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Introduccin a la Electrnica de Dispositivos

Universidad de Oviedo
rea de Tecnologa
Electrnica

Departamento de Ingeniera Elctrica, Electrnica, de
Computadores y de Sistemas
ATE-UO present.
Objetivo: Introducir los conceptos bsicos sobre el
funcionamiento de los dispositivos semiconductores
Asignaturas:
Dispositivos Electrnicos (1 de Ing. Telecomunicacin)
Electrnica General (4 de Ing. Industrial)
Autor: Javier Sebastin Ziga
Materiales semiconductores (Sem01.ppt)
La unin PN y los diodos semiconductores
(Pn01.ppt)
Transistores (Trans01.ppt)
Introduccin a la Electrnica de
Dispositivos
Universidad de
Oviedo
rea de Tecnologa
Electrnica

Departamento de Ingeniera Elctrica, Electrnica, de
Computadores y de Sistemas
ATE-UO Sem 00
Semiconductores elementales: Germanio (Ge) y Silicio (Si)
Compuestos IV: SiC y SiGe
Compuestos III-V:
Binarios: GaAs, GaP, GaSb, AlAs, AlP, AlSb, InAs, InP y InSb
Ternarios: GaAsP, AlGaAs
Cuaternarios: InGaAsP
Compuestos II-VI: ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe y CdTe
Son materiales de conductividad intermedia entre la
de los metales y la de los aislantes, que se modifica
en gran medida por la temperatura, la excitacin
ptica y las impurezas.
Materiales semiconductores (I)
ATE-UO Sem 01
Estructura atmica del Carbono (6 electrones)
1s
2
2s
2
2p
2
Estructura atmica del Silicio (14 electrones)
1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
2
1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
6
3d
10


4s
2
4p
2
Estructura atmica del Germanio (32 electrones)
4 electrones en la ltima capa
Materiales semiconductores (II)
ATE-UO Sem 02
Distancia interatmica
Estados discretos
(tomos aislados)
Carbono gaseoso (6 electrones) 1s
2
, 2s
2
, 2p
2
Materiales semiconductores (III)
ATE-UO Sem 03
-
2s
2
-
Banda de estados
2p
2
4 estados vacos
- -
1s
2 - -
Reduccin de la distancia interatmica del Carbono
Materiales semiconductores (IV)
ATE-UO Sem 04
Distancia interatmica
E
n
e
r
g

a

- -
- -
- -
Grafito:
Hexagonal, negro,
blando y conductor
-
-
-
-
Diamante:
Cbico, transparente,
duro y aislante
- -
- -
Si un electrn de la banda de valencia alcanzara la energa
necesaria para saltar a la banda de conduccin, podra moverse al
estado vaco de la banda de conduccin de otro tomo vecino,
generando corriente elctrica. A temperatura ambiente casi ningn
electrn tiene esta energa.
Es un aislante.
Banda prohibida
E
g
=6eV
Diagramas de bandas (I)
Diagrama de bandas del Carbono: diamante
ATE-UO Sem 05
Banda de valencia
4 electrones/tomo
-
-
-
-
Banda de
conduccin
4 estados/tomo
E
n
e
r
g

a

No hay banda prohibida. Los electrones de la banda de
valencia tienen la misma energa que los estados vacos
de la banda de conduccin, por lo que pueden moverse
generando corriente elctrica. A temperatura ambiente
es un buen conductor.
Diagramas de bandas (II)
Diagrama de bandas del Carbono: grafito
ATE-UO Sem 06
Banda de
valencia
4 electrones/tomo
Banda de
conduccin
4 estados/tomo
-
-
-
-
E
n
e
r
g

a

Si un electrn de la banda de valencia alcanza la energa necesaria
para saltar a la banda de conduccin, puede moverse al estado
vaco de la banda de conduccin de otro tomo vecino, generando
corriente elctrica. A temperatura ambiente algunos electrones
tienen esta energa. Es un semiconductor.
Diagramas de bandas (III)
Diagrama de bandas del Ge
ATE-UO Sem 07
E
g
=0,67eV
Banda prohibida
Banda de valencia
4 electrones/tomo
-
-
-
-
Banda de
conduccin
4 estados/tomo
E
n
e
r
g

