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CAPITULO V

DISPOSITIVOS ÓPTICOS ACTIVOS
Temas Principales
 Fuentes de luz y transmisores ópticos.
 Fotodetectores y Receptores Ópticos.
 Amplificadores Ópticos.
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Fuentes de Luz
Requerimientos
 Dimensiones compatibles con el de la fibra óptica.
 Linealidad en la conversión electro-óptica.
 Características de emisión compatible con las características de transmisión de la fibra óptica.
 Coherencia.
 Gran capacidad de modulación.
 Suficiente potencia óptica de salida y eficiencia de acoplamiento.
 Funcionamiento estable con la temperatura.
 Confiabilidad (Tiempo de vida útil).
 Bajo consumo de energía.
 Economía.

Tipos
 LED (Light Emitting Diode)
 LASER (Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation)
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DIAGRAMA DE ESTADOS DE ENERGÍA Y PROCESO DE CONVERSIÓN
OPTO-ELECTRÓNICA
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BANDA DE ENERGÍA DE LOS ELECTRONES
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LED: EL DIODO EMISOR DE LUZ
Fuente de luz incoherente basada en una estructura de uniones de material
semiconductor del tipo p-n de transición directa, que al ser polarizada directamente
da origen a la emisión de radiación.
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Polarización Directa Inyección de electrones y huecosRecombinación de pares
electrón-huecoEmisión espontánea
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LED DE DOBLE HETEROESTRUCTURA (LED-DH)
Estructuras LED
 LED de Emisión Superficial (Tipo Burrus): Estructura donde la radiación
emitida se encuentra en un plano paralelo al de la unión. Proporciona una
mayor eficiencia en el confinamiento eléctrico y óptico, también como menor
absorción de la radiación emitida.

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Fibra Óptica Multimodo
Salida de Luz
50um
Lámina
metálica
Montante de
oro
Región principal de
emisión de luz
Contacto 50um
diámetro
SiO2
Resina
Epoxica
GaAs tipo n
n-AlGaAs
p-GaAs
p-AlGaAs
p+GaAs
Metalización
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Estructuras LED
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 LED de Borde (ELED): Estructura de geometría de franjas, donde la radiación
emitida se encuentra en el mismo plano de la unión. Proporciona alta radiación.
 LED Superluminicente: Estructura de alta potencia de salida, haz de salida
direccional y anchura espectral angosta. Su estructura y propiedades son muy
similares a los ELED y a los LASER de inyección.
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Características del LED
 Emisión incoherente.
 Responsitividad (R).
R= P
o
/I = η
ext
η
int
hf/e
P
o
=Potencia óptica emitida.
e= Carga del electrón = 1.602x10
-19
C.
η
int
= Eficiencia cuántica interna ~ 90%.
η
ext
=Eficiencia cuántica externa ~ 1-3%.
Típicamente R ~ 0,01 [W/A]

(poca dependencia con la temperatura ambiente)
 Potencia de salida (0,4-1mW).
 ∆λ=1.8KBT λ
2
/hc
K
B
=Constante de Boltzmann= 1.381x10
-23
J/°K=0.862X10
-4
eV/°K
∆λ ~ 30-150nm.













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Características LED
 Ancho de Banda (f3dB) y Modulación Interna
f
3dB
= √3/2∏t
c

