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Memristor
Memristor
Diego Rubi Grupo de Materia Condensada, Centro Atmico Constituyentes, Comisin Nacional de Energa Atmica
Conmutacin resistiva o resistive switching: cambio reversible y no voltil de la resistencia de una estructura Metal-Aislante-Metal ante la aplicacin de un campo elctrico Inters tecnolgico: desarrollo de memorias RRAM (Resistive Random Access Memories)
Velocidades de conmutacin del orden de los nanosegundos (>>velocidad que memorias flash) Alta constante dielctrica miniaturizacin y bajo consumo
El resistive switching aparece como un fenmeno ubicuo xidos binarios: TiO2, HfO2, SnO2, CuO, NiO, ZnO xidos ternarios: SrTiO3, SrZnO3 xidos complejos: YBCO, manganitas
Unipolar, Pt/NiO/Pt
Bipolar, Ti/La2CuO0/La1.65Sr0.35CuO4
Localizacin geomtrica de la zona activa clasificacin a primer orden del RS: Creacin/ruptura de filamentos conductores confinados localmente Efecto de interfase distribuido homogneamente sobre toda la superficie del electrodo metlico en la estructura metal/aislante/metal.
Material de inters: BiFeO3 Multiferroico (ferroelctrico y antiferromagntico) a temperatura ambiente multifuncionalidad Resultados preliminares en muestras cermicas de Bi0.9Ca0.1FeO3 y Bi0.9Ba0.1FeO3 indican la existencia de RS
9,00E+008 200
8,00E+008
Resistencia (Ohms)
7,00E+008 -200
Estmulo (V)
Tiempo (seg)
Substrate
AL2787B
10
6
10
Counts
10
10
10
10
10
20
40
60
80
()
(222)
(111)
FWHM 0.07
(b) (a)
39 42 80 85 90
41 42
()
43
44
2 ()
Intensity (arb. units)
(110)STO
(c)
0.48
(112)STO
Kperp/K0
0.46
(d) (a)
(400)SRO
0.44
(112)SRO
-0.17 -0.16 -0.15 -0.14
60
120
180
240
300
360
()
Kpar/K0
0,8
BBFO#1
0,6
0,4
M (emu/gr)
0,2
0,0
-0,2
-0,4
-0,6 -3 -2 -1 0 1 2 3
H (T)
Cermico de Bi0.9Ba0.1FeO3
200 2,00x10
8
200
2,00x10
0 0
Resistencia (Ohms)
1,80x10
Resistencia (Ohms)
1,80x10
Estmulo (V)
-200
Estmulo (V)
-200
1,60x10
-400
1,60x10
-400
-600 1,40x10
8
-600 1,40x10
8
Tren 25pulsos +/- 200V, bias 3V, cont. 1-4, lat. 0.1
100 200 300 -800 400
Tiempo (seg)
Tiempo (seg)
200 2,00x10
8
200 2,00x10
8
Resistencia (Ohms)
1,80x10
Resistencia (Ohms)
-200
1,80x10
Estmulo (V)
Estmulo (V)
-200
1,60x10
-400
1,60x10
-400
-600 1,40x10
8
-600 1,40x10
8
Tren 25pulsos +/- 200V, bias 3V, cont. 1-4, lat. 0.1
100 200 300 -800 400
-800 36000 39600 43200 46800 50400 54000 57600 61200 64800 68400 72000
Tiempo (seg)
Tiempo (horas)
Efectos de relajacin del RS Relacionado con el bajo campo elctrico alcanzable en cermicos En capas delgadas, se espera un RS mucho ms robusto
Resumen
Proyecto propuesto: Crecimiento de capas delgadas por PLD de BiFeO3 y xidos relacionados Caracterizacin morfolgica (AFM) y estructural (XRD) Medicin de propiedades magnticas Medicin de propiedades elctricas: efectos de conmutacin resistiva. Estudio del mecanismo de RS para distintos xidos,
electrodos y geometras. Determinacin del efecto de diferentes protocolos elctricos de medicin Otro proyecto en la temtica: RS en TiO2 y manganitas desde un approach ms tecnolgico (Pablo Stoliar)