a

A 0K, tanto los aislantes como los semiconductores no conducen,
ya que ningn electrn tiene energa suficiente para pasar de la
banda de valencia a la de conduccin. A 300K, algunos electrones
de los semiconductores alcanzan este nivel. Al aumentar la
temperatura aumenta la conduccin en los semiconductores (al
contrario que en los metales).
E
g
Banda de
valencia
Banda de
conduccin
Aislante
E
g
=5-10eV
Diagramas de bandas (IV)
ATE-UO Sem 08
Semiconductor
E
g
=0,5-2eV
E
g
Banda de
valencia
Banda de
conduccin
Banda de
valencia
Conductor
No hay E
g
Banda de
conduccin
No hay enlaces covalentes rotos. Esto equivale a
que los electrones de la banda de valencia no
pueden saltar a la banda de conduccin.
Representacin plana del Germanio a 0 K
ATE-UO Sem 09
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
-
-
-
-
Hay 1 enlace roto por cada 1,710
9
tomos.
Un electrn libre y una carga + por cada
enlace roto.
ATE-UO Sem 10
Situacin del Ge a 0K
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
300 K (I)
ATE-UO Sem 11
Situacin del Ge a 300 K (II)
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
Generacin
-
-
+
Recombinacin
Generacin
Siempre se estn rompiendo (generacin) y
reconstruyendo (recombinacin) enlaces. La vida media
de un electrn puede ser del orden de milisegundos o
microsegundos.
-
+ +
-
-
Recombinacin
Generacin
Muy
importante
+
-
+

+

+

+

+

+

+


-
-
-
-
-
-
-
ATE-UO Sem 12
-
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
Aplicacin de un campo externo (I)
El electrn libre se mueve por accin del campo.
Y la carga + ?.
-
-
-
-
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
+
-
+

+

+

+

+

+

+


-
-
-
-
-
-
-
ATE-UO Sem 13
Aplicacin de un campo externo (II)
-
+
-
-
La carga + se mueve tambin. Es un nuevo
portador de carga, llamado hueco.
Muy
importante
Mecanismo de conduccin. Interpretacin
en diagrama de bandas
ATE-UO Sem 14
-
-
-
-
tomo 1
-
-
-
-
+
tomo 2
-
-
-
-
tomo 3
+ -
Campo elctrico
+
-
-
j
p

j
n

Existe corriente elctrica debida a los dos portadores de carga:
j
p
=q
p
pE es la densidad de corriente de huecos.
j
n
=q
n
nE es la densidad de corriente de electrones.




Movimiento de cargas por un campo
elctrico exterior (I)
E

+

+

+

+

+

-
-
-
-
-
ATE-UO Sem 15
-
-
+
+
-
-
+
+
-
-
+
+
-
-
+
+
-
-
+
+
-
-
+
+
-
-
+
+
-
-
+
+
-
-
+
+
-
-
+
+
j
p
=q
p
pE j
n
=q
n
nE


Movimiento de cargas por un campo elctrico
exterior (II)
ATE-UO Sem 16
Ge
(cm
2
/Vs)
Si
(cm
2
/Vs)
As Ga
(cm
2
/Vs)

n
3900 1350 8500

p
1900 480 400
q = carga del electrn

p
= movilidad de los huecos

n
= movilidad de los electrones
p = concentracin de huecos
n = concentracin de electrones
E = intensidad del campo elctrico
Muy
importante
Todo lo comentado hasta ahora se refiere a los llamados
Semiconductores Intrnsecos, en los que:
No hay ninguna impureza en la red cristalina.
Hay igual nmero de electrones que de huecos n = p = n
i
Ge: n
i
= 210
13
portadores/cm
3
Si: n
i
= 10
10
portadores/cm
3
AsGa: n
i
= 210
6
portadores/cm
3
(a temperatura ambiente)
Pueden modificarse estos valores?
Puede desequilibrarse el nmero de electrones y de
huecos?
La respuesta son los Semiconductores Extrnsecos
Semiconductores Intrnsecos
ATE-UO Sem 17
A 0K, habra un electrn
adicional ligado al tomo
de Sb
Tiene 5 electrones en la
ltima capa
Semiconductores Extrnsecos (I)
Introducimos pequeas cantidades de impurezas del grupo V
ATE-UO Sem 18
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
-
-
-
-
Sb
-
-
-
1
2
3
4
5
0K
ATE-UO Sem 19
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
-
-
-
-
Sb
-
-
-
1
2
3
4
5
0K
Semiconductores Extrnsecos (II)
300K
Sb
+

