INTRODUCCIN :

EL DIODO SEMICONDUCTOR ES EL MAS SIMPLE DISPOSITIVO ELECTRNICO NO LINEAL.

UN DIODO DE ESTADO SOLIDO ESTA COMPUESTO DE DOS TIPOS DE MATERIALES DIFERENTES, SE AGRUPACIN PERMITE
EL FLUJO DE CARGA CORRIENTE CIRCULE EN UNA SOLA DIRECCIN.

LOS MATERIALES PARA SU CONSTRUCCIN SON EL SILICIO Y EL GERMANO, SU ORIGEN SE REMONTA HASTA 1906, NO FUE
SINO HASTA LA DCADA DE LOS CINCUENTA , CUANDO LOS DISPOSITIVOS DE ESTADO SOLIDO RECIBIERON GRAN
ATENCIN. DEBIDO PRINCIPALMENTE A LA GUERRA FRA YA QUE SE NECESITABAN COMPONENTES ELECTRNICOS
LIGUEROS ,PEQUEOS, D BAJO CONSUMO DE POTENCIA Y CONFIABLES, PARA SU USO EN EL DESARROLLO DE MISILES
INTERCONTINENTALES Y VEHCULOS ESPACIALES.
EL DIODO ES UN DISPOSITIVO NO LINEAL.
EL COMPORTAMIENTO DEL DIODO DEPENDE DE LA POLARIDAD DEL VOLTAJE APLICADO EN SUS TERMINALES.


SE ESTUDIARA:
CONCEPTOS FSICOS DE SEMICONDUCTORES.
ANLISIS DEL DIODO DE SILICIO Y DESARROLLO DE SU CIRCUITO EQUIVALENTE.
APLICACIONES .
EL DIODO TENER Y SU APLICACIN COMO REGULADOR DE VOLTAJE.
DIODOS DE PROPSITO ESPECIAL.

Un tomo consiste de un ncleo, el cual tiene una carga positiva, electrones, los cuales tienen cargas negativas y se
mueven alrededor del ncleo en trayectorias elpticas.

Los electrones se distribuyen en niveles o esferas. Los electrones en las esferas mas externas se conocen como electrones
de valencia.

Cuando los elementos extremadamente puros, tales como el silicio y germanio, son enfriados a partir de su estado liquido,
sus tomos se arreglan en patrones llamados cristales.

Los electrones de valencia determinan la forma o estructura del cristal.
Estructura de cristal
Los tomos de silicio y germanio tienen, cada uno, 4 electrones de valencia
El tomo de germanio tiene un nivel mas que el silicio.
El nivel mas externo dela tomo de germanio se encuentra
mas retirado del ncleo atmico, comparado con el silicio.
Los tomos son mantenidos en una estructura de cristal de tal forma que los tomos comparten sus cuatro electrones de valencia con sus
tomos vecinos en la forma de un enlace covalente.

Debido a que los electrones de valencia son mantenidos dbilmente en las estructuras cristalinas, es posible que estos electrones rompan
sus enlaces, y as se desplacen como electrones de conduccin.

Esto sucede si se aplica energa externa (ejemplo: luz o calor)

Los electrones de valencia poseen niveles de energa dentro de un intervalo de valor; entre mas retirado se encuentre un electrn del
nucle atmico es mas alto el nivel de energa

Al igual que ah un intervalo o bandas de energa para los electrones de valencia, existe otro intervalo de valores de energia para los
electrones de conduccin (libres). La siguiente figura representa tres diagramas de niveles de energa:
En la figura las bandas de energa estn separadas.
La banda en blanco representa una regin prohibida en al cual no se encuentran electrones el resultado es un aislador

Si la banda prohibida es relativamente pequea, del orden de 1 electrn volt (eV), el resultado es un semiconductor

El material conductor se obtiene cuando las bandas se traslapan esto significa que los electrones de valencia son libres de moverse a
travs de la estructura de cristal (este movimiento de electrones se le conoce como conduccin)
1eV es la cantidad de energia cinetica que se
incrementa en un electron, cunado este pasa a
traves de un potencial de 1 volt.
1eV = 1.6x10-19 j
La energa requerida para romper un enlace covalente es funcin del espaciamiento atmico en el cristal.

Entre mas pequeo sea el tomo, se requiere de mayor energa para romper los enlaces covalentes.

