Lic. Ana E.

Garca Tulich Barrantes

Annelly.tulich@gmail.com
UTP
2013-II
LOS SEMICONDUCTORES










Poseen propiedades elctricas nicas que hacen de ellos
componentes esenciales en dispositivos electrnicos y
de comunicacin.


Son materiales de conductividad intermedia entre la de metales y la de
aislantes, que se modifica en gran medida por la temperatura, la
excitacin ptica y las impurezas.
Semiconductores
elementales:
Germanio (Ge)
Silicio (Si)
Materiales Semiconductores
Estructura atmica del Carbono (6 electrones)
1s
2
2s
2
2p
2
Estructura atmica del Silicio (14 electrones)
1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
2
1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
6
3d
10


4s
2
4p
2
Estructura atmica del Germanio (32 electrones)
4 electrones en la ltima capa
Reduccin de la distancia interatmica del Carbono
Distancia interatmica
E
n
e
r
g

a

- -
- -
- -
Grafito:
Hexagonal, negro, blando y
conductor
-
-
-
-
Diamante:
Cbico, transparente, duro y
aislante
- -
- -
Materiales Semiconductores
Si un electrn de la banda de valencia alcanzara la energa necesaria para
saltar a la banda de conduccin, podra moverse al estado vaco de la
banda de conduccin de otro tomo vecino, generando corriente
elctrica. A temperatura ambiente casi ningn electrn tiene esta energa.
Es un aislante.
Banda de valencia
4 electrones/tomo
-
-
-
-
Banda de conduccin
4 estados/tomo
E
n
e
r
g

a

Diagrama de Bandas
E
g
=6eV
Banda prohibida
Diagrama de bandas del Carbono: diamante
No hay banda prohibida. Los electrones de la banda de
valencia tienen la misma energa que los estados vacos de la
banda de conduccin, por lo que pueden moverse generando
corriente elctrica. A temperatura ambiente es un buen
conductor.
Diagramas de Bandas
Diagrama de bandas del Carbono: grafito
Banda de
valencia
4 electrones/tomo
Banda de conduccin
4 estados/tomo
E
n
e
r
g

a

-
-
-
-
Si un electrn de la banda de valencia alcanza la energa necesaria para
saltar a la banda de conduccin, puede moverse al estado vaco de la banda
de conduccin de otro tomo vecino, generando corriente elctrica. A
temperatura ambiente algunos electrones tienen esta energa. Es un
semiconductor.
Diagramas de Bandas
Diagrama de bandas del Ge
ATE-UO Sem 07
Banda de conduccin
4 estados/tomo
E
n
e
r
g

a

4 electrones/tomo
-
-
-
-
Banda de valencia
E
g
=0,67eV
Banda prohibida
Banda de valencia
4 electrones/tomo
-
-
-
-
Diagramas de Bandas
No hay enlaces covalentes rotos. Esto equivale a
que los electrones de la banda de valencia no
pueden saltar a la banda de conduccin.
Representacin plana del Germanio a 0 K
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
-
-
-
-
Hay 1 enlace roto por cada 1,710
9
tomos.
Un electrn libre y una carga + por cada
enlace roto.
Situacin del Ge a 300 K
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
Situacin del Ge a 300 K
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
Generacin
-
-
+
Recombinacin
Generacin
Siempre se estn rompiendo (generacin) y
reconstruyendo (recombinacin) enlaces. La vida media
de un electrn puede ser del orden de milisegundos o
microsegundos.
-
+ +
-
-
Recombinacin
Generacin
Muy
importante
+
-
+

+

+

+

+

+

+


-
-
-
-
-
-
-
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
Aplicacin de un Campo Externo (I)
El electrn libre se mueve por accin del campo.
Y la carga + ?.
-
-
-
-
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
-
+

+

+

+

+

+

+


-
-
-
-
-
-
-
Aplicacin de un Campo Externo (II)
-
+
-
-
La carga + se mueve tambin. Es un nuevo
portador de carga, llamado hueco.
Muy
importante
Todo lo comentado hasta ahora se refiere a los llamados
Semiconductores Intrnsecos, en los que:

No hay ninguna impureza en la red cristalina.
Hay igual nmero de electrones que de huecos n = p = n
i
Pueden modificarse estos valores?
Puede desequilibrarse el nmero de electrones y de
huecos?

La respuesta:
Semiconductores Extrnsecos
Semiconductores Intrnsecos
A 0 K, habra un electrn
adicional ligado al tomo
de Sb
Tiene 5 electrones en la
ltima capa
Semiconductores Extrnsecos (I)
Introducimos pequeas cantidades de impurezas del grupo V
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
-
-
-
-
Sb
-
-
-
1
2
3
4
5
0 K
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
-
-
-
-
Sb
-
-
-
1
2
3
4
5
0K
Semiconductores Extrnsecos (II)
300 K
Sb
+

5
-
A 300 K, todos electrones adicionales de los tomos de Sb estn
desligados de su tomo (pueden desplazarse y originar corriente
elctrica). El Sb es un donador y en el Ge hay ms electrones
que huecos. Es un semiconductor tipo N.
-
E
n
e
r
g

a

E
g
=0,67eV
4 electr./atm.
4 est./atm.
0 electr./atm.
E
Sb
=0,039eV
-
-
-
-
0K
El Sb genera un estado permitido en la banda
prohibida, muy cerca de la banda de conduccin. La
energa necesaria para alcanzar la banda de
conduccin se consigue a la temperatura ambiente.
Semiconductores Extrnsecos (III)
Interpretacin en diagrama de bandas de un
semiconductor extrnseco Tipo N
3 est./atm.
1 electr./atm.
-
+
300 K
A 0 K, habra una falta de
electrn adicional ligado
al tomo de Al
Tiene 3 electrones en la
ltima capa
Semiconductores Extrnsecos (IV)
Introducimos pequeas cantidades de impurezas del grupo III
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
-
-
-
-
Al
-
1
2
3
0 K
A 300 K, todas las faltas de electrn de los tomos de
Al estn cubiertas con un electrn procedente de un
tomo de Ge, en el que se genera un hueco. El Al es un
aceptor y en el Ge hay ms huecos que electrones. Es
un semiconductor tipo P.
Semiconductores Extrnsecos (V)
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
-
-
-
-
Al
-
1
2
3
0K
300 K
Al
-

+
-
4 (extra)
E
n
e
r
g

a

E
g
=0,67eV
4 electr./atom.
0 huecos/atom.
4 est./atom.
E
Al
=0,067eV
-
-
-
-
0K
+
-
3 electr./atom.
1 hueco/atom.
300K
Interpretacin en diagrama de bandas de un
semiconductor extrnseco Tipo P
Semiconductores Extrnsecos (VI)
El Al genera un estado permitido en la banda prohibida,
muy cerca de la banda de valencia. La energa necesaria
para que un electrn alcance este estado permitido se
consigue a la temperatura ambiente, generando un hueco
en la banda de valencia.
Semiconductores intrnsecos:
Igual nmero de huecos y de electrones
Semiconductores extrnsecos:
Tipo P:
Ms huecos (mayoritarios) que electrones (minoritarios)
Impurezas del grupo III (aceptor)
Todos los tomos aceptores ionizados -.
Tipo N:
Ms electrones (mayoritarios) que huecos (minoritarios)
Impurezas del grupo V (donador)
Todos los tomos donadores ionizados +.
Resumen