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FOTODIODOS

Que es
es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo que se producir una cierta circulacin de corriente cuando sea excitado por la luz

Funcionamiento
Cuando una luz de suficiente energa llega al diodo, excita un electrn dndole movimiento crea un !ueco con carga positiva. "i la absorcin ocurre en la zona de agotamiento de la unin, o a una distancia de difusin de #l, estos portadores son retirados de la unin por el campo de la zona de agotamiento, produciendo una fotocorriente. $os diodos tienen un sentido normal de circulacin de corriente, que se llama polarizacin directa. %n ese sentido el diodo deja pasar la corriente el#ctrica prcticamente no lo permite en el inverso.

Material
%l material empleado en la composicin de un fotodiodo es un factor crtico para definir sus propiedades. "uelen estar compuestos de silicio, sensible a la luz visible &longitud de onda de !asta '(m)*germanio para luz infrarroja &longitud de onda !asta aprox. ',+ (m )* o de cualquier otro material semiconductor. ,aterial "ilicio 0ermanio 2ndio galio ars#nico&%n 0a3s) sulfuro de plomo $ongitud de onda &nm) '-./''.. +../'1.. +../45.. 6'...789..

En un fotodiodo adems de la generacin trmica se le suma la "Generacin

por energ a luminosa"! "ue la crean los fotones "ue atacan cerca de la unin formando ms pares #$e % por lo tanto ms corriente& Entonces tenemos'

( la corriente es ma%or'

)umenta en *alor a+soluto& Es para con*ertir energ a luminosa en energ a

elctrica&

Estructura

%l fotodiodo contiene una unin PN que se puede exponer a la luz. $a capa barrera llega casi slo !asta la capa N, debido a la intensa impurificacin de la capa P. %n la capa P se encuentra un contacto / es el nodo. $a capa N est aplicada a la placa base de metal / el ctodo.

ECUACION CARACTERISTICA
$a intensidad el#ctrica del fotodiodo esta conformada por dos partes: $a

intensidad de origen fotnico 2P; proporcional a la intensidad luminosa P la debida a la polarizacin del diodo 2<3=> &?d)

$a intensidad de origen fotnico &2P;) sigue el modelo matemtico de "!oc@le &en

!onor a Ailliam Bradford "!oc@le ) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la ma ora de las aplicaciones. $a ecuacin que liga la intensidad de corriente la diferencia de potencial es:

,-./) ,).),TE.ISTI,)
0rfica de la intensidad del fotodiodo

)01I,),IO2
%l fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a iluminacin viceversa con muc!a ms velocidad, puede utilizarse en circuitos con tiempo de respuesta ms pequeCo. "e usa en los lectores de C<, recuperando la informacin grabada en el surco del Cd transformando la luz del !az lser reflejada en el mismo en impulsos el#ctricos para ser procesados por el sistema obtener como resultado los datos grabados. Dsados en fibra ptica

$os fotodiodos se emplean no solo en comunicaciones pticas fotmetros, sino tambi#n para control de iluminacin brillo, control remoto por infrarrojos, monitorizacin de llamas de gas de petrleo &radiacin ultravioleta centrada en la banda de 8'. nm), enfoque automtico control de exposicin en cmaras. Combinados con una fuente de luz, se emplean en codificadores de posicin, medidas de distancia, espesor, transparencia posicin, como detectores de proximidad de presencia. $os sensores de color se emplean para inspeccin control de calidad. $as agrupaciones de sensores se aplican al reconocimiento de formas, manipulacin de papes &fotocopias), lectoras de tarjetas codificadas, etc.