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3.2.

3 Tipos de memorias

Tipos de memorias: RAM y ROM.


Actualmente

el tipo de memorias que se emplean con carcter universal, son las memorias de semiconductores. Los elementos semiconductores utilizados hasta ahora para realizar estas memorias son el Silicio (Si) y el Germanio (Ge), pero en la actualidad se est tambin utilizando el Arseniuro de Galio (AsGa).

Memorias de slo lectura: ROM


(Read

only memory). Se caracterizan por ser memorias de lectura y contienen celdas de memoria no voltiles, es decir que la informacin almacenada se conserva sin la necesidad de energa. Este tipo de memorias se emplean para almacenar informacin de forma permanente o informacin que no cambie con mucha frecuencia.

Atendiendo a la manera en que son grabadas se pueden distinguir varios tipos:


a)

ROM: La palabra ROM puede ser aplicada a cualquiera de estos tipos de memoria, pero en este caso vamos a reservarla para memorias grabadas de fbrica en las que los transistores estn dispuestos de la manera necesaria para que se lean los valores que debe contener.

b)

PROM (Programable Read Only Memory): Este tipo de memorias son similares a las anteriores. Son memorias que pueden grabarse, aunque una sola vez. Una vez grabada la informacin no podemos cambiarla, tan slo leerla.

c) EPROM (Erasable Programable Read Only Memory): En este caso, la informacin puede ser modificada por el usuario un nmero limitado de veces. Para grabar la informacin se necesita un aparato especial, llamado grabador de EPROM. Antes de regrabar una EPROM hay que borrar el contenido anterior, para ello se emplea luz ultravioleta y posee una ventana que permite el paso de la misma, normalmente esta tapada para evitar un borrado accidental.

d)

EEPROM (Electricaly Erasable Programable Read Only Memory): Se diferencian de las anteriores en que pueden borrarse y grabarse en el mismo sistema informtico y, en este caso, tanto la operacin de borrado como de escritura se hace mediante el paso de corriente elctrica. La informacin es borrada simultneamente en todas las clulas de memoria.

Memorias de lectura/escritura: RAM


(Random

access memory). Se caracterizan por ser memoria de lectura/escrita y contienen un conjunto de variables en direccin que permiten seleccionar cualquier direccin de memoria de forma directa e independiente de la posicin en la que se encuentre.

Podemos distinguir dos tipos de memorias RAM:

a) DRAM (Dinamic Random Access Memory): Son memorias en las cuales el estado (0 1) se almacena en un dispositivo electrnico cuya forma de funcionamiento podemos compararla con un condensador que tiende a descargarse. Por ello, cada cierto tiempo, entre 1 y 18 millones de veces cada segundo, hay que enviar una seal, que se denomina seal de refresco, que recuerde a la memoria la informacin que posee, ya que sta, se pierde poco despus de haberse introducido.

La capacidad de las memorias DRAM va de 64Kbit a 32Mbit (la capacidad de los chips de memoria se suele medir en bits y no en bytes). Las figuras siguientes representan los distintos tipos de mdulos de memoria que sehan existido y existen, as como los tamaos del bus de datos y direcciones de cada uno, en el caso de las memorias dinmicas la memoria direccionable es el doble del tamao del bus de direcciones, ya que las direcciones se dividen en filas y columnas y se envan consecutivamente ambas por el mismo bus.

b)

SRAM (Static Random Access Memory): La diferencia fundamental con las memorias anteriores es que no necesitan refresco, para ello emplean varios transistores por bit, lo cual reduce la capacidad de la memoria y hace que sean ms caras que las DRAM (a igualdad de capacidad), a cambio son ms rpidas que las DRAM.

En la evolucin de la memoria DRAM nos encontramos con la SDRAM (Synchronous DRAM). Utiliza como modo de encapsulado el mdulo DIMM, consiguiendo con ella que la memoria est sincronizada con el bus de datos y con el reloj del procesador, incrementndose as, la tasa de trasferencia de datos, ya que el procesador sabe perfectamente en que ciclos puede realizar lecturas y escrituras. Adems admite que se enven comandos en los que se especifica que bancos refrescar o actualizar. La diferencia bsica con el anterior de modelo es que la memoria es ahora la que espera para establecer sincrona con el resto del sistema.

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