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AMPLIFICADORES PTICOS

viernes, 12 de julio de 2013

AMPLIFICADORES PTICOS
Estos dispositivos generan una rplica de la seal de entrada pero con mayor nivel de potencia, operando completamente en el dominio ptico. Adems pueden emplearse en otros procesos como
La conmutacin La demultiplexacin La conversin de longitud de onda

Tiene comportamiento no lineal.

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Las ventajas de estos dispositivos frente a los regeneradores:
Funcionamiento independiente del tipo de modulacin de la seal. Tiene un amplio ancho de banda, por lo que amplifica varias longitudes de onda simultneamente. Mayor simplicidad y por tanto menor probabilidad de fallos y menor coste que los regeneradores. Permiten emplear reflectmetros pticos para el testeo y supervisin de las lneas de fibra ptica. Pueden ser sistemas integrados.

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Las limitaciones ms importantes que supone su empleo son:
Introducen un ruido adicional que es amplificado junto con la seal. Al no regenerar la seal se produce un efecto acumulativo de la dispersin. Su ancho de banda es finito por lo que limita el nmero de canales en los sistemas WDM. Su ganancia no es uniforme en todo el rango de amplificacin, por lo que debe ser ecualizada.

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Tipos de amplificadores
Semiconductor Optical Amplifiers
SOA

Doped-Fiber Amplifiers. DFAs

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El fundamento de un amplificador ptico es el proceso de emisin estimulada al igual que en un lser. Su estructura es similar a la de un lser salvo que no posee una retroalimentacin para evitar que el dispositivo oscile, de forma que puede elevar el nivel de potencia de la seal pero no generar una seal ptica coherente

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Una fuente de bombeo inyecta una energa en la zona activa del amplificador. Esta energa es absorbida por los electrones que incrementan sus niveles de energa producindose la inversin de poblacin. Al ser alcanzados estos electrones por los fotones de la seal ptica de entrada caen a unos niveles energticos ms bajos dando lugar a un nuevo fotn, esto es el proceso de emisin estimulada, producindose as la amplificacin de la seal.

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La amplificacin se produce dentro de un rango de frecuencias que dependen del material, as como su estructura. En los SOA la zona activa esta construida con aleaciones de elementos semiconductores como el fsforo, el indio, el galio y el arsnico. En los DFA es un ncleo de fibra ptica dopada con iones de tierras raras como el Erbio (Er), el Praseodimio (Pr), el Iterbio (Yb) o el Neodimio (Nd).

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Amplificadores pticos de Semiconductor
La estructura de un SOA Semiconductor Optical Amplifiers , es muy similar a la de un lser semiconductor pero sin la retroalimentacin que hace que ste oscile.

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Se clasifican en : Amplificadores de enganche por inyeccin Amplificador Fabry-Perot (FP) . Amplificador de onda viajera (TWSLA, Travelling Wave SLA )

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Amplificadores de enganche por inyeccin .
Son los menos empleados y consisten en lseres de semiconductor polarizados por encima del umbral que se emplea para amplificar una seal ptica de entrada.

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Amplificador Fabry-Perot (FP) .
Su estructura es bsicamente como la de un lser de Fabry-Perot pero polarizado por debajo del umbral impidiendo as su oscilacin. Su principal inconveniente es su respuesta en frecuencia, que al igual que un filtro de FabryPerot consiste en una serie de bandas de paso espaciadas peridicamente.

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Amplificador de onda viajera (TWSLA, Travelling Wave SLA ) .
En el se eliminan las reflectividades de los espejos de salida de la cavidad, evitando as la realimentacin de la seal, por lo que la amplificacin se produce por el paso de la seal un sola vez por el dispositivo. Este amplificador se suele alargar con respecto a los diodos lseres convencionales para aumentar la ganancia.

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El amplificador de onda viajera es el tipo de SOA ms empleado en la actualidad debido a sus prestaciones:
Saturacin Ancho de banda Ruido.

Su estructura consiste en una unin pn polarizada en directa con los extremos de la zona activa recubiertos con un material antirreflectante.

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Sus principales ventajas son:
La posibilidad de integracin por su reducido tamao. La facilidad de construccin a distintas longitudes de onda variando la composicin del material.

Sus principales desventajas son:


Su geometra rectangular produce prdidas al acoplarlo con la fibra, y no amplifica por igual las dos polarizaciones de las seal. Cuando las seales transmitidas poseen ciertos niveles de potencia aparecen fenmenos de naturaleza no lineal que producen distorsin y diafonias.

