SEMICONDUCTORES

INTRNSECOS DOPAJES

FSICA ELECTRNICA HILARIO GUZMAN P.

SEMICONDUCTORES
Los semiconductores son elementos que tienen una

conductividad elctrica inferior a la de un conductor metlico pero superior a la de un buen aislante. Los semiconductor es se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Un semiconductor es un material o compuesto que tiene propiedades aislantes o conductoras. Unos de los elementos ms usados como semiconductores son el silicio, el germanio y selenio, adems hay otros que no son elementos

SEMICONDUCTORES INTRNSECOS
En un cristal de Silicio o Germanio que forma una

estructura tetradrica similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos electrones pueden absorber la energa necesaria para saltar a la banda de conduccin dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energas requeridas, a temperatura ambiente, son de 1,12 eV y 0,67 eV para el silicio y el germanio respectivamente.

SEMICONDUC TORES INTRNSECOS

Se dice que un semiconductor es intrnseco cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni tomos de otro tipo dentro de su estructura.
Es un semiconductor puro. A temperatura ambiente se comporta como un aislante porque solo tiene unos pocos electrones libres y huecos debidos a la energa trmica.

SEMICONDUC TORES INTRNSECOS

Los elementos semiconductores por excelencia son el silicio y el germanio, aunque existen otros elementos como el estao, y compuestos como el arseniuro de galio que se comportan como tales.
Tomemos como ejemplo el silicio en su modelo bidimensional:

SEMICONDUC TORES INTRNSECOS

Como se puede observar en la figura, los electrones factibles son liberados de la fuerza de atraccin del ncleo y son cuatro. Se dice que un semiconductor es intrnseco cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni tomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida ser igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conduccin.

SEMICONDUC TORES INTRNSECOS

Tambin hay flujos de electrones y huecos, aunque la corriente total resultante sea cero. Esto se debe a que por accin de la energa trmica se producen los electrones libres y los huecos por pares, por lo tanto hay tantos electrones libres como huecos con lo que la corriente total es cero.

SEMICONDUCT ORES EXTRNSECOS

Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le introduce cierta alteracin, esos elementos semiconductores permiten el paso de la corriente elctrica por su cuerpo en una sola direccin. Para hacer posible, la estructura molecular del semiconductor se dopa mezclando los tomos de silicio o de germanio con pequeas cantidades de tomos de otros elementos o "impurezas".

A la izquierda se muestra la ilustracin de una oblea (wafer) o cristal semiconductor de. silicio pulida con brillo de espejo, destinada a la fabricacin de transistores y circuitos. integrados. A la derecha aparece la cuarta parte de la oblea conteniendo cientos de. minsculos dados o chips, que se pueden obtener de cada una. Esos chips son los. que despus de pasar por un proceso tecnolgico apropiado se convertirn en. transistores o circuitos integrados. Una vez que los chips se han convertido en. transistores o circuitos integrados sern desprendidos de la oblea y colocados dentro. de una cpsula protectora con sus correspondientes conectores externos.

SEMICONDUC TORES DOPADOS

Adicin de un elemento de impureza a un semiconductor puro donde los electrones libres y huecos se encuentran en igual nmero y son producidos nicamente por la agitacin trmica para as cambiar su conductividad. En la produccin de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro (tambin referido como intrnseco) con el fin de cambiar sus propiedades elctricas.

En la produccin de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro (tambin referido como intrnseco) con el fin de cambiar sus propiedades elctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrnsecos. Un semiconductor altamente dopado, que acta ms como un conductor que como un semiconductor, es llamado degenerado.

SEMICONDUC TORES DOPADOS

El dopaje consiste en sustituir algunos tomos de silicio por tomos de otros elementos.
Dependiendo del tipo de impureza con el que se dope al semiconductor puro o intrnseco aparecen dos clases de semiconductores.

