El transistor bipolar o BJT (Bipolar Junction transistor), es un dispositivo semiconductor formado por 3 regiones dopadas alternativamente: npn (o pnp),

con sus respectivos terminales que se denominan: colector (C), Base (B) y Emisor (E). La palabra bipolar deriva del hecho que internamente existe una doble circulacin de portadoras de corriente: Los electrones y lagunas o sea que son dispositivos controlados por corriente.

SIMBOLO

ESTRUCTURA FISICA

Los transistores bipolares se clasifican por: 1.-De acuerdo al material empleado en su construccin: a). Transistor de silicio ejemplo: BC549 b).Transistor de germanio ejemplo: AC180 2.-Por la disposicin de sus capas: a).Transistor PNP b).Transistor NPN

3.-De acuerdo a la disipacin de la corriente:

a). Transistor de baja potencia (0.5 a 5w) b). Transistor de media potencia (5 a 75w) d).Transistor de alta potencia (75 a ms watt) 4.-Por su frecuencia: a). Baja frecuencia BC549 b). Alta frecuencia 2NB22

Polarizar un transistor significa aplicarle a los terminales de este, una tensin con la polaridad adecuada para el buen funcionamiento.

a). En cuanto a corrientes:

a). Ganancia de corriente o factor de aplicacin: = IC/IB La finalidad de la corriente de base (IB) es controlar la corriente de colector (IC). La ganancia de corriente o factor de amplificacin o hfe varia no solamente entre diferentes transistores bipolares, sino tambin entre transistores del mismo tipo.

En los transistores de silicio, el voltaje de VBE = 0.6 a 0.7v

Cuando la unin base-emisor, se polariza en directo y la unin base-colector en inverso, los electrones que dejan el material N del emisor slo ven una barrera de potencial pequea en la unin NP. Como la barrera de potencial es pequea, muchos de los electrones tienen la suficiente energa para llegar al tope de ella. Una vez en el tope, los electrones se mueven fcilmente a travs del material P (base) a la unin PN (base colector). Cuando se acercan a esta unin, los electrones se encuentran bajo la influencia de la fuente de tensin positiva y se mueven con mucha rapidez conforme descienden en la barrera de potencial. El transistor de juntura bipolar presenta ganancia de corriente, la cual se puede utilizar para amplificar seales.

Los parmetros importantes para especificar a un transistor bipolar son: 1. Sus parmetros importantes: Tipo, Ic, Hfe, BVCEO. Ejemplo: n transistor tipo NPN, Ic=0.8 Amperios, hfe=150, BVCEO = 40V. Un transistor BJT se especifica indicando: El nmero o cdigo del transistor. Ejemplo: un transistor 2N2222, un transistor 2N3055 etc.

SATURACIN DIRECTA

ZAD

CORTE CORTE

ZAI

SATURACIN INVERSA

Las curvas caractersticas son curvas paramtricas de la corriente colector Ic contra la tensin de colector-emisor VCE, con la corriente de base IB como parmetro .

Los transistores se aplican en los siguientes Circuitos. a) Amplificadores de tensin. b) Amplificadores de audio, video. c) Fuentes de tensin reguladas. d) Filtros activos.