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Sus principales desventajas son:
Otro efecto produce en la fase es la modulacin de cruzada de fase (XPM, Cross-Phase Modulation ). Los efectos debido a los fenmenos no lineales son tiles para implementar, a partir de los amplificadores pticos, convertidores de longitud de onda.
Se aprovechan estos fenmenos para pasar la informacin de una seal en una longitud de onda a otra con distinta longitud de onda.

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Los EDFAs atraen especialmente la atencin pues operan cerca de los 1.55 m, donde la fibra presenta las mnimas prdidas. Es ocupado en enlaces transocenicos como amplificadores de lnea.

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DFA

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Erbium Doped Fiber Amplifier (EDFA ) El EDFA es el amplificador de fibra dopada ms empleado en la actualidad

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DFA

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Se puede ver en el diagrama de niveles de energa del erbio:
La transicin entre los niveles 4I13/2 y 4I15/2 corresponde a una longitud de onda comprendida entre 1530nm y 1560nm aprox.
Luego al provocar una inversin de poblacin entre dichos niveles se puede amplificar seales en la tercera ventana.

El primer nivel excitado, 4I13/2 , desde el que las frecuencias de transicin se corresponden con la tercera ventana, tiene un tiempo de vida medio de unos 10ms, mientras que en los dos superiores es de 0.001ms, por lo que el nivel 4I13/2 es un estado metaestable. Por lo tanto todo in que llegue a estos niveles por medio del bombeo acabara cayendo al nivel 4I13/2 por emisin espontnea, y a su vez cara al nivel fundamental por emisin estimulada, producindose as la amplificacin.

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Al dopar con iones de erbio el ncleo de una fibra ptica se provoca un ensanchamiento de las bandas de transicin.
Esto a su vez provoca un ensanchamiento considerable del rango de longitudes de onda que pueden ser amplificadas. Este efecto puede mejorarse aadiendo al ncleo, aluminio y xido de germanio.

Las dos longitudes de onda de bombeo ms adecuadas son 1480nm (mediante un diodo lser de InGaAsP) y 980nm (mediante un diodo lser de InGaAs).
El empleo de una u otra longitud de onda depende de ciertas caractersticas del proceso de absorcin en cada uno de estos niveles, derivadas de los diferentes tipos de ruido al que pueden originarse, de la disponibilidad de las fuentes de bombeo o de la saturacin de ganancia.

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El bombeo a 1480nm supone un amplificador ms ruidoso pero ms inmune a la saturacin de ganancia. Mientras que el bombeo a 980nm proporciona un amplificador con prestaciones de ruido excelentes pero es ms proclive a la saturacin de ganancia.
En ambos casos es posible obtener ganancias entre 30 y 50 dB.

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La seal que hay que amplificar y la seal de bombeo se inyectan al EDFA combinadas por medio de un acoplador. El primer aislador se emplea para impedir la propagacin hacia fuera del EDFA del emisin espontnea (ruido ASE) que se genera y se propaga en sentido contrario al de la transmisin. El bombeo y la amplificacin se realizan en el mismo sentido que la propagacin. A la salida se coloca otro aislador que evita la entrada al EDFA y por tanto su amplificacin de cualquier seal reflejada. Finalmente se emplea un filtro ptico para filtrar el ruido, generado en el amplificador, que se encuentre fuera de la banda de la seal til. La primera configuracin es la ms empleada hoy en da.

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La segunda configuracin se diferencia de la anterior en que la seal de bombeo se inyecta al EDFA en sentido contrario a la propagacin. El aislador de la entrada adems de cumplir las funciones anteriores, tiene la misin de evitar la propagacin de la seal de bombeo fuera del amplificador. La ventaja de esta configuracin es permite ganancias ms altas, pero sus caractersticas de ruido son peores.

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La tercera configuracin es una combinacin de las dos anteriores. Consiste en un doble bombeo, por lo que se denomina bombeo dual o bidireccional . La ganancia por tanto puede llegar a duplicarse. Este esquema es muy empleado en la implementacin de amplificadores repetidores.

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El perfil de ganancia efectivo para los EDFAs puede ser estimado promediando la ganancia sobre la distribucin de frecuencias de transiciones atmicas de los iones de Erbio

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N es la densidad del in a y e son la absorcin y las secciones transversales de emisin en la frecuencia

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Ganancia de un EDFA
La siguiente figura presenta la ganancia de un EDFA en funcin de la longitud de onda para diferentes valores de potencia de entrada, con una seal de bombeo a 1480nm.

