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FISICA DE SEMICONDUCTORES
POPAYN - CAUCA
NOVIEMBRE DE 2011
Conduccin de corriente elctrica => existencia de partculas cargadas ( portadores ) capaces de moverse libremente a travs del medio => portadores libres Tres clases de materiales: Conductores (Ej. Aluminio, Cobre, Plata): Los electrones de la ltimas capas atmicas no estn ligadas a un tomo, son compartidos por todos => pueden moverse libremente a travs del cristal. Aislantes (Ej. Diamante (carbono)): electrones firmemente ligados a los tomos => no hay portadores libres.
Semiconductores (Silicio (Si), Germanio (Ge), Arseniuro de Galio (GaAs)): Aislantes a baja temperatura, malos conductores a temperatura ambiente
ESCTRUTURA DEL CRISTAL DE SI PURO (SI INTRINSECO) (1) El Si tiene 4 electrones de valencia. En el cristal cada tomo se engancha con otros 4 tomos por Medio de enlaces covalentes: Dos tomos comparten dos Electrones (uno de cada uno) de su ltima capa (capa de Valencia).
Enlace covalente
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
e-
+4
+4
h+
+4
+4
Carga Positiva
Se generan dos portadores libres: un electrn y un hueco (partcula ficticia con carga positiva +1). Muy pocos: a temperatura ambiente un par electrn hueco cada 10 12 tomos de Si
h+
En realidad movimiento de eentre enlaces covalentes, equivalente a movimiento de una partcula con carga positiva, el hueco, en sentido contrario
+4
e+4
+4
Se le asigna al hueco una cierta masa, que responde a cmo se mueve y otras caractersticas Concepto de hueco permite tratar el fenmeno con herramientas de la fsica clsica
Efecto fotoelctrico
Fotn que impacta sobre enlace covalente Principio usado para la traduccin de seales pticas a elctricas
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
Carga positiva
+4
Atomo neutro
Mecanismo opuesto a la generacin (libera energa) En algunos semiconductores se puede liberar como un fotn
Principio de los diodos emisores de luz (LEDs)
eBanda prohibida
Banda de valencia
Aislante
Semiconductor
Si intrnseco y extrnseco
n: concentracin de electrones libres (e -/unidad de volumen) p: concentracin de huecos libres (h +/unidad de volumen) Se generan siempre de a pares =>
n = p = ni(T)
ni: concentracin de electrones libres en Si intrnseco
Muy dependiente de la temperatura Muy bajo a temperatura ambiente: 0.0145m-315 e-/1000 3 (tomos de Si: 5.1010 tomos/ 3)
=> Semiconductores Dopados: semiconductor al que se agrega una pequea proporcin de otro elemento para aumentar nmero de e- o de h+
e libre
e- libre
+4
+4
+5
+1 tomo fijo
+4
e- libre
+1 tomo fijo
Semiconductor tipo n: e-: portadores mayoritarios h+ (generados trmicamente): portadores minoritarios Dopajes: 1/ 1012 a 1/108 tomos de Si => el material sigue siendo silicio
h libre
+4 +3
h+
+4
-1 tomo fijo
+4
h+ libre
-1
tomo fijo
nn0 ND
Concentracin de e-
En material tipo n
En equilibrio
En equilibrio se cumple que:
nn 0 . pn 0 =ni (T ) pn 0
Es decir: debido a recombinacin concentracin de huecos en material tipo n es mucho menor an que en Si intrnseco. De todos modos los portadores minoritarios van a importar.
ni2 ND
pp0 NA
Concentracin de impurezas aceptoras
Concentracin de h+
En material tipo p
En equilibrio En equilibrio se cumple que:
n p 0 . p p 0 =ni (T ) n p 0
ni ni =pi { N A N A >> ni
Es decir: debido a recombinacin concentracin de electrones en material tipo p es mucho menor an que en Si intrnseco.