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Tema 1. Componentes electrónicos

  • 1.1. El transistor Bipolar de unión (BJT)

El BJT en continua

Efectos de segundo orden

El BJT en pequeña señal

  • 1.2. El transistor MOSFET

Introducción

Ecuaciones de funcionamiento

El MOSFET en pequeña señal

El Transistor Bipolar de Unión (BJT): Esquemas y tipos

Transistor npn Transistor pnp C C C v C v CB n BC p i i
Transistor
npn
Transistor
pnp
C
C
C
v
C
v
CB
n
BC
p
i
i
C
C
B
B
p
i
B
B
n
v
v
CE
EC
B
n
i
p
B
v
i
BE
i
v
E
E
E
E
EB
E
E
i
i
i
E
B
C
v
v
v
Ecuaciones impuestas por las leyes de Kirchoff.
Válidas para continua y alterna
CE
BE
BC

Observar la notación para los signos de las tensiones:

la flecha indica dirección creciente de potencial (+)

V CC

+ -
+
-

No confundir con la dirección de la corriente

Nomenclatura

m M , valores totales (v BE , i C , etc)

M M , valores de continua (V BE , I C , etc). Se suele añadir Q a las expresiones (V BEQ , I CQ , etc)

m m , valores de alterna (v be , i c , etc).

M MM , fuentes de alimentación (V CC , I BB , etc)

M m , Valor de pico en régimen senoidal (V be , I c , etc)

El Transistor bipolar en continua: Ecuaciones en activa directa

Unión Base Emisor polarizada en directa, V BE >0 Unión Base Colector polarizada en inversa, V BC <0

C

B V CE I B V BE  0.7 V E
B
V
CE
I
B
V BE  0.7 V
E

I

c

I

E

V BE cte 0.7 V

V CE > V CESAT 0.2 V

I C = ·I B

I C = ·I E

y son constantes:

1

1

Puesto que >>1 (del orden de 100-200, hasta 1000 en algunos casos)

El Transistor bipolar en continua: Ecuaciones en activa directa Unión Base – Emisor polarizada en directa,

1

1

O también:

I

I  ·I  I  I c E E B I  I  I
I
 ·I
 I
 I
c
E
E
B
I
 I  I
C
 I  I
E
B
C
C
C

El Transistor bipolar en continua: ecuaciones en saturación y corte

Saturación:

Unión Base Emisor polarizada en directa Unión Base Colector polarizada en directa

C

B V BE  0.7 V E
B
V BE  0.7 V
E
  • v CE 0.2 V

  • v BE cte 0.7 V

  • v CE V CESAT 0.2 V

i C < ·i B

  • I c

I

E

Corte:

Las corrientes del BJT son cero

  • i =0

B

  • i =0

C

  • v BE < 0.7 V

  • v BC < 0.5 V

Curvas características de salida

Representación de i C =i C (v CE ) para I B constante

i C Activa I B1 I B2 Saturación Curvas de salida en EC (Activa, saturación y
i
C
Activa
I
B1
I
B2
Saturación
Curvas de salida en EC
(Activa, saturación y corte)
I
B3
i
I
B1 >i B2 >i B3 >i B4
B4
v
CE
Corte

La corriente de colector es prácticamente independiente de la tensión v CE en activa En saturación v CE =cte=0.2V-0.3 V

Efectos de segundo orden

Efecto Early

Variación de la anchura efectiva de la base por efecto de la tensión V BC

i B1 i i C i B1 >i B2 >i B3 >i B4 B2 i B3
i
B1
i
i
C
i
B1 >i B2 >i B3 >i B4
B2
i
B3
i
B4
-V A (Tensión de Early)
v
CE

La corriente de colector ya no es constante en activa. Aumenta ligeramente con v CE

Efectos de segundo orden

-. Dependencia de con la corriente de colector I C .

Efectos de segundo orden -. Dependencia de  con la corriente de colector I . 

Aumenta ligeramente a bajas corrientes y decrece a corrientes más altas

Efectos de segundo orden

Efectos Térmicos -. Dependencia de V BE y con la temperatura.

V BE disminuye entre -1 y -3 mV / ºC aumenta 0.5 % / ºC

La temperatura muy elevada puede degradar el dispositivo Existe un valor máximo de potencia que puede disipar un transistor

V CE ·I C < Pmax

De lo contrario, se puede dañar el BJT

Tensión de ruptura: tensión máxima entre dos terminales sin que se rompa el BJT

El Transistor bipolar en pequeña señal

Condiciones de pequeña señal:

Transistor en activa v BE (t)=V BE +v be (t), donde |v be (t)|<V T =26 mV y V BE =cte

(t)=I +i (t), C C c (t)=I +i b (t), i E (t)=I E +i e
(t)=I
+i
(t),
C
C
c
(t)=I
+i
b (t),
i E (t)=I E +i e (t)
v CE (t)=V CE +v ce (t)
B
B
i i
i
i

Las corrientes y tensiones del BJT se pueden obtener aplicando el principio de superposición Se pueden analizar de forma "independiente" la parte DC y la alterna La solución total para cada tensión o corriente es la suma de las soluciones calculadas por separado

Circuito equivalente en pequeña señal

Las variables v be (t), v ce (t), i c (t), i e (t) e i b (t) se obtienen analizando el circuito equivalente en pequeña señal:

