Transistores

De La Cruz De La Cruz Heber

Gonzales Altamirano Miguel

Chozo Valdera Yhon
Castaeda Mendoza Ivn

Prez Mazabel Cristin

Transistores
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado
para producir una seal de salida en respuesta a otra seal de
entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador. El trmino transistor es la contraccin en ingls de
transfer resistor (resistencia de transferencia). Actualmente se
encuentran prcticamente en todos los aparatos electrnicos de uso
diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo, computadoras, lmparas fluorescentes, tomgrafos,
telfonos celulares, etc.

El transistor de unin
Polarizacin
El amplificador
Modelos

El transistor de efecto campo

El JFET
El MOSFET
Presentacin por Jos Quiles Hoyo

Transistores

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

El transistor bipolar de unin

(BJT)
Colector

Emisor
Base

--

I
Colector

Emisor
Base

Base poco dopada

Emisor ms dopado que colector
Presentacin por Jos Quiles Hoyo

Unin no polarizada

r
E

r
E

V0

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

El transistor polarizado
(saturacin)

IE

IB

r
E

r
E

V0

similar a dos diodos con polarizacin directa

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

IC

IB + IC = IE

El transistor polarizado (corte)

r
E

r
E

V0

IE = IC = IB = 0

similar a dos diodos con polarizacin inversa

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

Transistor polarizado en forma

activa
p

r
E

(P) Emisor

r
E

(N) Base

(P) Colector

IpB
IE

IC
InB

InC
IBB
IB

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

IC IB

Transistor polarizado en forma

activa
(P) Emisor

(N) Base

(P) Colector

IpB
IE

IC
InB

InC

IBB
IB

BC inversa puede conducir si BE directa

Los huecos que se difunden de E a B llegan a C

IC IB

factor de ganancia
Presentacin por Jos Quiles Hoyo

(P) Emisor

(N) Base

(P) Colector

IpB, huecos que por difusin pB

IE base.
pasan del emisor a la

IC
InB

InC
IBB

InB, electrones que pasan

de la base al emisor.

IB

IBB, electrones procedentes del

circuito para cubrir las
recombinaciones.

IE = IpB + InB

InC, dbil corriente de electrones del

colector a la base.

IB = -InC + IBB +InB

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

IC = IpB - IBB + InC

Configuraciones del transistor

Hay 4 variables que dependen el tipo de conexin:
Vsalida, Ventrada, Isalida, Ientrada.

C
B

Variables:
VBE, VCB, IE, IC

Emisor comn

Variables:
VBE, VCE, IB, IC
Presentacin por Jos Quiles Hoyo

Base comn

Colector comn
Variables:
VCB, VCE, IB, IE

Configuracin en emisor comn

IC = 99 mA
C
RB

RC
C

IC

RC
VBB

IB

VBE

VCE
E

VCC

RB

99 %

B p
1%

100 %

VCC

IB = 1 mA
VBB

Ic
99
IE

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

n
E

IE = 100 mA

Curva caracterstica de entrada

IB

RC

C
RB
B

VBB

IB

IC
VCE
VBE

VCC

0,7 V

VBE = VBB - IB RB
VBE 0,7 V
Presentacin por Jos Quiles Hoyo

VBE

Curva caracterstica de salida

IC
(mA)

RC

IB = 60 A

RB
B

VBB

IB

IC
VCE
VBE

IB = 40 A
VCC

IB = 20 A

VCE (V)

VCE = VCC - IC RC

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

Emisor comn: variables

RC

Variables: VBE, VCE, IB, IC

VBE 0,7 V para silicio

RB
VBB

IC

IB

VBE

VCE

VBE = VBB - IB RB
+VCC
IC

IC = IB
RB

VCE = VCC - IC RC
Ventrada

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

IB

RC
Vsalida

VCC

IC ( mA)

Curvas caractersticas del

transistor CE

IB = 80 A

Regin de saturacin

Regin activa

IB = 60 A

Regin de corte

IB = 40 A

IB = 20 A

Ruptura
RC

RB

IB = 0 A

VBB

VBE

VCE

VCE (V)

En regin activa: unin EB con polarizacin directa, BC con

polarizacin inversa. Aplicacin en amplificacin.
En
: las dos uniones polarizadas inversamente:
circuito abierto.
En regin de saturacin: las dos uniones polarizadas
directamente: cortocircuito.
Presentacin por Jos Quiles Hoyo

VCC

Lnea de carga y punto de

funcionamiento
RC =1 kW

IB

VBE 0,7 V
VBE = -IB RB+ VBB

RB=16 kW
VBB = 2 V

= 100

IC
VBE

IB

VCE

VCC=10 V

VBB VBE 2 0,7

81,25 mA
RB
16000

Ic = IB = 8,125 mA
IC

IB4
VBB (V)

IB3

IB2

IB1

VCE (V)

I c (mA)

I B (mA)