Para el silicio se requiere mas energa para romper los enlaces covalentes en relacin al germanio. Esto se ilustra en la siguiente figura.
se observa que la banda de separacin entre las bandas de conduccin y valencia para el germanio es menor que la del silicio, por lo que se
requiere menor energa para que un electrn atraviese ambas bandas

Los electrones son llevados a niveles mas altos de energa mediante la aplicacin de calor, el cual origina una vibracin en los cristales.

Los materiales que se comportan como aisladores a temperatura ambiente, pueden llegar a ser conductores cuando la temperatura aumenta.

Conduccin de los materiales semiconductores.

En la temperatura de cero absoluto, no existe vibracin en los cristales, de tal forma que los enlaces covalentes no pueden ser rotos, por lo tanto
no existen electrones en las bandas de conduccin. Por lo tanto el semiconductor se comporta como un aislante.

Cuando un electrn abandona las bandas de valencia, este deja un hueco. Un electrn de una banda de valencia cercana puede moverse y llenar
el hueco. Esto se ilustra en la siguiente figura.
Estos electrones se mueven hacia una direccin y establecen una corriente, como se ilustra en la siguiente figura.
El movimiento de los huecos es
opuesta a la de los electrones,
este se conoce como corriente
de huecos.
Los huecos actan como
partculas positivas y contribuyen
ala creacin del flujo de
corriente.
Conduccin a partir de una banda de valencia rota
Los dos mtodos mediante de los cuales los huecos y electrones se mueven a travs de los cristales de silicio, se llama difusin y arrastre.

Difusin
Si un mecanismo externo ocasiona una acumulacin de electrones en un extremo del semiconductor, esto ocasiona un gradiente, de tal
forma que los electrones se difundes hacia el otro extremo. Esto ocasiona un flujo de carga, conocida como corriente de difusin.

Arrastre
Resulta cunado un campo elctrico se aplica al semiconductor, ocasionando una aceleracin de los huecos y electrones libres. La
velocidad promedio de este movimiento se llama velocidad de arrastre, dicho movimiento ocasiona una movimiento de arrastre.

La corriente de arrastre es proporcional al campo elctrico aplicado.

Semiconductores intrnsecos

El silicio es uno de los materiales semiconductores usados mas extensivamente.
El germanio es utilizado en aplicaciones especializadas (implementaciones de alta corriente)
El arseniuro de galio(GaAs), es un material, que tiene una velocidad de operacin mucho mayor que el silicio, pero es mas difcil de
procesar.

En un semiconductor puro (intrnseco), el numero de huecos es igual al numero de electrones libres. Sin enbargo, los pares de hueco-
electron tambien pueden desapareser. Este proseso es llamado reconvinacion. La reconbinasion toma lugar cuando un electron libre se
mueve cerca de un hueco y es recapturado para restaurar el enlace covalente. Por lo tanto, la concentracion de huecos () debe ser ygual
ala concentracion de electrones ().

==i
Donde:

i es la concentracion intriseca, la cual es funcion de la temperatura.

i
( )
2
AT
3
e
EG
KT
Donde:

A = constante de proporcionalidad,

T = temperatura absoluta en grados kelvin,

K = constante de boltzmann,

EG = energa de la banda de separacin (mnima energa requerida para romper un enlace covalente, 1.12 eV).
A 5.05x10
43
m
6
K
3
K 1.38066x10
23
J
K
Semiconductores dopados

Las corrientes inducidas en los semiconductores puros son relativamente pequeas (menores que ).
La conductividad de un semiconductor puede se grandemente incrementada cuando se introducen pequeas cantidades de impurezas en
los cristales. Este proceso es llamado dopado.

Semiconductores dopados tipo N

Cuando el dopaje tiene electrones libres en exceso (mas electrones que huecos). El dopaje se conoce como donador.

Semiconductores dopados tipo P

Cuando las sustancias de dopaje tiene mas huecos que electrones, se conoce como (aceptor).

Los materiales dopados son conocidos como semiconductores extrnsecos, mientras que las sustancias puras como semiconductores
intrnsecos.
10
9
Amp
Semiconductores tipo N
El silicio es contaminado con fosforo, arsnico, y antimonio, estos elementos poseen 5 electrones de valencia, sus tomos se fijan a la
estructura cristalina del silicio sin perturbarla creando un electrn libre.













Semiconductores tipo P
Las impurezas tienen 3 electrones de valencia. Se usa comnmente el boro. Debido a que su estructura atmica carece de un electrn de
valencia, esto provoca la aparicin de un hueco en la estructura de silicio.

