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ELECTRONICA INDUSTRIAL

O DE POTENCIA
PROFESOR:

Leopoldo Mishti Torres
ELECTRONICA INDUSTRIAL O
DE POTENCIA
Transformacin de la energa
elctrica
Dispositivos de potencia
Conversin CA/CC:
rectificadores
Conversin CC/CC
Conversin CC/CA: inversores
Convertidores CA/CA
Aplicaciones

ELECTRONICA INDUSTRIAL
O DE POTENCIA
Es la electrnica de
estado slido
aplicado en control y
conversin de la
energa elctrica.


Electrnica de potencia transformacin
de la energa elctrica
Fuente
Primaria
- Red
- Bateras
- Panelas solares
- Generadores Elicos
- Etc.
Circuito de
Potencia Carga
Circuito de
Control o mando
- Resistencia
- Bateras
- Lmparas
- Motores
- Etc.
g
o
b
i
e
r
n
o

i
n
f
o
r
m
a
c
i

n

LA ELECTRNICA DE POTENCIA COMBINA
LA ELECTRNICA Y EL CONTROL

El control se encarga del rgimen permanente y de
las caractersticas dinmicas de los sistemas de lazo
cerrado
La energa tiene que ver con el equipo de potencia
esttica, giratoria, para la generacin, transmisin y
distribucin de la energa elctrica.

La electrnica industrial se ocupa de los dispositivos
y circuitos de estado slido requeridos en el
procesamiento de seales para cumplir con los
objetivos de control deseados.


CLASIFICACION DE LA ELECTRONICA
Basado en la industria se
clasifica en:
I.-ELECTRONICA FINA O DE ALTA
FIDELIDAD:
Audio/video (electrodomsticos)
Elementos: Transistores, fets, ic
lineales ,ic digitales, etc.



II.-ELECTRONICA DE POTENCIA
(APLICADO A LA INDUSTRIA)

Rectificadores de potencia controlados:
Monofsicos/ trifsicos
Inversores
Choppers
Ciclo convertidores
Elementos: Familia de los Tiristores: SCR,
TRIAC, UJT, SUS, SBS, TRANSISTOR DE
POTENCIA Y OTROS
III.-ELECTRONICA DE CONTROL TENEMOS:
A.-Instrumentacin Industrial.

Sistema de lazo cerrado de control de
procesos.
Control de temperatura
Control de nivel de flujo
Control de presin, etc
B.-Instrumentacin analtica.
Analizador de sangre, orina, etc..
Espectrofotmetros: Absorcin/Emisin.
Cromatgrafos
Phmetro (poder de hidrogeno/poder de acides

DIAGRMA EN BLOQUES
Circuito de potencia

SCR,TRIAC,GTO,DIAC,PUT,UJT.SUS,SBS,etc.

Circuito de Mando:
R,L,C Transformadores, Transistores,
UJT,PUT, SBS, etc
A
L
I
M
E
N
T
A
C
I
O
N

S
E

A
L
E
S

D
E


E
X
C
I
T
A
C
I
O
N

CONVERSORES DE ELECTRNICA DE
POTENCIA
Son diversos circuitos que muestran las
modificaciones de la presentacin de la
energa elctrica.
ca
cc
CC FIJA
CHOPPER O
TROCEADOR
REGULADOR
CICLO
CONVERTIDOR
CA FRECUENCIA
FIJA
FRECUENCIA
VARIBLE
Tipos de conversin de la energa
CA / CC
CC / CC
CA / CA
CC / CA
Rectificador
Regulador
de continua
Cicloconvertidor
Reg. alterna
Inversor
LOS SEMICONDUCTORES DE
POTENCIA
Los semiconductores empleados
para la conmutacin en la etapa
de potencia de un equipo
electrnico industrial presentan
dos estados de funcionamiento:
Conduccin: dejan pasar
la corriente a travs de ellos.
Bloqueo: no dejan pasar la
corriente.
CLASIFICACIN DE LOS
SEMICONDUCTORES
General :
Semiconductores sin mando
Con mando simple
Con mando doble y
Con accin progresiva.