0,7

10

0,8

9,375

0,625

6,25

0,9

8,75

1,25

12,5

8,125

1,875

18,75

1,2

6,875

3,125

31,25

1,4

5,625

4,375

43,75

1,6

4,375

5,625

56,25

1,8

3,125

6,875

68,75

1,875

8,125

81,25

2,2

0,625

9,375

93,75

2,3

10

100

Q
VCE
V
=
10
V
CC
Presentacin
por Jos Quiles Hoyo

Corte
Regin activa

VCC
RC

VCE = VCC - IC RC = 10 - 8,125 = 1,875 V

Saturacin

Lnea de carga y punto de

funcionamiento
V BE

V CE (V)

0,7 V

Ic (mA)

RC
RB

I c (mA)

14

5,55 V
1000 W

100 kW
150

12,00

12

0,00

5,550

6,450

12

V CC

10

12 V

VB

6,49 mA

5V

43,00 A

6,45 mA

43,000

IB

43,00 A

30,1 PEB

6,450

Ic

6,45 mA

35,7975 PCE

6,493

IE

6,49 mA

5,550

V CE

5,55 V

4,850

V CB

4,85 V

PT

30,10 W

35,80 mW
35,83 mW

0
0

10

12

Vcc (V)

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

14

Lnea de carga y punto de

funcionamiento
RC
RB

IC
VBB

VCC
RC

VBE

VCE

VCC

IB4

VCE = -IC RC+ VCC

IB3
Q

VCC VCE
IC
RC

IB2

IB1

VCC

VCE

VCE

IC RC

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

Punto de funcionamiento: IB
IC
IB4

VCC
RC

RC

IB3

RB

IB2

VBB

IB1
VCC VCE

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

IB

IC
VBE

VCE

VCC

Punto de funcionamiento: RC
IC
IB4

VCC
RC1
VCC
RC 2
VCC
RC 3

RC

IB3

RB

IB2

VBB

IB1
VCC VCE

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

IB

IC
VBE

VCE

VCC

Punto de funcionamiento: VCC

IC

VCC3
RC

IB4

VCC1
RC

RC

IB3

VCC 2
RC
IB2

RB
VBB

IB1
VCC1

VCC2

VCC3 VCE

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

IB

IC
VBE

VCE

VCC

El transistor como conmutador

Si VBB , IB = , IE IC = VCC/RC
zona de saturacin

IC

cortocircuito CE VCE = 0

C
B

Si VBB = 0 o < 0,7 V, IB = 0,

IE IC 0, VCE = VCC
Zona de corte
circuito abierto VCE = VCC

VCC

VCE

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

Circuito inversor simple

+VCC

VBB (V)

RC
RB

Vsalida

Ventrada

VCE (V)

Ventrada

Vsalida
Presentacin por Jos Quiles Hoyo

I B (mA)

0,7

10

0,8

9,375

0,625

6,25

0,9

8,75

1,25

12,5

8,125

1,875

18,75

1,2

6,875

3,125

31,25

1,4

5,625

4,375

43,75

1,6

4,375

5,625

56,25

1,8

3,125

6,875

68,75

1,875

8,125

81,25

2,2

0,625

9,375

93,75

2,3

10

100

INVERSOR

I c (mA)

Y = not A
Y

Transistor de unin:
amplificador
IE

P
Emisor

N
Base

P
Colector

IC

B
IB

RL
D

VEB

V
DVAD = RLDIC

D(-IC) = gm DVEB
gm : transconductancia

DVAD
RL g m
DVEB

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

Transistores de efecto campo

Transistor de efecto campo de unin

(JFET)
Transistor de efecto campo metalxido-semiconductor (MOSFET)

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

Transistores de efecto de campo

de unin (JFET)

Contactos hmicos
Drenador D
Regin de agotamiento

Puerta G

Fuente S
Presentacin por Jos Quiles Hoyo

Transistor de efecto campo de

unin (JFET)
Puerta

Drenador

Fuente

-VDD

+VDD
IG

G
VG

IG

VG
S

Canal n
Presentacin por Jos Quiles Hoyo

Canal p

Transistores de efecto de
campo de unin

ID

ID
p

VDD

G
ID

IDSS

VP

Al aumentar la tensin entre

Drenador y Fuente VDS, la
intensidad ID aumenta, al tiempo
que se estrecha el pasillo debido
al incremento de la de las uniones
p-n y la ampliacin de la regin de
agotamiento.
El pasillo se cierra para VDS = VP;
tensin para la que ID deja de
aumentar.
Voltaje de estrechamiento
VDS
Presentacin por Jos Quiles Hoyo

Transistores de efecto de
campo de unin (JFET)

ID

p
p

VGS=0

D
ID

S n ID

VDD
G

ID

VDD
G

Manteniendo nula la tensin entre la fuente y G, VGS, al aumentar la

tensin entre Drenador y Fuente VDS, la intensidad ID aumenta, al
tiempo que se estrecha el pasillo debido al incremento de la de las
uniones p-n y la ampliacin de la regin de agotamiento .