Concentracion de cargas
4 clases de partculas cargadas existen en un semiconductor

Partculas con cargas positivas :



Partculas con cargas negativas:


Cada una de estas partculas tiene una carga de magnitud q (la carga del electrn). La densidad de carga, es dada por:



Condicin de equilibrio


Si no existiera dopaje =>
Adems, la concentracin intrnseca de cargas es dada por: donde y son concentraciones de carga de equilibrio.


huecos_mobiles _( )
y_donadores_inmobiles _(
D
).
electrones _mobiles _( )
y_aceptores _inmobiles _(
A
).
q( +
D

A
)
0

D

A

i
( )
2

0

0

0

0
Para materiales tipo n, Para materiales tipo p,
D
>>
A

D

A

D
+

D
Ahora

i
( )
2

0

0


i
( )
2

0


i
( )
2

A
>>
D

D

A

A
+
A

A
_ dado_que_
A
>>
Ahora

i
( )
2


i
( )
2

i
( )
2

La concentracin intrnseca a temperatura ambiente es:

i
1.56x10
16
/ m
3
Cargas en exceso
Debido ala complementariedad de las cargas de los electrones y huecos, cambios iguales en y no producirn una densidad de carga
local.



son concentraciones en exceso. La densidad de carga es dada por:
Si , se tiene la condicin de quasi-neutral.



Recombinacin y generacin de cargas en exceso
Si y son positivos, significa concentracin de cargas minas grandes que el punto de equilibrio, por lo tanto habr una recombinacin.
Si y son negativos, significa que ah una concentracin de cargas inferior al punto de equilibrio, por lo tanto habr una generacin de
cargas.
La razn de recombinacin puede ser escrita como:


Donde a y b son constantes de proporcionalidad (ojo condiciones quasi-neutrales ) se tiene:



La razn del proceso de recombinacin es proporcional a la concentracin en exceso:



,tiene las dimensiones de tiempo, se llama tiempo de vida de la carga de exceso. Varia entre nanosegundos y milisegundos. El tiempo de
vida, depende de la preparacin del semiconductor, de la historia de procesamiento del material y de los niveles de dopaje del mismo.

0
+ '

0
+ '
' y '
q(
0
+ N
D

0
N
A
)+( ' ')
' '
R a '+b '
' '
R(a+b) ' (a+b) '
R
'

'
Transporte de la corriente elctrica
A temperaturas diferentes de cero grados kelvin, los tomos de el cristal poseen energa cintica en forma de vibraciones cerca de la
posicin neutral del cristal.
Estas vibraciones no contribuyen a un flujo de corriente en el material.

La velocidad de las cargas es dada por:

m/seg
Donde
m= masa efectiva de la carga
K= es la constante de boltzmann
T= es la temperatura absoluta en grados kelvin

Corriente de arrastre en un campo elctrico
Un campo elctrico aplicado en el semiconductor puede romper el equilibrio, ocasionando un movimiento de cargas.
La velocidad de arrastre es definida como:


Donde:
y es la movilidad de los huecos y electrones en
es la intensidad del campo elctrico.

Para el silicio




Dicha movilidad no es constante, depende de la temperatura y la densidad del dopaje.


3KT
m

h

h

e

e

h
e
m
2
V s

e
0.135
m
2
V s

h
0.045
m
2
V s
La corriente electrica asociada con el arrastre de cargas se calcula de la siguiente manera:
suponga que existen N electrones en una longitud L de un conductor.










Suponer que le toma aun electrn un tiempo de seg. Para viajar la distancia L .
Por lo tanto la cantidad de electrones que atraviesan cualquier seccin de un conductor en una unidad de tiempo es:





la corriente en amperes, es dada por:


donde q = carga del electron
= T



por definicin, la densidad de corriente , esta dada por : donde: es la concentracin de electrones por




unidad de rea. Por lo que donde es la conductividad en combinndolas se obtiene



t
0
N
t
0
I
N
t
0
q
Nq
t
0
Nq
L
T

1
L

Nq
L
I
Nq
L

t
0
J
A
m
2

J
I
A

Nq
LA

N
LA
J q
J q nqN
recordar _que_ N
qN
W m
( )
- 1
I JA
I A
L
L

AV
L

V
R
V L
1
R

A
L
I
V
R
Llegamos a la ley de ohm.

Para los huecos y electrones es el silicio, se tiene:




La corriente total de arrastre esta dada por:











J
h
q N
h

J
e
q N
e

J
t
J
h
+ J
e
J
t
q N
h
+q N
e

J
t
q N
h
+ N
e
( )