BLAS GOMEZ ERICK GUTIERREZ SANCHEZ ALEXIA LOPEZ MARTINEZ LENNIN OCEJO LUIS CARLOS JESUS

INGENIERIA EN ELECTRONICA

Un tiristor es un dispositivo semiconductor de 4 capas de estructura PNPN con 3 uniones PN tiene tres terminales: nodo, ctodo y compuerta. Los tiristores se fabrican por difusin y du estructura es la siguiente:

Es uno de los dispositivos semiconductores de potencia mas importantes. Se utilizan de forma extensa en los circuitos electrnicos de potencia. Se operan como conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor a un estado conductor.

* SCR
Es un dispositivo semiconductor formado por 4 capas de material semiconductor con estructura PNPN o bien NPNP. Se utiliza tambin como nombre genrico para cualquier dispositivo semiconductor de cuatro capas.

Posee tres conexiones: nodo, ctodo y puerta. La puerta se encarga de controlar el paso de corriente entre el nodo y el ctodo. Funciona bsicamente como un diodo rectificador, permitiendo circular la corriente en un solo sentido, el tiristor comienza a conducir.

* DIAC
Es un dispositivo semiconductor de dos conexiones. Es un diodo bidireccional disparable que conduce la corriente solo tras haberse superado su tensin de disparo y mientras la corriente circulante no sea inferior al valor caracterstico para ese dispositivo. El compartimiento es fundamentalmente lo mismo para ambas direcciones de la corriente. La mayora de los DIAC tienen una tensin de disparo alrededor de 30 V. En este sentido, su comportamiento es similar al de una lmpara de nen.

* TRIAC
Es un dispositivo semiconductor, de la familia de tiristores. La diferencia con un tiristor convencional es que este es unidireccional y el triac es bidireccional. Podra decirse que el triac es un interruptor capaz de conmutar la corriente alterna. Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposicin que formaran dos tiristores en antiparalelo. El triac permanece en estado ON hasta que la corriente disminuye por debajo de la corriente de mantenimiento IH

* UJT
Es un dispositivo con funcionamiento diferente al de otros transistores. Es un dispositivo de disparo., consisten en una sola unin P-N
Fsicamente consiste en una barra de material N con conexiones elctricas a sus dos extremos y de una conexin hecha a un conductor de aluminio en alguna parte a lo largo de la barra. En el lugar de unin el aluminio crea una regin tipo P en la barra, formando as una unin PN

* PUT
La nica similitud a un UJT es que el PUT se puede utilizar en el mismo oscilador para reemplazar el UJT. La construccin de PUT (Programmable Uni Junction transistor) es similar a la de SCR , tiene cuatro capas de material semiconductor PNPN o estructura NPNP, con tres unin J1 J2 y J3, terminal que est conectado al material tipo P se llama nodo y el terminal que est conectado a N-Tipo de material se denomina ctodo. El terminal de puerta est conectado al material de tipo N cerca de la terminal de nodo.

Un MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por tensin que requiere solo de una muy pequea corriente de entrada. La velocidad de conmutacin es muy alta siendo los tiempos de conmutacin del orden de los nanosegundos. Sin embargo, tiene problemas de descargas electrostticas, por lo que su manejo requiere de cuidados especiales, adems es relativamente difcil de protegerlos bajo condiciones de falla por cortocircuito. Los MOSFET son de dos tipos: Decrementales Incrementales

* Tipo decremental
Un mosfet tipo decremental de canal n se forma en un sustrato de silicio de tipo p. La compuerta esta aislada del canal mediante una delgada capa de oxido. Los tres terminales se conocen como compuerta, drenaje y fuente. El voltaje de compuerta a fuente puede ser positiva o negativa.

Con un mosfet tipo decremental de canal p, se invierten las polaridades de , ,

* Tipo incremental
El mosfet de canal n de tipo incremental no tiene canal fsico. Si es positivo, un voltaje inducido atrae a los electrones del sustrato p y los acumula en la superficie, bajo la capa de oxido. Un mosfet tipo decremental permanece activo con voltaje cero de compuerta.

Este dispositivo aparece en los aos 80 Mezcla caractersticas de un transistor bipolar y de un MOSFET La caracterstica de salida es la de un bipolar pero se controla por tensin y no por corriente

C
MOSFET
Bipolar

G E
Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar)

Facilidad de manejo (MOSFET)

Menor capacidad de conmutacin (Bipolar) No tiene diodo parsito

Estructura del IGBT

Es el dispositivo ms adecuado para tensiones > 1000 V El MOSFET es el mejor por debajo de 250 V En los valores intermedios depende de la aplicacin, de la frec.,etc.

El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones: Bajo ciclo de trabajo Baja frecuencia (< 20 kHz) Aplicaciones de alta tensin (>1000 V) Alta potencia (>5 kW)

Aplicaciones tpicas del IGBT

Control de motores
Sistemas de alimentacin ininterrumpida Sistemas de soldadura Iluminacin de baja frecuencia (<100 kHz) y alta potencia

En muchas aplicaciones, el hecho de no poder apagar el SCR es un grave problema El GTO solventa ese inconveniente Con corriente entrante por puerta, se dispara Con corriente saliente por puerta, se apaga

 Soporta altas tensiones Puede manejar corrientes elevadas La cada de tensin en conduccin es relativamente baja

El GTO es bsicamente igual que un SCR

Se han modificado algunos parmetros constructivos para poder apagarlo por puerta Se pierden algunas caractersticas (solucin de compromiso). Por ejemplo, la corriente de disparo es mayor. Cada de tensin en conduccin ligeramente superior al SCR

Algo ms rpido que un SCR

Bibliografa
ftp://64.76.3.82/oscar/Bkup%20pc%20oscar/Electronica%20de% 20Potencia/5.A%20Power%20Mosfet%20v2.0.pdf

http://www.unicrom.com/Tut_transistor_ujt.asp
http://www.daenotes.com/electronics/industrialelectronics/put-programmable-unijunction-transistor
http://ccpot.galeon.com/enlaces1737094.html