5V

VGS = -1V
VGS = -1,5V
VGS = -2V

IDPO ID0PO(1 + VGS/VPO)2

12 VDS [V]

VGS = -VPO
Muy importante
ATE-UO Trans 94

Comparacin entre transistores bipolares y


JFET (I)
IC
I
D

R
IB

V1

B (P)

+
VBE
-

C (N)
V
2

E (N)

Muy importante

IG 0 G (P)
V1

+
VGS
-

D
N

V
2

En ambos casos, las tensiones de entrada (VBE y VGS) determinan


las corrientes de salida (IC e ID).

En zona de comportamiento como fuente de corriente, es til


relacionar corrientes de salida y entrada (transistor bipolar) o
corriente de salida con tensin de entrada (JFET).
La potencia que la fuente V1 tiene que suministrar es mucho ms
pequea en el caso del JFET (la corriente es casi cero, al estar
polarizada inversamente la unin puerta-canal).
ATE-UO Trans 95

Comparacin entre transistores bipolares y


JFET (II)
Corriente de electrones
en todo el dispositivo

N-

P+

(transistor unipolar)
(D)

(S)

+
UA

P+
(G)

UB

+
VGS
-

VD
S

Muy
importante

El JFET es ms rpido al ser un dispositivo unipolar (conduccin no


determinada por la concentracin de minoritarios).
El JFET puede usarse como resistencia controlada por tensin, ya
que tiene una zona de trabajo con caracterstica resistiva.
Para conseguir un comportamiento tipo cortocircuito hay que
colocar muchas celdas en paralelo.
ATE-UO Trans 96

Estructura real de un JFET de canal N


SiO2

S
N+
N-

D
N+

P+

P+

Contactos metlicos

Canal N

G
Uso de un JFET de canal P
R
Hay que invertir los sentidos reales
de tensiones y corrientes para operar I 0
G
G (N)
en los mismas zonas de trabajo.
V1
ATE-UO Trans 97

+
VGS
-

D
P
S

V
2

-ID

Los transistores de efecto de campo de unin


metal-semiconductor MESFET
Contacto rectificador (Schottky)

G
N-

N+

D
N+

GaAs aislante

ID

VGS > 0

GaAs

Contactos
hmicos

VGS = 0

VGS<0

VDS

Pequea
polarizacin
directa GS

Tensin GS
nula

Polarizacin
inversa GS,
zona resistiva

Polarizacin
inversa GS, zona
f. de corriente
ATE-UO Trans 98

Los transistores de efecto de campo de metalxido-semiconductor, MOSFET


Estructura
Nombre
Contactos
SiO2

Metal

metlicos

N+
P-

N+

Metal

G D

xido
Semiconductor

Substrato
Smbolo
G

Smbolo

Substrato
S MOSFET de enriquecimiento
(acumulacin) de canal N

MOSFET de S
enriquecimiento
de canal P
ATE-UO Trans 99

Principios de operacin de los MOSFET (I)


G

S ++ ++
- +

- N+

N+
P-

Zona de transicin
(con carga espacial)
V1

Substrato

S +++
++ +++
++

-- N+

V2 > V1

-- --

N+ -P-

Se empieza a formar una


capa de electrones
(minoritarios del substrato)

Substrato

ATE-UO Trans 100

Principios de operacin de los MOSFET (II)


G

S ++++

++++

N+ -- -- - - -- N+
P+

Substrato

Esta capa de minoritarios es


llamada capa de inversin

V3 = V TH > V2
Esta capa es una zona de
transicin (no tiene casi
portadores de carga)

Cuando la concentracin de los electrones en la capa formada es


igual a la concentracin de los huecos de la zona del substrato
alejada de la puerta, diremos que empieza la inversin. Se ha creado
artificialmente una zona N tan dopada como la zona P del substrato.
La tensin a la que esto ocurre es llamada tensin umbral
(threshold voltage), VTH.
ATE-UO Trans 101

Principios de operacin de los MOSFET (III)


G

Situacin con tensin


mayor que la de umbral

S +++++ +++++

N+ -- - -- -- - -- N+
PVDS

ID

V4 > V TH

P
Substrato

S +++++ +++++

N+ -- - -- -- - -- N+
PSubstrato

Conectamos la fuente al
substrato.

VGS

Conectamos una fuente de


tensin entre los terminales
fuente y drenador.

Cmo es la corriente de
drenador?
ATE-UO Trans 102

ID 0

VDS 0

S +++++ +++++

Principios de operacin de
los MOSFET (IV)

N+ -- - -- -- - -- N+
P-

VGS

Substrato

El canal se empieza a contraer


segn aumenta la tensin VDS.

La situacin es semejante a la
que se da en un JFET.

ATE-UO Trans 103

Existe un canal entre drenador


y fuente constituido por la capa
de inversin que se ha formado.
Con tensiones VDS pequeas
(<<VGS), el canal es uniforme.

VDS =VDS1 >0

S +++++ +++++
N+
P-

ID

- - - - - - - - - N+

Substrato

VGS

VDS2=VDSPO >VDS1
ID

S +++++ +++++
N+
P-

- - -------

D
N+

VGS

Principios de operacin
de los MOSFET (V)
El canal formado se contrae
totalmente cuando VDS = VDSPO.

VDS3 >VDSPO

Substrato

ID

Cuando VDS > VDSPO, el MOSFET


se comporta como una fuente
de corriente (como en el caso de
los JFET).