5
-
A 300K, todos electrones adicionales de los tomos de Sb estn
desligados de su tomo (pueden desplazarse y originar corriente
elctrica). El Sb es un donador y en el Ge hay ms electrones
que huecos. Es un semiconductor tipo N.
-
E
n
e
r
g

a

E
g
=0,67eV
4 electr./atm.
4 est./atm.
0 electr./atm.
E
Sb
=0,039eV
-
-
-
-
0K
El Sb genera un estado permitido en la banda
prohibida, muy cerca de la banda de conduccin. La
energa necesaria para alcanzar la banda de
conduccin se consigue a la temperatura ambiente.
Semiconductores Extrnsecos (III)
Interpretacin en diagrama de bandas de un
semiconductor extrnseco Tipo N
ATE-UO Sem 20
3 est./atm.
1 electr./atm.
-
+
300K
A 0K, habra una falta de
electrn adicional ligado
al tomo de Al
Tiene 3 electrones en la
ltima capa
Semiconductores Extrnsecos (IV)
Introducimos pequeas cantidades de impurezas del grupo III
ATE-UO Sem 21
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
-
-
-
-
Al
- 1
2
3
0K
A 300K, todas las faltas de electrn de los tomos de
Al estn cubiertas con un electrn procedente de un
tomo de Ge, en el que se genera un hueco. El Al es un
aceptador y en el Ge hay ms huecos que electrones. Es
un semiconductor tipo P.
Semiconductores Extrnsecos (V)
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
-
-
-
-
Al
- 1
2
3
0K
ATE-UO Sem 22
300K
Al
-

+
-
4 (extra)
E
n
e
r
g

a

E
g
=0,67eV
4 electr./atom.
0 huecos/atom.
4 est./atom.
E
Al
=0,067eV
-
-
-
-
0K
+
-
3 electr./atom.
1 hueco/atom.
300K
Interpretacin en diagrama de bandas de un
semiconductor extrnseco Tipo P
ATE-UO Sem 23
Semiconductores Extrnsecos (VI)
El Al genera un estado permitido en la banda prohibida,
muy cerca de la banda de valencia. La energa necesaria
para que un electrn alcance este estado permitido se
consigue a la temperatura ambiente, generando un hueco
en la banda de valencia.
Semiconductores intrnsecos:
Igual nmero de huecos y de electrones
Semiconductores extrnsecos:
Tipo P:
Ms huecos (mayoritarios) que electrones (minoritarios)
Impurezas del grupo III (aceptador)
Todos los tomos de aceptador ionizados -.
Tipo N:
Ms electrones (mayoritarios) que huecos (minoritarios)
Impurezas del grupo V (donador)
Todos los tomos de donador ionizados +.
ATE-UO Sem 24
Resumen
Muy
importante
Diagramas de bandas del cristal
ATE-UO Sem 25
Cristal de Ge con m tomos
Banda de
conduccin
Banda de
valencia
4m electrones
4m estados
E
n
e
r
g

a

-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0K
-
300K
-
+
+
Cmo es la distribucin de
electrones , huecos y estados
en la realidad?
E
g
=0,67eV (Ge)
Banda prohibida
g
v
(E)
g
c
(E)
E
E
c

E
v

Densidad de estados en las bandas
de conduccin y valencia
ATE-UO Sem 26
E
1

dE
Significado:g
v
(E
1
)dE = n de estados, por unidad de
volumen, con energa entre E
1
y E
1
+dE, en los que puede
haber electrones en la banda de valencia. Lo mismo se
define para la banda de conduccin.