DIODOS DE POTENCIA

Es uno de los dispositivos ms
importantes de los circuitos de
potencia
limitaciones: son dispositivos
unidireccionales, circula corriente
en un solo sentido.
El nico procedimiento de control es
invertir el voltaje entre nodo y
ctodo.
Caractersticas: Tipos
1.-SILISIO VF =1V
2.-GERMANIO.-En diodo de potencia no
existe
3.-DIODOS DE ARSEANURO DE GALIO
Cuando conduce en (PD) debe ser
capaz de soportar gran intensidad
pero con pequea cada de tensin
Cuando esta bloqueado (PI) debe
soportar elevada tensin inversa pero
con pequea intensidad de fuga

curva caracterstica del diodo
La ecuacin es la siguiente
VRRM: tensin inversa mxima
VD: tensin de codo.
Donde:
I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo
VD es la diferencia de tensin entre sus extremos.
IS es la corriente de saturacin (aproximadamente 10
12A)
q es la carga del electrn cuyo valor es 1.6 * 10 19
T es la temperatura absoluta de la unin
k es la constante de Boltzmann
n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso
de fabricacin del diodo y que suele adoptar valores
entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el
silicio).
El trmino VT = kT/q = T/11600 es la tensin debida a
la temperatura, del orden de 26 mV a temperatura
ambiente (300 K 27 C).

CARACTERISTICAS DESEABLES
1.-EN CONDUCCION
Soporta alta corriente IF en pequea
cada de tensin Vd o Vf
2.-EN CORTE
Soporta elevada tensin inversa, pero
con poca corriente de fuga Io.
CUADRO DE CARACTERISTICAS EN LOS DIODOS DE POTENCIA

TIPO DE DIODO
DE POTENCIA
VD =VF
CAIDA DE
TENSION
Imax en
conduccin IF
VRM
PIV
Io
I de fuga
T
MAXIMA
Oxido de cu 0.6 10A 30V ALTA 70
Seleneo 1V 50A 50V ALTA 150
Germanio 0.5V 200A 800V BAJA 120
Silicio 1V 1,000A 3,500V MUY ALTA 200
Gas de mercurio 15 A 19V 5,000A 20,000V BAJA 400
Galio
Arsenuro de
galio
Potencia del diodo (potencia disipada )
PD= VF * IF
EJ.
PIV = 800V . Cuanto soporta en polarizacin?
Emax =VRMS 2 entonces PIV = Emax

VRMS = 800/ 2 = 560V
Caractersticas Dinmicas
Paso de conduccin a bloqueo (no se efectua instantaneamente
Tiempo de recuperacin inverso
tb (tiempo de cada): es el tiempo transcurrido
desde el pico negativo de intensidad hasta que sta
se anula, y es debido a la descarga de la capacidad
de la unin polarizada en inverso. En la prctica se
suele medir desde el valor de pico negativo de la
intensidad hasta el 10 % de ste.
trr (tiempo de recuperacin inversa): es la suma
de ta y tb.
ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que
transcurre desde el paso por cero de la intensidad
hasta llegar al pico negativo.
Qrr: se define como la carga elctrica desplazada, y
representa el rea negativa de la caracterstica de
recuperacin inversa del diodo.
di/dt: es el pico negativo de la intensidad.
Irr: es el pico negativo de la intensidad.
Tipos de Diodos
de Potencia
Diodos rectificadores para baja
frecuencia
Un rectificador es el elemento que
permite convertir la corriente alterna en
corriente continua.

Los diodos rectificadores para baja
frecuencia son rectificadores, especiales
para aplicaciones que requieren una
frecuencia baja.

