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Universidad de Los Andes-Tchira Departamento de Ciencias Ctedra: Electrnica Prof.

Miguel Vera

Clase N 10:

Anlisis de Circuitos Electrnicos


Parte III: Transistores
Material Digital preparado por: Miguel Vera

San Cristbal, Julio de 2011

INTRODUCCIN
En esta clase se introduce el tercer dispositivo electrnico denominado Transistor.

Esta sesin de trabajo se dedicar a describir el Transistor, a analizar circuitos en los que este tipo de dispositivo acta como componente principal, obtener su funcin de transferencia y utilizar su modelo fsico-

matemtico para la resolucin de problemas.

OBJETIVOS

Definir el Transistor e introducir su simbologa y nomenclatura. Describir las caractersticas fundamentales de un Transistor. Analizar las configuraciones Tpicas del Transistor. Estudiar algunas aplicaciones de los Transistores.

COMPONENTE ELECTRNICO N 3: Transistor,

Descripcin de un Transistor:
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra prcticamente en todos los aparatos domsticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos de microondas, lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, telfonos mviles, etc.

Tipos de Transistores Transistor de unin bipolar

El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de Galio, que tienen cualidades de semiconductores.
Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP. La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P).

Tipos de Transistores Transistor de unin bipolar La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor esta mucho ms contaminado que el colector).

El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico de la unin.

Curvas Caractersticas de un Transistor BJT

Curvas Caractersticas de un Transistor BJT

Recta de Carga de un Transistor BJT

Tipos de Transistores
Transistor de efecto de campo El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que controla la corriente en funcin de una tensin; tienen alta impedancia de entrada. Existen varios tipos de FETs. 1. Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una unin PN. 2. Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se asla del canal mediante un dielctrico. 3. Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-xido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metlica y est separada del canal semiconductor por una capa de xido.

Tipos de Transistores Transistor de unin unipolar


Tambin llamado de efecto de campo de unin (JFET). Lo forma una barra de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica.Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre s, se producir una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensin positiva entre el drenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarizacin cero. Con un potencial negativo de puerta, cesa la conduccin en el canal.

Configuraciones Tpicas de BJT El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos, uno entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y colector, polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensin igual a la tensin directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y unos 0,4 para el germanio. En el colector tendremos una corriente proporcional a la corriente de base: IC = IB, es decir, ganancia de corriente cuando >1. Para transistores normales de seal, vara entre 100 y 300.

Configuraciones Tpicas de BJT Emisor comn. La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor se conecta a las masas o tierras tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganancia tanto de tensin como de corriente y alta impedancia de entrada

Configuraciones Tpicas de BJT Base comn. La seal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. la base se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganancia slo de tensin. La impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente algo menor que uno, debido a que parte de la corriente de emisor sale por la base. La base comn se suele utilizar para adaptar fuentes de seal de baja impedancia de salida como, por ejemplo, micrfonos dinmicos.

Configuraciones Tpicas de BJT Colector comn. La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El colector se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganancia de corriente, pero no de tensin que es ligeramente inferior a la unidad. Esta configuracin multiplica la impedancia de salida por 1/.

Ejemplo1:Transistor como Manipulador del Flujo elctrico

Ejemplo1:Transistor como Manipulador del Flujo elctrico


Solucin: us en la posicin A De la frmula de Potencia: P = VxI. Despejando I se obtiene:

us B Datos : Vcc = 12 V Carga= 12V, 1.2W B= 200 Vbe=0.7v

I = Ic = P/V = 1.2 watts / 12 v = 100 mA Ib = Ic/B = 100 mA/200 = 0.5 mA. Esta es la corriente de base necesaria para que el transistor se sature y encienda el bombillo. Para calcular Rb se hace una malla en el circuito de la base: 12 V = Rb x Ib + Vbe Rb = (120.7)/Ib = 11.3 V/0.5 mA = 2260 ohmios. Para efectos prcticos Rb = 2.2 K Para que el Transistor entre en Corte basta conectar Rb a Tierra.

Ejemplo2:Transistor como Manipulador del Flujo elctrico

Ejemplo2:Transistor como Manipulador del Flujo elctrico

Ejemplo3:Transistor como Manipulador del Flujo elctrico

Ejemplo4:Transistor funcionando en la regin activa

2.2k

10v
5v

RB