B

  • v be

i C b bc i c C  v r  ·i r 0 ce b
i
C
b
bc
i
c
C
v
r 
·i
r 0
ce
b =
g m
·v be
E
i
e

r =V T /I B =/g m

r o = V A /I C

g m = I C /V T

  • C Transistor npn

Transistor pnp r =V T /I B

r 0 = V A /I C g m = I C /V T

Tema 1: Componentes Electrónicos

C i bc i b c B C C  v r  v eb r
C
i
bc
i
b
c
B
C
C
v
r 
v
eb
r 0
ec
·i
b =
g m
·v be
E
i
e

11

El Transistor MOSFET: Introducción

Dispositivo formado por 5 regiones

Difusiones de D y S tipo n + (p + en MOSFET de canal p) Óxido de puerta Región entre D y S: Canal Substrato

Óxido de puerta

G S D Canal n + n + L Substrato tipo p
G
S
D
Canal
n +
n +
L
Substrato tipo p
El Transistor MOSFET: Introducción Dispositivo formado por 5 regiones • Difusiones de D y S tipo

W

L ~ 0.2-10 mm W ~ 2-500 mm

t ox ~

0.02 0.1 mm

El Transistor MOSFET: Introducción

Tres terminales:

Tres terminales: • Drenador (D) • Puerta (G) • Fuente (S) Substrato tipo p v DS

Drenador (D) Puerta (G) Fuente (S)

Substrato tipo p v DS v GS n + n + G D L S
Substrato tipo p
v DS
v GS
n +
n +
G
D
L
S

Controlado por dos tensiones:

v GS entre puerta y fuente v DS entre drenador y fuente

D i D G i S S
D
i
D
G
i
S
S

El Transistor MOSFET: Introducción

La estructura Metal-Óxido-Substrato es similar a un condensador

El Transistor MOSFET: Introducción La estructura Metal-Óxido-Substrato es similar a un condensador I G =0 +
I G =0 + + + + + + + + + + + + +
I
G =0
+ + + + + +
+ + + + + + + + +
v
-
- -
- - -
- - -
- - -
-
GS
Substrato p

Para v GS >0 es posible acumular cargas

negativas en el canal

En continua, no circula corriente a través de la puerta debido al óxido

Aplicaciones:

Enorme desarrollo de tecnología integrada Tecnología CMOS es la base de la industria microelectrónica

El Transistor MOSFET: Tensión umbral

Para una v GS mayor que un cierto valor umbral, V T , electrones libres son atraidos al canal Se forma una zona de inversión, canal n Si se aplica una tensión entre drenador y fuente, circula corriente: i D =i S >0

S
S

G

  • v GS

  • v DS

D
D
n + n + Canal n Substrato tipo p
n +
n +
Canal n
Substrato tipo p

Si v DS > 0, i D > 0, hay conducción

El MOSFET en DC: Ecuaciones de funcionamiento V GS < V T V T ~ 1
El MOSFET en DC: Ecuaciones de funcionamiento
V GS < V T
V T ~ 1 – 3 V
Corte
i
0,
i
0,
i
0
G
D
S
Gradual
y
V GS > V T
V DS < V GS -V T =V DSAT
W 
1
2
i
0 ,
i
i
,
i
k
'
v
V v
v
G
D
S
D
n
G S
T
D S
D S
L  
2
 

K’ n = “Parámetro de transconductancia” W = anchura del FET L= longitud del canal

Saturación o activa

V GS > V T

y

V DS > V DSAT =V GS -V T

i

G

0,

i

D

i

S

,

i

D

1

2

k '

n

W

L

v

GS

V

T

 

2

1

v

DS

Tema 1: Componentes Electrónicos

= 1/V A , V A es la tensión Early

16

El Transistor MOSFET: Curvas de Salida

Canal n

D DS GS V V I
D
DS
GS
V
V
I

Canal p

-I D V GS V DS
-I D
V GS
V
DS

Todo para MOSFET de acumulación

El Transistor MOSFET en Pequeña Señal

Para funcionamiento en saturación (activa)

Si se cumple

Entonces se cumple:

v GS (t)=V GS +v gs (t) donde:

|v gs (t)| <<2 |V GS -V T | para todo t

  • i D (t)=I D +i d (t)

  • v DS (t)=V DS +v ds (t)

Las corrientes y tensiones del BJT se pueden obtener aplicando el principio de superposición

Se pueden analizar de forma "independiente" la parte DC y la alterna La solución total para cada tensión o corriente es la suma de las soluciones calculadas por separado

El Transistor MOSFET: Circuito Equivalente en Pequeña Señal

Los valores de alterna i g , i s , i d , v ds y v gs , se obtienen analizando el circuito equivalente:

v

i g i d C gd C v gs g m v gs r ds ds
i g
i d
C
gd
C
v
gs
g m v gs
r ds
ds
gs
i
s
i
g

Canal n

g m =k´ n ·W/L·|(V GS -V T )|

r ds =|V A /I D |

i d

Canal p

g m =k´ n ·W/L·|(V GS -V T )|

r ds =|V A /I D |

v

C gd C v gs gs g m v gs r ds ds i s
C
gd
C
v
gs
gs
g m v gs
r ds
ds
i
s