g
c
(E)= densidad de estados en
los que puede haber electrones
en la banda de conduccin
g
v
(E)= densidad de estados en
los que puede haber electrones
en la banda de valencia
T=500K
T=0K
T=300K
f(E) es la probabilidad de que un estado de
energa E est ocupado por un electrn, en
equilibrio
1 + e
(E-E
F
)/kT
f(E) =
1
Funcin de Fermi f(E)
ATE-UO Sem 27
E
F
=nivel de Fermi
k=constante de Boltzmann
T=temperatura absoluta
0
0,5
1
0
f(E)
E
F

E
g
v
(E)
g
c
(E)
Estados posibles
Estados posibles
E
c

E
v

E
f(E)
1
0,5
0
E
F

Calculamos la concentracin de electrones en
la banda de conduccin, n.
ATE-UO Sem 28
n = g
c
(E)f(E)dE

E
c

}
En general:
Estados vacos
completamente
Estados completamente
llenos de electrones
f(E)
b. cond.
=0,
luego n = 0
A 0K:
E
c

E
v

Estados posibles
Estados posibles
g
c
(E)
g
v
(E)
Electrones
n electrones/vol.
E
f(E)
1
0,5 0
E
F

Semiconductor intrnseco a alta temperatura
(para que se puedan ver los electrones)
ATE-UO Sem 29
huecos

n = g
c
(E)f(E)dE = 0
E
c

}
E
c

E
v

Estados posibles
Estados posibles
g
c
(E)
g
v
(E)
1-f(E)
Huecos
Electrones
E
1
0,5 0
E
F

f(E)
El nivel de Fermi tiene
que ser tal que las
reas que representan
huecos y electrones
sean idnticas (sem.
intrnseco)
ATE-UO Sem 30
Calculamos la concentracin de huecos en la
banda de valencia, p.
}
-
p = g
v
(E)(1-f(E))dE = n
E
v

f(E)
1-f(E)
Semiconductor intrnseco
n
p
f(E)
1-f(E)
Semiconductor extrnseco tipo N
p
n
Sube el nivel
de Fermi
f(E)
1-f(E)
n
p
Semiconductor extrnseco tipo P
Baja el nivel
de Fermi
ATE-UO Sem 31
Concentracin de electrones y huecos en sem.
intrnsecos, extrnsecos tipo N y extrnsecos tipo P

n = g
c
(E)f(E)dE ~ N
c

E
c

}
e
(E
F
-E
c
)/kT
}
-
p = g
v
(E)(1-f(E))dE ~ N
v

E
v

e
(E
v
-E
F
)/kT
n
i
= p
i
= N
v
e = N
c
e
(E
Fi
-E
c
)/kT
(E
v
-E
Fi
)/kT
n = n
i
e
(E
F
-E
Fi
)/kT (E
Fi
-E
F
)/kT
p = n
i
e
Nc es una constante
que depende de T
3/2

Nv es otra constante
que depende de T
3/2

Particularizamos para
el caso intrnseco:
Eliminamos N
c
y N
v
:
pn =n
i
2
Finalmente obtenemos:
Muy
importante
ATE-UO Sem 32
Relaciones entre n, p y n
i

Neutralidad elctrica (el semiconductor intrnseco era
neutro y la sustancia dopante tambin, por lo que
tambin lo ser el semiconductor extrnseco):
Dopado tipo N: n = p + N
D
Dopado tipo P: n + N
A
= p

Ambos dopados: n + N
A
= p + N
D
Producto np
pn =n
i
2
Simplificaciones si N
D
>> n
i


n=N
D
N
D
p = n
i
2
Simplificaciones si N
A
>> n
i


p=N
A
N
A
n = n
i
2
Ecuaciones en los semiconductores extrnsecos
ATE-UO Sem 33
N
D
= concentr. donador N
A
= concentr. aceptador
Muy
importante
ATE-UO Sem 34
Diagrama de bandas con campo elctrico interno y en equilibrio
AE
21
= E
Fi2
-E
Fi1
= (V
2
- V
1
)(-q)
E
v
E
Fi
E
c
1
2
E
F
n > n
i

1 2
+ +
- - -
+
+ +
- - -
+
p > n
i

E
Fi1
E
v
E
c
1
2
E
Fi2
1
+

+

+

+


-
-
-
-
E

V
1
V
2
2
+
-
+
-
+
-
-
+
-
-
+
+
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
-
Los electrones se han movido por difusin (el
mismo fenmeno que la difusin de gases o de
lquidos).
Difusin de electrones (I)
ATE-UO Sem 35
j
n