Diodos rectificadores para baja
frecuencia
Caractersticas:

- IFAV: 1A 6KA
- VRRM: 400 3600 V
- VFmax: 1,2V (a IFAVmax)
- trr: 10 s
Aplicaciones:

- Rectificadores de Red.
- Baja frecuencia (50/60Hz).
Diodos rpidos (fast) y ultrarrpidos
(ultrafast)
Los Diodos Rpidos, son dispositivos
auxiliares a los transistores en el
proceso de conversin de corriente
continua a corriente alterna.
Estos diodos se utilizan para altas
frecuencias y los ultrarpidos son
para mayores frecuencias.
Diodos rpidos (fast) y ultrarrpidos
(ultrafast)

Caractersticas:
- IFAV: 30A 200 A
- VRRM: 400 1500 V
- VFmax: 1,2V (a IFAVmax)
- trr: 0,1 - 10 s

Aplicaciones:

- Conmutacin a alta frecuencia (>20kHz).
- Inversores.
- UPS (sistema de alimentacin
ininterrumpida)
- Accionamiento de motores CA.
Diodos Schottky
Llamado as en honor del fsico
alemn Walter H. Schottk, es un
semiconductor de conmutacin muy
rpida entre los estados de
conduccin directa e inversa (menos
de 1ns son dispositivos pequeos de
5 mm de dimetro) y muy bajo
voltaje de umbral.
El diodo Schottky est constituido
por una unin metal-semiconductor.

Diodos Schottky
Caractersticas:

- IFAV: 1A 120 A
- VRRM: 15 150 V
- VFmax: 0,7V (a
IFAVmax)
- trr: 5 ns
Aplicaciones:

- Fuentes conmutadas.
- Convertidores.
- Diodos de libre
circulacin.
- Cargadores de bateras.
Diodos para aplicaciones
especiales
Son diodos que se utilizan en
casos especiales,tales como
por ejemplo:
- Alta tensin (alto voltaje)

- Alta corriente
Alta Tension
Es aquella que genere, transporte,
transforme, distribuya o utilice energa
elctrica con tensiones superiores a los
siguientes lmites:
- Corriente Alterna: Superior a 1000 V.
- Corriente Continua Superior a 1500 V.

Caractersticas

Alta Tensin

- IFAV: 0,45A 2 A
- VR: 7,5kV 18kV
- VRRM: 20V 100V
- trr: 150 ns
Aplicaciones:

- En alta tensin.
Alta Corriente
Se le conoce como alta
corriente a la corriente
elctrica que se aplica con alto
amperaje.
Por ejemplo: monofsica
4000A trifsica 3000A
Caractersticas
Alta Corriente

- IFAV: 50A 7000 A
- VRRM: 400V 2500V
- VF: 2V
- trr:10 s
Aplicaciones:

- En alta corriente.
EL DIAC

Es un componente electrnico
que conduce en los dos
sentidos de sus terminales,
bidireccional, mas importante
es la tensin de cebado o de
disparo(30v aproximadamente,
dependiendo del modelo).
Smbolo del diac Estructura interna de un diac
Dispositivo auxiliar (p.e. disparo
de tiristores)
Soporta picos de corrientes
elevados
Se debe conocer la Tensin de
cebado (p.e. 33V en el DB3)
DB3: Diac comercial muy popular
DIAC: Diodo AC
Caracterstica
I
T

V
T

+V
B

-V
B

A1
A2
R1 = 0 , mxima
potencia
R1 = Elevada, mnima
potencia
Ejemplo: Control de TRIAC con DIAC (Tpico regulador de luz de saln)
Ejemplo de uso
Carga
R1
R2
R3
C
TRIAC controlado por DIAC
A2
A1
G
I
G
TIRISTORES
(Thyristor)
Son semiconductores con dos estados estables cuyo
funcionamiento se basa en la realimentacin regenerativa de
una estructura PNPN
Existen varios tipos pero la mas empleada es el SCR
-Conduce con tensin positiva entre AY C y con pulsos
adecuados en G.
-En bloqueo IAK < IH
-No conduce en sentido K A
-Es un SCR que funciona a alta temperatura, fiabilidad,
robustez, etc

p2
n2
n1
p1 G
K
A
J3
J2
J1
I
A
p2
n2
p1
n1
C
A
A
Estructura Interna
y circuito equivalente
Caracterstica
Smbolo
SCR: Silicon Controlled Rectifier
Siempre es de Silicio.
El SCR es el tiristor por excelencia
(Ctodo)
(Puerta)
C
G
A
(nodo)
E
B
C
C
B
E
I
A