S +++++ +++++
N+
P-

- - -------

Substrato
ATE-UO Trans 104

D
N+

VGS

Principios de operacin de los MOSFET (VI)


VDS2 > VDS1

VDS1

ID 0

I D 0

S
N+
PSubstrato

D
N+

S
N+
P-

D
N+

Substrato

Si VGS = 0, la corriente de drenador es prcticamente


nula. En general, si VGS <VTH, no hay casi canal
formado y, por tanto, no hay casi corriente de
drenador.
ATE-UO Trans 105

Curvas caractersticas de un MOSFET de


enriquecimiento de canal N
Referencias
normalizadas

G
+
VGS
-

+
VDS
S -

Curvas de entrada:
No tienen inters
(puerta aislada del canal)

Curvas de salida
ID [mA]

ID

VGS = 4,5V

VGS = 4V

VGS = 3,5V
VGS = 3V
VGS = 2,5V

VDS [V]

6
VGS < VTH =
2V

Muy importante
ATE-UO Trans 106

Anlisis grfico de un MOSFET en fuente comn


ID
2,5KW
D

G
S

+
-

VGS

+
VDS
-

ID [mA]
VGS = 4,5V

VGS = 4V

VGS = 3,5V

10V

VGS = 3V
VGS = 2,5V

12 VDS [V]
VGS < VTH = 2V

VGS = 0V < 2,5V < 3V < 3,5V < 4V < 4,5V

Comportamiento resistivo

Muy
importante

Comportamiento como fuente de corriente


Comportamiento como circuito abierto

ATE-UO Trans 107

Clculo de las corrientes en la zona de fuente de


corriente (canal contrado) y de la tensin umbral
Ecuaciones no demostradas:

IDPO (VGS - VTH)2ZnCox/2LC


VTH 2fF + (ersxox/erox)(4qNAfF/(erse0))1/2
Z = longitud en el eje perpendicular a la representacin.
Cox = Capacidad del xido por unidad de rea de la
puerta.
ers, erox y e0 = permitividades relativas del
semiconductor y del xido y permitividad absoluta.

xox = grosor del xido debajo de la puerta.


fF =VTln(NA/ni)
ATE-UO Trans 108

Los MOSFET de deplexin (I)


G

S
N+ N

Existe canal sin necesidad de aplicar


tensin a la puerta. Se podr establecer
circulacin de corriente entre drenador
y fuente sin necesidad de colocar
tensin positiva en la puerta.

N+

PSubstrato

P-

S
N+

+++ +++
N-

- - - - - -

VGS=V1
N+

V1
Substrato

Modo ACUMULACIN:
Al colocar tensin positiva
en la puerta con relacin al
canal, se refuerza el canal
con
ms
electrones
procedentes del substrato.
El canal podr conducir
ms.
ATE-UO Trans 109

Los MOSFET de deplexin (II)

--- ---

+
VGS=-V1

P-

N+

+ + + + + +

N-

Substrato

N+
+

V1

Operacin en modo DEPLEXIN:


Se debilita el canal al colocar tensin negativa en la
puerta con relacin al substrato. El canal podr
conducir menos corriente.
ATE-UO Trans 110

Los MOSFET de deplexin (III)


Cuando se aplica tensin entre drenador y fuente se
empieza a contraer el canal, como ocurre en los otros
tipos de FET ya estudiados. Esto ocurre en ambos
modos de operacin.
VDS
VDS
ID
ID

S
P-

N+

- - - N-

Substrato

+++ +++

N+
- +

Modo acumulacin

V1

P-

N+

N-

--- --+ + + + + +
+ +

Substrato

N+

V1

Modo deplexin
ATE-UO Trans 111

Comparacin entre las curvas caractersticas de


los MOSFET de enriquecimiento y de deplexin
4

Muy importante

ID [mA] Enriquecimiento
VGS = 4,5V
VGS = 4V

ID [mA]

VGS = 3V
VGS = 2,5V

Deplexin

VGS = 1V

6 VDS [V]

Modo acumulacin

VGS = 0V
VGS = -0,5V
VGS = -1V

VGS < VTH = 2V

VGS = 0,5V

VGS = 3,5V

4
VGS < -1,5V

Modo deplexin

6 VDS [V]
ATE-UO Trans 112

Comparacin entre los smbolos de los MOSFET


de enriquecimiento y de deplexin con ambos
tipos de canal
D

S
Tipo
enriquecimiento

Tipo S
deplexin

S
Tipo
enriquecimiento

S
Tipo
deplexin

Canal N

Canal P

ATE-UO Trans 113

Comparacin de los circuitos de polarizacin


para trabajar en zona resistiva o en zona de fuente
de corriente con MOSFET de ambos tipos de canal
ID

R
D
G
S

+
V1

+
VDS
-

VGS

Canal N

-ID

D
G

V2

+
V1

+
VDS
-

V2

VGS

Canal P

Hay que invertir los sentidos reales de tensiones y


corrientes para operar en los mismas zonas de trabajo.
ATE-UO Trans 114

Comparacin entre transistores JFET y MOSFET


ID

ID

R
IG 0
V1

D
G

+
2
VGS
S
JFET, canal N

IG = 0

G
S

+
V1

V2

VGS

MOSFET, canal N

La potencia que la fuente V1 tiene que suministrar estticamente


en un MOSFET es cero. Por tanto, la corriente IG es ms pequea
an que en el caso del JFET (que es casi cero, al estar polarizada
inversamente la unin puerta-canal).

La tensiones V1 y V2 comparten terminales del mismo signo en el


caso del MOSFET. Esto facilita el control.
Muy importante
ATE-UO Trans 115

Precauciones en el uso de transistores MOSFET


S
N+
P-

D
N+

D
G
S

Substrato
El terminal puerta al aire es muy sensible a los ruidos.
El xido se puede llegar a perforar por la electricidad
esttica de los dedos. A veces se integran diodos zener
de proteccin.
Existe un diodo parsito entre fuente y drenador en los
MOSFET de enriquecimiento.
ATE-UO Trans 116