-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
- - -
- -
-
-
-
j
n

1
2
n
1
n
2
< n
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
2
n
1
n
2
< n
1
j
n

Difusin de electrones (II)
ATE-UO Sem 36
A
n

La densidad de corriente a la que dan origen es proporcional al
gradiente de la concentracin de electrones:
j
n
=qD
n
n

A
Mantenemos la
concentracin distinta
Los huecos se han movido por difusin (el mismo
fenmeno que la difusin de electrones).
Difusin de huecos (I)
ATE-UO Sem 37
j
p

1
2
p
1
p
2
< p
1
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+
+
+
+
+
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
j
p

Difusin de huecos (II)
ATE-UO Sem 38
A
p

1
2
p
1
p
2
< p
1
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
Mantenemos la
concentracin distinta
La densidad de corriente es proporcional al gradiente de la
concentracin de huecos, aunque su sentido es opuesto:
j
p
=-qD
p
p

A

D
n
= Constante de difusin de electrones
D
p
= Constante de difusin de huecos
j
n
=qD
n
n

A

j
p
=-qD
p
p


A

Ntese que las corrientes de difusin no dependen
de las concentraciones, sino de la variacin
espacial (gradiente) de las concentraciones.
Resumen de la difusin de portadores
ATE-UO Sem 39
Ge
(cm
2
/s)
Si
(cm
2
/s)
As Ga
(cm
2
/s)
D
n
100 35 220
D
p
50 12,5 10
Muy
importante
Equilibrio: j
n difusin
+ j
n campo
=0
Equilibrio difusin-campo para electrones (I)
ATE-UO Sem 40
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
2
n
1
n
2
< n
1
+

+

+

+

+

-
-
-
-
-


j
n difusin

j
n difusin
=qD
n
dn/dx
j
n campo

j
n campo
=q
n
nE
Equilibrio difusin-campo para electrones (II)
ATE-UO Sem 41
j
n difusin
=qD
n
dn/dx
j
n campo
=q
n
nE
E=-dV/dx
Sustituimos e integramos:
V
21
=V
2
-V
1
=-(D
n
/
n
)ln(n
1
/n
2
)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
2
n
1
n
2
< n
1
+

+

+

+

+

-
-
-
-
-
E

V
1
V
2
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
p
2
< p
1
p
1
Equilibrio: j
p difusin
+ j
p campo
=0
Equilibrio difusin-campo para huecos (I)
ATE-UO Sem 42
+

+

+

+

+

-
-
-
-
-


j
p difusin

j
p difusin
=-qD
p
dp/dx
j
p campo

j
p campo
=q
p
pE
Equilibrio difusin-campo para huecos (II)
ATE-UO Sem 43
j
p difusin
=-qD
p
dp/dx
j
p campo
=q
p
pE E=-dV/dx
Sustituimos e integramos:
V
21
=V
2
-V
1
=(D
p
/
p
)ln(p
1
/p
2
)
2
p
1
p
2
< p
1
+

+

+

+

+

-
-
-
-
-
E

V
1
V
2
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
1
Equilibrio difusin-campo para electrones y
huecos (I)
ATE-UO Sem 44
1
2
p
1
, n
1
p
2
, n
2
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+

+

+

+

+

-
-
-
-
-
V
1
V
2
E

-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
21
= V
2
-V
1
= (D
p
/
p
)ln(p
1
/p
2
)
V
21
= V
2
-V
1
= -(D
n
/
n
)ln(n
1
/n
2
)
p
1
.n
1
= n
i
2
p
2
.n
2
= n
i
2

Partimos de:
Equilibrio difusin-campo para electrones y
huecos (II)
ATE-UO Sem 45
Partimos de:
se obtiene:
p
1
/p
2
= n
2
/n
1

D
n
/
n
= kT/q = V
T
(Relacin de Einstein)
tambin: D
n
/
n
= D
p
/
p
= kT/q = V
T