t
c
= Tiempo de recombinación de portadores.
Para InGaAsP  t
c

~ 2- 5 ns  f
3dB
~50-300 MHz
Máxima Tasa Binaria: 622 Mb/s
 Diagrama de radiación lambertiano P(θ) =P(0) cosθ
 Geometrías aptas para acoplar a fibras ópticas multimodo.
 Fabricación sencilla.
 Bajo costo, en comparación con los LD.
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LASER: Amplificación de Luz por Emisión Estimulada de Radiación
Fuente de Luz amplificada y coherente, basada en una estructura de uniones de material
semiconductor del tipo p-n y formando una cavidad óptica resonante (del tipo FABRY –
PEROT), para proporcionar la realimentación de fotones y aumentar la emisión
estimulada.
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Laser de Doble Heteroestructura
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Estructura Láser
 Láser guiados por Ganancia: Estructura de geometría de franjas donde la distribución
de modos ópticos a lo largo del plano de la unión es determinado por la ganancia
óptica de la cavidad. Por lo general proporciona una emisión multimodo.
 Láser guiados por Indicé: Estructura donde la distribución de modos ópticos es
determinado por los índices de refracción de la capa activa y de las capas de
confinamiento lateral. La emisión puede ser monomodo o multimodo.
 Láser Monomodo: Estructura que proporciona una realimentación selectiva de
frecuencia de manera que la perdida de cavidad es diferente para varios modos
longitudinales. La emisión de luz contiene un solo modo longitudinal.
- Láser de Realimentación Distribuida DFB (Distributed Feedback) y DBR (Distributed
Bragg Reflector)
- Láser de Emisión Superficial y de Cavidad Vertical VCSEL (Vertical Cavity Surface
Emiting Lasers)
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Estructuras Laser: Fabry Perot
Guiado por ganancia:
- Fabricación sencilla.
- Haz inestable.
Guiado débil por índice:
- Fabricación más
compleja.
- Control de modos
laterales.
- Menor volumen.
Bombeado.
Guiado fuerte por índice
(estructuras enterradas):
- Fabricación compleja.
- Confinamiento óptico de
portadores.
- Mínimo volumen
bombeado.
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Láser Monomodo (Solo una Frecuencia)
DFB: Distributed Feedback Laser DBR: Distributed Bragg Reflector
(l depende de T, se puede sintonizar
Variando la temperatura de operación)
Longitud de onda de Bragg
Seleccionan un único modo
Tecnología compleja
Precio alto
Tipo p
Tipo n
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Láser de Emisión Superficial y de Cavidad Vertical (VCSEL)
 Pequeño volumen: menor ganancia,
menor corriente umbral.
 Tecnología compleja.
 Problemas térmicos.
 Común en 1ra ventana, comenzando
en 2da y 3ra ventana.
 Bajo precio.
 Emisión monomodo debido a la corta
cavidad y a los DBRs.
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Características de los Láser
 Emisión de radiación coherente (fotones con idéntica fase, frecuencia, polarización
y dirección).
 Alta eficiencia cuántica interna.
 Alta potencia de salida (hasta 100mW).
 Anchura espectral ∆λ, reducida (Fabry-Perot: 1-3 nm, DFB: 0.0001-0.001nm).
 Modulación directa posible hasta 30 Gb/s.
 Diagrama de radiación elíptico.
 Su geometría y características permiten acoplo de potencia muy eficiente en fibras
SM.
 Puede modularse en intensidad y en frecuencia.

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Características de Desempeño de las Fuentes de Luz
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Comparación de Fuentes de Luz
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Parámetro LED LASER FP LASER DFB VCSEL
Longitud de Onda (nm) 850 y 1310 1310 y 1550 1310 y 1550 850 y 1310
Potencia emitida (dBm) 0 15 20 10
Atenuación de Acoplamiento
(dB)
15~20 3~5 3~5 3~5
Potencia Acoplada (dBm) <-15 <10 <16 <7
Ancho Espectral (nm) 25~160 2~3 <0.001 <0.1
Tasa de Transmisión Binaria
Máxima (Mbps)
622 3000 30000 15000
Compatibilidad DWDM No No Si Si
Costo El menor Bajo Alto Bajo
Aplicación
Enlaces multimodo.
Sistema de Corta
Distancia y Baja
Capacidad de
Transmisión (<100MHz).
Enlaces monomodo.
Sistema de Larga
Distancia y Elevada
Capacidad de
Transmisión
Enlaces monomodo
DWDM.
Sistema de muy Larga
Distancia y Elevada
Capacidad de
Transmisión
Enlaces multimodo.
Sistema de Corta Distancia y
Elevada Capacidad de
Transmisión (>1GHz).
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Parámetros Característicos de los Transmisores Ópticos
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 Longitud de onda de Emisión: Longitud de onda central del espectro de salida del transmisor.
La unidad es nm.
 Potencia Acoplada Mínima: Potencia mínima que un transmisor óptico puede inyectar a un
determinado tipo de fibra óptica durante su vida útil. Esta es una potencia promedio para la
fuente de luz modulada que puede medirse con un medidor de potencia. La unidad es dBm.
 Potencia Acoplada Máxima: Potencia máxima que un transmisor óptico puede inyectar a un
determinado tipo de fibra óptica durante su vida útil. Esta es una potencia promedio para la
fuente de luz modulada que puede medirse con un medidor de potencia. La unidad es dBm.
 Anchura espectral: Anchura espectral del transmisor (modulado o no modulado), medido
en-3 dB debajo de la potencia óptica máxima (FWHM),-20 dB debajo de la potencia óptica
máxima, o la anchura espectral RMS(Root-Mean-Square). Las unidades son nm, GHz, o el
MHz.
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Parámetros Característicos de los Transmisores Ópticos
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 Proporción de extinción: Potencia óptica promedio de un bit «1» dividido por la
potencia óptica promedio de un bit «0». Las unidades son lineales o dB.
 Penalidad por dispersión: Penalidad por dispersión cromática que se debe
considerar en los cálculos de potencia óptica para tomar en cuenta la degradación
de la potencia de señal. Siempre es expresado como un límite de distancia de
transmisión en kilómetros, o como un valor límite de dispersión en ps/nm. Se
establece para BER específico.
 ORL o Reflectancia tolerable : Cantidad máxima de potencia reflejada que el
transmisor puede tolerar y todavía funcionar dentro de las especificaciones. La
potencia encima de esta cantidad puede aumentar la inestabilidad y el ruido del
transmisor. Potencias reflejadas excesivas pueden dañar la fuente de luz. La unidad
es dB.
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Aplicación de Fuentes de Luz
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Tipo de Fibra Longitud de
Enlace
Velocidad de
Transmisión
Binaria
Tipo de Fuente de
Luz
Multimodo Corta <100Mb/s LED 850nm
Larga
~
100Mb/s