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

Estrechamiento del canal

D
Para
VGS=0

ID

ID

Corriente de saturacin, IDSat

ID

Estrechamiento del canal,

aumento de la resistencia

Regin de comportamiento hmico

Voltaje de estrechamiento, VP

VP

VDD

IDSS

VDS

Al aumentar la tensin entre

Drenador y Fuente VDS, la
intensidad ID aumenta, al tiempo
que se estrecha el pasillo debido
al incremento de la de las uniones
p-n y la ampliacin de la regin de
agotamiento
El pasillo se cierra para VDS = VP

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

Estrechamiento del canal

D

Con valores negativos de VGS el

pasillo se cierra antes, siendo la
corriente de saturacin menor

ID

IDSS

IDSat3

VGS= 0 V

ID

ID
VDD

p
G

VGS< 0

VGS= -1 V

IDsat
IDSat2

VGS= -3 V

IDSat1

VGS= -VP
VDS

VPP (para VGS=0)

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

VGS

IDSS 1
VP

Intensidad de saturacin
IDS=f(VGS)

D
G
G
S

ID (mA)

IDsat

V
7,81 GS
5

IDSS

VGS= 0 V

5
VGS= -1 V

VGS= -2 V

VP

1
VGS= -3 V

VGS (V) -5

-4 -3

-2

-1

5
VP = 5 V

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

10

15

VDS (V)
VGS= -VP

Transistor de efecto campo

metal-xido-semiconductor
(MOSFET)

Metal
S

xido

Semiconductor

Metal

de enriquecimiento

de agotamiento

Formado por una placa de metal y un semiconductor, separados por una zona de xido del semiconductor por ejemplo SiO2 - de unos 100 nm de espesor. Posee cuatro electrodos:
Compuerta, gate en ingls, simbolizado con G; que se conecta a la placa metlica.
Fuente (Source) y drenador (Drain), ambos simtricos, que se internan en el sustrato.
Sustrato (Body), generalmente conectado elctricamente con la fuente.

D
sustrato

p
nMOS-FET
de enriquecimiento

D
sustrato

sustrato

pMOS-FET
S
de enriquecimiento

sustrato

p
nMOS-FET
de agotamiento

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

n
pMOS-FET
de agotamiento

MOSFET de enriquecimiento n
G
Contactos metlicos

SiO2

n
p

D
G

sustrato

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

Formacin del canal en el

MOSFET de enriquecimiento n
D

VGS>VT

e- atrados por la puerta +

ID

+++++++++++++

-----------------

sustrato

D
n
VDS

Regin de agotamiento
Presentacin por Jos Quiles Hoyo

Formacin del canal en el

MOSFET de enriquecimiento n
D

VGS>VT

ID

+++++++++++++

-----------------

D
n

Al aumentar VDS, se estrecha el canal, alcanzndose la I de

saturacin, IDS
Presentacin por Jos Quiles Hoyo

sustrato

VDS

En ausencia de canal para VGS = 0, no hay corriente ID. Es necesario un valor

mnimo de voltaje umbral VT positivo de VGS para que se forme el canal.
Aumentando VGS aumenta el valor de la corriente de saturacin
+ VG

+ VD
G

Caracterstica MOSFET de
enriquecimiento de canal n

S
n+

n+

n+

+ VDS
D

+ + + + +
-- -- -- -- -- -- -- -- -- n+

S
n+

+ VG

+ VDS=VDsat

+ + + + + +
-- -- -- -- -- -- -- -- - n+
p

ID (mA)

ID (mA)

VGS= 7 V

ID Sat K (VGS VT )2

VGS= 6 V

VGS= 5 V

VT

VGS= 4 V
1

Presentacin
V (V) por Jos Quiles Hoyo
GS

VGS= VT

VDS

MOSFET de agotamiento n
D

sustrato

D
n

n
p

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

MOSFET de agotamiento
n
D

VGS = 0

sustrato

ID
S

D
n

- - - - - - - - -n
--------

Con VGS=0 ya existe canal y los e- del canal son

atrados porPresentacin
D
por Jos Quiles Hoyo

VDS

MOSFET de agotamiento
n
D

G-

VGS < 0

ID

n - -+ + +

- - - - - - + + +

-n- - - - - - - + + + +

sustrato

D
- - - n
+ + + +
VDS

Con VGS<0, los e- del canal son repelidos hacia la zona p,

recombinndose con huecos. La corriente de saturacin
disminuye. Presentacin por Jos Quiles Hoyo

Caracterstica MOSFET de
agotamiento de canal n

- VG

+ VDS

n
+

+ VDS=VDsat
D

- - - - - - - - - - - - - - n - - - - - - - - - n
+

p
G

sustrato

ID (mA)

V
ID IDSS 1 GS

Vp

V
ID 81 GS
4

ID (mA)
VGS= 1 V

10

10

IDSS

VGS= 0 V
5

VGS= -1 V

VP

VGS= -2 V
VGS= -3 V
-4

-3

-2

-1

VGS (V)

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

10

15

VDS (V)

Presentacin por Jos Quiles Hoyo