(V
T
= 26mV a 300K)
n
1
= n
i
e
(E
F
-E
Fi1
)/kT
n
2
= n
i
e
(E
F
-E
Fi2
)/kT
E
Fi2
-E
Fi1
=q(V
1
-V
2
)
D
p
/
p
= D
n
/
n
n
2
/n
1
= e
q(V
2
-V
1
)/kT
se obtiene:
y, por tanto:
V
2
-V
1
= (D
n
/
n
)ln(n
2
/n
1
) = (D
n
/
n
) q(V
2
-V
1
)/kT
Equilibrio difusin-campo para electrones y
huecos (III)
ATE-UO Sem 46
Muy
importante
1
p
1
, n
1
+
+
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+

+

+


-
-
-
V
1
V
2
E

2
p
2
<p
1

n
2
>n
1
V
2
-V
1
= V
T
ln(p
1
/p
2
)
V
2
-V
1
= V
T
ln(n
2
/n
1
)
n
2
/n
1
= e

(V
2
-V
1
)/

V
T
p
1
/p
2
= e

(V
2
-V
1
)/

V
T

Resumen:
(V
T
= 26mV a 300K)
Evolucin temporal de un exceso en la
concentracin de minoritarios (I)
ATE-UO Sem 47
Partimos de un semiconductor tipo N. Dibujamos los pocos huecos
N
+
+
+ +
+
p

En t<0, p(t) = p

N
+
+
+ +
+
p

En t=0, incide luz (por ejemplo), por lo que:
Ap=An p(0)=p
0
>>p

n(0)=n
0
~ n

(Hiptesis de baja inyeccin: p
0
<<n

)
N
+
+
+ +
+
p
0
+
+
+
+
+
+
+
+
Evolucin temporal de un exceso en la
concentracin de minoritarios (II)
ATE-UO Sem 48
N
+
+
+ +
+
p
0
+
+
+
+
+
+
+
+
Definimos el exceso de minoritarios:
p(t)=p(t)- p

p
0
= p
0
-p

Cesa la luz. Hay un exceso de concentracin de
huecos con relacin a la de equilibrio trmico. Se
incrementan las recombinaciones.
Evolucin temporal de un exceso en
la

concentracin de minoritarios (III)
ATE-UO Sem 49
t=0

, p
0
N
+
+
+ +
+
p
0
+
+
+
+
+
+
+
+
N
+
+
+ +
+
p
0
+
+
+
+
+
+
+
+
t=t
1
, p
1
<p
0
N
+
+
+ +
+
p
1
+
+
+
+
N
+
+
+ +
+
p
1
+
+
+
+
t=

, p

<p
1
N
+
+
+ +
+
p

p

p(t)
p

p
0
t
p
1
p
2
t
1
t
2
Cmo es esta
curva?
p
0
p(t)
t
p
1
p
2
t
1
t
2
Representamos el exceso de concentracin
Evolucin temporal de un exceso en
la

concentracin de minoritarios (IV)
ATE-UO Sem 50
p

p

p
0
p(t)
t
La tasa de recombinacin de huecos debe ser
proporcional al exceso en su concentracin:
-dp/dt = K
1
p (ntese que dp/dt = dp/dt)
Integrando:
p(t) = p

+ (p
0
- p

)e
-t/t
p

donde t
p
= 1/K
1
(vida media de los huecos)
Evolucin temporal de un exceso en la
concentracin de minoritarios (V)
ATE-UO Sem 51
Muy
importante
Interpretaciones de la vida media de los huecos t
p
Lo mismo con los electrones
Evolucin temporal de un exceso en la
concentracin de minoritarios (VI)
ATE-UO Sem 52
p