LED 1300nm
Corta >1Gb/s VCSEL 850nm
Monomodo Larga >1Gb/s LASER 1300nm
Corta Hasta 10Gb/s LASER 1300nm
Larga ~ 100Gb/s LASER 1550nm
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Detectores Ópticos
REQUERIMIENTOS
 Alta sensitividad en las longitudes de onda de operación
 Linealidad en la conversión Óptico – Eléctrico.
 Alta respuesta eléctrica a la señal óptica recibida
 Reducido tiempo de respuesta (amplio Ancho de Banda)
 Mínimo ruido
 Estabilidad en las características de funcionamiento
 Pequeñas dimensiones
 Bajo voltaje de polarización
 Alta confiabilidad (tiempo de vida)
 Bajo costo

TIPOS
 Fotodiodos PIN
 Fotodiodos de Avalancha - APD

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Fundamentos de los Detectores Ópticos
 Convierten energía luminosa en energía eléctrica.
 Los fotones de la luz entrante causa un flujo de electrones.
 Diodo de Semiconductor con una región p y una región n.
 La región n es conectada a un potencial eléctrico positivo.
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Principios de la Detección Óptica y Operación de Fotodiodo P-N
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Curvas de Absorción Óptica para Algunos
Materiales Semicondutores
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Fotodiodo PIN
Detector Óptico con una estructura de semiconductores compuestos de una cada tipo
“p”, una intrínseca y otra tipo “n” que genera un simple par electrón-hueco por cada
fotón incidente. Con polarización inversa.
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Fotodiodo PIN
 Mejor desempeño que la unión PN.
 Mayor corriente para la misma cantidad de luz.
 Conmutación más rápida.
 La capa Intrínseca separa las regiones n y p.
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Fotodiodo de Avalancha APD
Detector Óptico con una estructura de semiconductores en el cual se crea una región de campo
eléctrico elevado de tal forma que los portadores (huecos y electrones) pueden adquirir suficiente
energía para generar nuevos pares electrón-hueco, produciendo un efecto de multiplicación. Estos
dispositivos por lo general requieren altos voltajes de polarización inversa (50V a 400V)
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Fotodiodos de avalancha (APD)
 El pequeño haz de fotones provoca una avalancha de electrones.
 Usa la foto multiplicación.
 Incluye una región p más que el fotodiodo PIN.
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Parámetros Característicos de los Detectores
Ópticos
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 Sensibilidad de longitud de onda.
 Eficiencia cuántica
n = Número de Electrones Generados = r
e
Número de Fotones Incidentes r
p
 Responsitividad
R = I
p
.M (AW
-1
)
P
O