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El EDFA no presenta una ganancia uniforme con la longitud de onda. Debido a la saturacin segn crece la potencia de entrada la ganancia disminuye hasta llegar a un punto en que se mantiene constante. El mximo de ganancia se alcanza alrededor de los 1530-1535nm.

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Las caractersticas tcnicas que hacen del EDFA el amplificador ms utilizado son:
Como consecuencia de su geometra cilndrica sus prdidas de insercin en las uniones con la fibra ptica son muy reducidas. Debido tambin a su geometra su ganancia es poco sensible a la polarizacin de la seal. El ruido que genera es bajo. La saturacin de la ganancia no ocasiona distorsin.

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Esparcimiento Raman Estimulado (SRS)
Es un proceso no-lineal dominante cuando son utilizados lasers multimodo de banda ancha en SCOs. Los SRS puede ser visto como un proceso de tres ondas acopladas:
Una onda ptica de bombeo genera una onda Stokes, tambin desfasada a una frecuencia menor, (esparcimiento inelstico), Una onda de excitacin del material, altamente atenuada.

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Desde el punto de vista de la mecnica cuntica:
Un fotn de bombeo pierde su energa para generar otro fotn de energa y frecuencia menor. La energa restante es absorbida por el medio en forma de vibraciones moleculares (fonones pticos); en el caso de la fibra de slica fundida, esta excitacin corresponde al modo vibracional del SiO2.

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Amplificadores de Raman
Este amplificador se basa en el efecto Raman, SRS Esta no linealidad de las fibras pticas tiene lugar cuando sta es atravesada por una radiacin monocromtica de alta intensidad. Bajo ciertas condiciones, la radiacin interacta con el material dando como resultado la aparicin de una nueva longitud de onda, de mayor intensidad que la inicial.

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El efecto Raman estimulado, en principio es similar a una emisin estimulada, fenmeno en el cual se basan los amplificadores de fibra dopada. En el caso del Raman estimulado, despus de la interaccin entre el fotn y el medio, se genera un nuevo fotn de menor energa (menor frecuencia) y la diferencia de energa se transfiere al material dando lugar a vibraciones moleculares, desapareciendo el fotn inicial.

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Las frecuencias que se pueden generar dependen las frecuencias caractersticas de las molculas que componen el material. Si al tiempo que pasa por la fibra ptica la seal de bombeo pasa otra seal con una frecuencia caracterstica del material, esta frecuencia ser estimulada. En el caso de un material amorfo, como es una fibra ptica, las frecuencias caractersticas del material son un todo casi continuo, es decir, no son un conjunto de frecuencias claramente diferenciadas como ocurre con los materiales monocristalinos.

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Los principales inconvenientes que presentan estos amplificadores es la necesidad de una alta potencia de bombeo, cercana al vatio. Por el contrario una de sus ventajas es que cubre un margen de longitudes de onda no cubierto por los EDFA, por lo que pueden emplearse de forma complementaria.

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Esparcimiento Brillouin Estimulado (SBS)
Puede ser descrito desde el punto de vista clsico, simplemente como la interaccin de tres ondas:
Onda de luz incidente (bombeo ptico) crea una onda de presin en el medio (fibra), debido a una Electroestriccin y a cambios en la susceptibilidad ptica. Una onda acstica generada (fonones acsticos), causa una modulacin peridica del ndice de refraccin que, a su vez, dispersa una onda incidente, dando origen a otra onda(onda Stokes).

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Ocurre una transferencia de potencia ptica desde una onda incidente a la onda Stokes, que viaja en direccin contraria, y que posee una frecuencia menor a la de la onda incidente (esparcimiento inelstico), debido al desplazamiento Doppler.

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El desplazamiento de frecuencia de la onda Stokes (s) est relacionado con la onda de bombeo (p) por la siguiente relacin:

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El lmite Brillouin es definido como la potencia de bombeo de entrada a la fibra ( PL), a la cual la potencia Stokes y la potencia de bombeo a la salida de la fibra son iguales, es decir:

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La amplificacin ocurre slo cuando la seal se propaga en forma opuesta a la seal de bombeo. El desplazamiento Stokes es tres rdenes de magnitud menor en relacin al que exhibe SRS. El espectro de ganancia FBA es bastante estrecho, con un ancho de banda menor a 100 MHz.

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