Está en la página 1de 18

ARQUITECTURA DE COMPUTADORAS

SEMANA 8

INTEGRANTES: David Vzquez Espinosa Heldert Acevedo Peralta Roberto Martnez Quintana

Introduccin

MEMORIA RAM ESTTICA (SRAM)


Siglas de Static Random Access Memory, es un tipo de memoria que es ms rpida y fiable que la ms comn DRAM (Dynamic RAM). El trmino esttica viene derivado del hecho que necesita ser refrescada menos veces que la RAM dinmica.

MEMORIA RAM ESTTICA (SRAM)


Los chips de RAM esttica tienen tiempos de acceso del orden de 10 a 30 nanosegundos, mientras que las RAM dinmicas estn por encima de 30 Un bit de RAM esttica se construye con un --- como circuito flip-flop que permite que la corriente fluya de un lado a otro basndose en cual de los dos transistores es activado.

MEMORIA RAM ESTTICA (SRAM)


Las RAM estticas no precisan de circuitera de refresco, pero precisan ms espacio y usan mas energa. La SRAM, debido a su alta velocidad, es usada como memoria cach.

MEMORIA RAM ESTTICA (SRAM)


En la siguiente figura se observa la estructura tpica de una celda de memoria de una SRAM.

MEMORIA RAM DINAMICA (DRAM)


Dynamic Random Access Memory Se compone de celdas construidas con condensadores. Las celdas de memoria son de fabricacin ms sencillas en comparacin a las celdas a base de transistores. Lo cual permite construir memorias de gran capacidad.

MEMORIA RAM DINAMICA (DRAM)


La operacin de la celda es similar a la de un interruptor, cuando el estado en la fila se encuentra en alto, el transistor entra en saturacin y el dato presente en el bus interno de la memoria (columna) se almacena en el condensador, durante una operacin de escritura y se extrae en una de lectura.

DRAM - DISEO

VENTAJAS Y DESVENTAJAS DE LOS DOS SISTEMAS DE MEMORIA (SRAM Y DRAM)

MEMORIAS FLASH
La memoria flash es una tecnologa de almacenamiento derivada de la memoria EEPROM que permite la lecto-escritura de mltiples posiciones de memoria en la misma operacin. Gracias a ello, la tecnologa flash, siempre mediante impulsos elctricos, permite velocidades de funcionamiento muy superiores frente a la tecnologa EEPROM primigenia, que slo permita actuar sobre una nica celda de memoria en cada operacin de programacin. Se trata de la tecnologa empleada en los dispositivos PENDRIVE

Tipos de memoria flash


TIPO NOR: En las memorias flash de tipo NOR, cuando los electrones se encuentran en FG, modifican (prcticamente anulan) el campo elctrico que generara CG en caso de estar activo. De esta forma, dependiendo de si la celda est a 1 a 0, el campo elctrico de la celda existe o no. Entonces, cuando se lee la celda poniendo un determinado voltaje en CG, la corriente elctrica fluye o no en funcin del voltaje almacenado en la celda. La presencia/ausencia de corriente se detecta e interpreta como un 1 un 0, reproduciendo as el dato almacenado. En los dispositivos de celda multi-nivel, se detecta la intensidad de la corriente para controlar el nmero de electrones almacenados en FG e interpretarlos adecuadamente.

TIPO NAND
Las memorias flash basadas en puertas lgicas NAND funcionan de forma ligeramente diferente: usan un tnel de inyeccin para la escritura y para el borrado un tnel de soltado. Las memorias basadas en NAND tienen, adems de la evidente base en otro tipo de puertas, un coste bastante inferior, unas diez veces de ms resistencia a las operaciones pero slo permiten acceso secuencial (ms orientado a dispositivos de almacenamiento masivo), frente a las memorias flash basadas en NOR que permiten lectura de acceso aleatorio.

MEMORIA VIRTUAL
La memoria virtual es una tcnica de administracin de la memoria real que permite al sistema operativo brindarle al software de usuario y a s mismo un espacio de direcciones mayor que la memoria real o fsica. La mayora de los ordenadores tienen cuatro tipos de memoria: registros en la CPU, la memoria cache (tanto dentro como fuera del CPU), la memoria fsica (generalmente en forma de RAM, donde la CPU puede escribir y leer directa y razonablemente rpido) y el disco duro que es mucho ms lento, pero tambin ms grande y barato.

Paginacin y memoria virtual


La memoria virtual usualmente (pero no necesariamente) es implementada usando paginacin. En paginacin, los bits menos significativos de la direccin de memoria virtual son preservados y usados directamente como los bits de orden menos significativos de la direccin de memoria fsica. Los bits ms significativos son usados como una clave en una o ms tablas de traduccin de direcciones (llamadas tablas de paginacin), para encontrar la parte restante de la direccin fsica buscada.

También podría gustarte