R = neM = neλM
hf hc

I
p
: Fotocorriente de salida en Amperios
P
O
: Potencia de entrada en Watts
M: Ganancia Óptica (solo APD).
e: carga del electrón (Coulomb).
• Velocidad de Respuesta (Ancho de Banda)
Δf
mín
= 1 = V
d
2∏t
dif
2 ∏w
Δf
mín
: Ancho de Banda Mínimo.
t
dif
: Tiempo de Difusión de Portadores.
w: Ancho de la Capa de Deflexión.
V
dif
: Velocidad de Portadores.
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Parámetros Característicos de los
Detectores Ópticos
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 Ancho de Banda Óptico.
 Ruido Shot
s
2
s
= 2e Df
mín
Ī  Ī = I
p
+ I
d
 I
p
» I
d
 s
2
s
= 2e Df
mín
I
p
 Corriente Oscuridad (I
d
)
 Factor Multiplicación (M)
M = 1
1 – V
n
V
B
V
B
: Tensión de Ruptura
n: Coeficiente dependiente del material semiconductor
V: Voltaje de polarización aplicado
s
s
: Valor cuadrático medio (RMS) de la corriente de ruido inducida por el
ruido de disparo
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Características del Salida del Fotodiodo p-n
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SENSITIVIDAD
La sensitividad y la tasa de error están relacionados.
La sensitividad es la mínima potencia óptica necesaria en el receptor para obtener una tasa de error
especificada. Unidad en dBm.
La tasa de error(BER) es el número máximo de errores en la señal recibida, expresado como una fracción de
la cantidad de bits transmitidos.
Si la potencia de la señal recibida cae por debajo de la sensitividad del receptor, el número de bits errados aumentará
por encima del valor máximo especificado para ese receptor.
POTENCIA MAXIMA
Es la máxima potencia de señal en el receptor, manteniendo un BER especificado. La unidad es dBm.
Si el receptor recibe demasiada potencia, resultará en una distorsión de la señal y en un aumento de la tasa de error.
RANGO DINÁMICO
Diferencia entre la máxima potencia y la mínima potencia(sensitividad) que el receptor puede aceptar. Unidad en dB.
REFLECTANCIA
La cantidad de potencia reflejada en el receptor. La unidad es dB.
RELACION SEÑAL A RUIDO OPTICO (OSNR)
Mínimo OSNR requerido por el receptor para obtener un BER especificado. La unidad es dB.

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Parámetros Característicos de los Receptores Ópticos
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Comparación en la Sensitividad de Fotodiodos PIN y APD
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Comparación de Detectores Ópticos
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CARACTERISTICAS PIN APD
MATERIAL Si Ge InGaAs Si Ge InGaAs
LONGITUD DE ONDA (um) 0.4 ~ 1.1 0.8~1.8 1~1.7 0.4 ~ 1.1 0.8~1.8 1~1.7
EFICIENCIA CUANTICA (%) 75~90 50~55 60~70 70 60 60
RESPONSITIVIDAD (A/W) 0.4~0.6 0.5~0.7 0.6~0.9
80~130
M=100~500
3~30
M=50~200
5~20
M=10~40
EFICIENCIA DE
ACOPLAMIENTO (%)
95 95
ANCHO DE BANDA (GHz) 0.3~0.6 0.5~3 1~10 0.2~1 0.4~0.7 1~10

VOLTAJE DE POLARIZACION (V)
50 ~ 100 6~10 5~6 200 ~ 250 20 ~ 40 20 ~ 30
TIEMPO DE VIDA > 10
7
horas > 10
7
horas
M: Ganancia Óptica APD.
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AMPLIFICADORES ÓPTICOS
Un amplificador óptico es un dispositivo que amplifica directamente una señal óptica,
sin necesidad de convertirla primero a una señal eléctrica. La amplificación se realiza
mediante el proceso de emisión estimulada.
Es capaz de amplificar un conjunto de longitudes de onda y generalmente es
transparente al
numero de canales,
tasa de transmisión
Binaria, protocolo y
Formato de modulación.