Tipos de materiales dopantes

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TIPO N. Se llama material tipo N al que posee tomos de impurezas que permiten la aparicin de electrones sin huecos asociados a los mismos. Los tomos de este tipo se llaman donantes ya que "donan" o entregan electrones. Suelen ser de valencia cinco, como el Arsnico y el Fsforo. De esta forma, no se ha desbalanceado la neutralidad elctrica, ya que el tomo introducido al semiconductor es neutro, pero posee un electrn no ligado, a diferencia de los tomos que conforman la estructura original, por lo que la energa necesaria para separarlo del tomo ser menor que la necesitada para romper una ligadura en el cristal de silicio (o del semiconductor original). Finalmente, existirn ms electrones que huecos, por lo que los primeros sern los portadores mayoritarios y los ltimos los minoritarios. La cantidad de portadores mayoritarios ser funcin directa de la cantidad de tomos de impurezas introducidos.

Tipos de materiales dopantes

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Tipo P. Se llama as al material que tiene tomos de impurezas que permiten la formacin de huecos sin que aparezcan electrones asociados a los mismos, como ocurre al romperse una ligadura. Los tomos de este tipo se llaman aceptores, ya que "aceptan" o toman un electrn. Suelen ser de valencia tres, como el Aluminio, el Indio o el Galio. Nuevamente, el tomo introducido es neutro, por lo que no modificar la neutralidad elctrica del cristal, pero debido a que solo tiene tres electrones en su ltima capa de valencia, aparecer una ligadura rota, que tender a tomar electrones de los tomos prximos, generando finalmente ms huecos que electrones, por lo que los primeros sern los portadores mayoritarios y los segundos los minoritarios. Al igual que en el material tipo N, la cantidad de portadores mayoritarios ser funcin directa de la cantidad de tomos de impurezas introducidos.

Dopaje en conductores orgnicos

Los polmeros conductores pueden ser dopados al agregar reactivos qumicos que oxiden (o algunas veces reduzcan) el sistema, para ceder electrones a las rbitas conductoras dentro de un sistema potencialmente conductor.

Existen dos formas principales de dopar un

polmero conductor, ambas mediante un proceso de reduccin-oxidacin. En el primer mtodo, dopado qumico, se expone un polmero, como la melanina (tpicamente una pelcula delgada), a un oxidante (tpicamente yodo o bromo) o a un agente reductor (tpicamente se utilizan metales alcalinos, aunque esta exposicin es bastante menos comn). El segundo mtodo es el dopaje electroqumico, en la cual un electrodo de trabajo, revestido con un polmero, es suspendido en una solucin electroltica, en la cual el polmero es insoluble, junto al electrodo opuesto, separados ambos. Se crea una diferencia de potencial elctrico entre los electrodos, la cual hace que una carga (y su correspondiente ion del electrolito) entren en el polmero en la forma de electrones agregados (dopaje tipo N) o salgan del polmero (dopaje tipo P), segn la polarizacin utilizada.

SEMICONDUC TORES DOPADOS

Adicin de un elemento de impureza a un semiconductor puro donde los electrones libres y huecos se encuentran en igual nmero y son producidos nicamente por la agitacin trmica para as cambiar su conductividad.

 El dopaje fue desarrollado

Historia

originalmente por John Robert Woodyard mientras trabajaba para la Sperry Gyroscope Company durante la Segunda Guerra Mundial.1 La demanda de su trabajo sobre el radar durante la guerra no le permiti desarrollar ms profundamente la investigacin sobre el dopaje, pero durante la posguerra se gener una gran demanda iniciada por la compana Sperry Rand, al conocerse su importante aplicacin en la fabricacin de transistores

FUENTE DE INFORMACIN

http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores) http://www.uma.es/investigadores/grupos/electronica_pote ncia/index.php?option=com_content&view=article&id=90& Itemid=26 http://www.areaelectronica.com/semiconductores-comunes/ http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semic onductor/ke_semiconductor_5.htm http://www.uv.es/candid/docencia/ed_tema-02.pdf http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores) http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/dopado http://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2 /Paginas/Pagina4.htm http://fisicauva.galeon.com/aficiones1925812.html http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_s emiconductor_4.htm http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/dopado.asp