p

p
0
p(t)
t
t
p
Tangente en el origen
Mismo rea
Idea aproximada
p

p

p
0
p(t)
t
t
p
Ecuacin de continuidad (I)
ATE-UO Sem 53
1
2
j
p1

j
p2

1 Acumulacin de huecos al entrar y
salir distinta densidad de corriente
Objetivo: relacionar la variacin temporal y
espacial de la concentracin de los portadores.
El clculo se realizar con los huecos
Por qu razones puede cambiar en el tiempo la
concentracin de huecos en este recinto?
Ecuacin de continuidad (II)
ATE-UO Sem 54
+
-
+
-
2 Recombinacin de los huecos o
electrones que pueda haber en exceso
1
2
Por qu razones puede cambiar en el
tiempo la concentracin de huecos en este
recinto?
Ecuacin de continuidad (III)
ATE-UO Sem 55
+
-
+
-
3 Generacin de un exceso de concentracin
de huecos y electrones por luz
1
2
Por qu razones puede cambiar en el tiempo
la concentracin de huecos en este recinto?
Luz
j
p
(x)
A
Carga elctrica que entra por unidad de tiempo: j
p
(x)A
j
p
(x+dx)
A
Carga elctrica que sale por unidad de tiempo: j
p
(x+dx)A
Ecuacin de continuidad (IV)
ATE-UO Sem 56
dx
1 Acumulacin de huecos al entrar y salir distinta densidad de corriente
qAdx
j
p
(x)A-j
p
(x+dx)A
Variacin de la concentracin de huecos en el volumen
Adx por unidad de tiempo:
La variacin de la concentracin de huecos por unidad
de tiempo en el volumen Adx, ser : -[p(t)- p

]/t
p
Si la corriente vara en 3 dimensiones, la variacin
de la concentracin de huecos por unidad de
tiempo en el volumen Adx, ser :
j
p
/q

A -

La variacin de la concentracin de huecos por unidad
de tiempo en el volumen Adx debida a luz: G
L
Ecuacin de continuidad (V)
ATE-UO Sem 57
1 Acumulacin de huecos al entrar y salir distinta densidad de
corriente (continuacin)
2 Recombinacin de los huecos que pueda haber en exceso
3 Generacin de un exceso de concentracin de huecos por luz
Ecuacin de continuidad para los
huecos:
j
p
/q

A -

cp/ct = G
L
- [p(t)-p

]/t
p

Igualmente para los electrones:
j
n
/q

A +

cn/ct = G
L
- [n(t)-n

]/t
n

Ecuacin de continuidad (VI)
ATE-UO Sem 58
Muy
importante
cp
N
/ct = G
L
-p
N
/t
p
+D
p
c
2
p
N
/cx
2
cn
P
/ct = G
L
-n
P
/t
n
+D
n
c
2
n
P
/cx
2

Admitiendo:
1 dimensin (solo x)
estudio de minoritarios (huecos en zona N y
electrones en zona P)
campo elctrico despreciable (E=0)
bajo nivel de inyeccin (siempre menos
minoritarios que mayoritarios)
Caso de especial inters en la aplicacin
de la ecuacin de continuidad
ATE-UO Sem 59
d(j
p zonaN
)/dx

= -qD
p
c
2
p/cx
2
d(j
n zonaP
)/dx

= qD
n
c
2
n/cx
2
Queda:
x
x
N
+
+
+ +
+
+
+
+
+
N
Hay que resolver la ecuacin de continuidad en este caso:
0 = -p
N
/t
p
+D
p
c
2
p
N
/cx
2
La solucin es:
p
N
(x) = C
1
e
-x/L
p
+ C
2
e
x/L
p

donde L
p
=(D
p
t
p
)
1/2
(Longitud de Difusin de huecos)
Inyeccin continua de minoritarios por una
seccin (rgimen permanente) (I)
ATE-UO Sem 60
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
Si X
N
>>L
p
,entonces:
C
2
=0 C
1
=p
N
(0)-p
N
()=p
N0
-p
N
= p
N0

Por tanto:
p
N
(x) = p
N
+ (p
N0
- p
N
)e
-x/L
p
A esta conclusin tambin se llega integrando:
-dp
N
(X)/dx = K
2
p
N
(x)
y teniendo en cuenta que:
L
p
= 1/K
2
, p
N
()= p
N sin inyeccin
(proceso paralelo al seguido para calcular la
evolucin en el tiempo en vez de en el espacio)
Inyeccin continua de minoritarios por una
seccin (rgimen permanente) (II)
ATE-UO Sem 61
L
p
Tangente en el origen
ATE-UO Sem 62
Interpretacin de la longitud de difusin
de los huecos L
p
Con los electrones minoritarios de una zona P sucede lo mismo
Muy
importante
p
N
(x)
p
N
p
N
p
N0
x
Idea aproximada
p
N
p
N
p
N0
p
N
(x)
x
L
p
Mismo rea