Medio de
Ganancia
Bombeo (Óptico o Eléctrico)
Señal
Señal Amplificada
+Emisión Espontánea
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Características de Desempeño de los Amplificadores Ópticos
 Ganancia (G): Proporción entre la potencia de salida (Ps) y la potencia de
entrada (Pe) del amplificador.
G = 10log(Ps/Pe) dB.
 Eficiencia de Ganancia: Ganancia como una función de la potencia de entrada
(dB/mW).
 Ancho de Banda de Ganancia: rango de longitudes de onda en el cual el
amplificador es efectivo.
 Potencia de Salida de Saturación: Potencia de salida en la cual la ganancia pico
se reduce a la mitad (3dB).
 Factor de Ruido (NF: Noise Figure): Proporción entre la relación señal a ruido
(SNR: Signal to Noise Ratio) en la entrada y salida del amplificador.
NF = SNR
e
/SNR
s
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Tipos de Amplificadores Ópticos
 Amplificadores de Fibra Dopada. En los cuales el núcleo de la fibra óptica es
dopada con iones de tierras raras como el Erbio (Er), el Praseodimio (Pr), el
Iterbio (Yb) o el Neodimio (Nd). El mas utilizado es el Amplificador de Fibra
Dopada con Erbio (EDFA:Erbium Doped Fiber Amplifiers).
 Amplificadores Raman. Su funcionamiento esta basado en el efecto de la
dispersión estimulada de Raman. Convierte a la fibra óptica activa en un
amplificador.
 Amplificadores Ópticos a Semiconductores (SOA: Semiconductor Optical
Amplifiers). La zona activa esta compuesta de aleaciones de elementos
semiconductores como el fósforo, el indio, el galio y el arsénico.
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Amplificador de Fibra Dopada con Erbio-EDFA
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Amplificador EDFA
Fibra Dopada con
Erbio (50m)
Señal de
Salida
P
se
P
se
+ P
ASE
Características de Desempeño
 Alta ganancia (>30dB).
 Alta Potencia de Saturación de salida: 10~25dBm.
 Alta eficiencia en la transferencia de la potencia de bombeo a la señal (>50%).
 Elevado Ancho de banda (30~40nm), con ganancia relativamente plana (conveniente
para aplicaciones WDM).
 Opera en la región de 1530~1565nm.
 Longitud de onda de bombeo: 980 y 1480nm.
 Factor de ruido reducido (~4dB).
 No introduce diafonía cuando se amplifican señales WDM.
 Independiente de la polarización.

Amplificador de Fibra Dopada con Erbio-EDFA
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Amplificador Raman
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Amplificador Raman
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Características de Desempeño
 Alta ganancia (>20dB).
 Alta Potencia de Saturación de salida: 30dBm.
 Alta potencia de bombeo.
 Elevado Ancho de banda (48nm).
 Puede operar en la región 1280~1650nm.
 Factor de ruido reducido (3dB).
 Diafonía relativamente elevado.
 Independiente de la polarización.

Amplificador Raman
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Amplificadores Ópticos a Semiconductores-SOA
 Similar a una cavidad LASER, pero
en donde se ha eliminado el
resonador.
 Se inyectan portadores y se
potencia la emisión estimulada
esperando a que cuando llegue la
señal por la fibra de entrada se
generen nuevos fotones y por
tanto se amplifique.
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Fibra Fibra
Corriente de
bombeo
Señal
Amplificada
Señal de
entrada

Amplificadores Ópticos de Semiconductor -SOA
Características de Desempeño
 Relativamente alta ganancia (20dB).
 Potencia de saturación de salida reducida: 5~10dBm.
 Ancho de Banda elevado.
 Pueden operar en las regiones 850, 1300 y 1550nm.
 Factor de ruido y diafonía relativamente elevados.
 Dependiente de la polarización.
 Compactos y fácilmente integrados con otros dispositivos.


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Amplificadores Ópticos
Características de Ganancia
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Comparación entre Amplificadores
Parámetro EDFA ROA SOA
Longitud de Onda (nm) 1530~1565 1280~1650 1280~1650
Ancho de Banda (nm). 30-40 30~35
Mas para múltiple
bombeo.
30~40
Ganancia (dB) 30-50 >20

20~30
Potencia de Bombeo
(mW)
20-100 >30 <400mA
Longitud de Onda de
Bombeo (nm)
980, 1480 100nm, por debajo de
la longitud de onda de
la señal.
NA
Potencia de Saturación
(a 3dB) (dBm)
10~25

0.75xPotencia de
bombeo.
5~10
Figura de Ruido (dB) 4-6 3~5 7-12
Sensibilidad a la
Polarización
NO NO SI
Diafonía WDM NO SI SI
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Aplicación de los Amplificadores Ópticos
 Amplificador de Línea.
 Pre-Amplificador.
 Amplificador de Potencia.
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Aplicación de los Amplificadores Ópticos
 Como amplificador de línea se emplea para elevar el nivel de potencia de la
señal y compensar así las pérdidas sufridas por la propagación de la señal.
Frecuentemente se instalan varios amplificadores en cascada a lo largo de la
línea.

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 Como preamplificador en un receptor, para amplificar la señal antes de ser
detectada por el fotodetector para mejora así la relación señal ruido.

Aplicación de los Amplificadores Ópticos
 Como amplificador de potencia, situándose a continuación de la fuente láser, para
elevar el nivel de potencia de la señal e incrementar la distancia de transmisión.
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