V
AC

V
B

I
G

P
P
N
N
A
C
G
A
C
G
SCR: Silicon Controlled Rectifier
o
U
S
(t)
U
max
U
max
i
g
t
t
t
U
AK
U
E
(t)
A
K
G
U
AK
I
G
I
A
Carga
U
E
(t)
U
S
(t)
R
g
SCR: Ejemplo de control de fase
500 V
24A
1300 V
1800A
500 V
100A
TO 200 AF
B 20
TO 209 AD
B 7
TO 208 Ac
B 2
SCR: Algunos ejemplos
Unos de los 12 SCR para un pequeo
rectificador trifsico de 500 MW y 500 KV
(Inga-Shaba, ZAIRE)
EL SCR es el dispositivo electrnico
mas robusto que existe.

Puede manejar tensiones y
corrientes realmente
impresionantes.

Algunos ejemplos son realmente
espectaculares.
P1
P2
n1
n2 n3
n4
n4
T2
T1
G
T2
T1
G
Estructura Interna
Caracterstica
Smbolo
TRIAC: Triodo AC
A2
A1
G
I
T

V
T

+V
B

I
G

-V
B

I
G

NOTA:
Se puede disparar con pulsos
positivos o negativos de corriente en
puerta
Ventaja:
-Conduce en ambos sentido y ello le permite controlar una tension
alterna.
Sin embargo no puede soportar sobreintensidades di/dt o, soporta
menos que un SCR del mismo tipo
Su corriente de nodo es < que la corriente de nodo que soporta
un SCR.
G
A2
A1
MODELO IDEAL DE UN TRIAC
A2
A1
G
U
MAX
U
Carga
o
t
I
G
T
2
T
1
G
I
G
U
e
R
L
U
carga
U
T2T1
I
G
TRIAC: Ejemplo de control de fase
I
T
(RMS) = 12A
V
DRM
=

V
RRM
= 700 V
Disparo
Apagado
EL TRANSISTOR
Dispositivo semiconductor que permite el control
y regulacin de una corriente mediante una
seal pequea.
Transistor
NPN
Estructura
de un
transistor NPN
Transist
or PNP
Estructura de un
transistor PNP
FUNCIONAMIENTO BASICO
Cuando se cierra el SW1, circular una intensidad
muy pequea por la Base. disminuir su resistencia
entre Colector y Emisor por lo que pasar una
intensidad muy grande, encendiendo la lmpara.
En general: IE < IC < IB ; IE = IB + IC ; VCE =
VCB + VBE
POLARIZACIN DE UN TRANSISTOR
Polarizacin de un
transistor NPN
Polarizacin
de un
transistor PNP
Una polarizacin correcta permite el funcionamiento
del transistor. No es lo mismo polarizar un transistor
NPN que PNP.
ZONAS DE TRABAJO

CORTE.- No circula intensidad por la
Base, entonces, la intensidad de
Colector y Emisor es nula. La
tensin entre Colector y Emisor es la
Vcc. El transistor, entre Colector y
Emisor se comporta como un
interruptor abierto.
IB = IC = IE = 0; VCE = Vcc
SATURACION
circula intensidad por la Base se
incrementa la corriente de colector
considerable. En este caso el
transistor entre Colector y Emisor se
comporta como un interruptor
cerrado. Entonces la tensin Vcc se
encuentra en la carga conectada en el
Colector.
ACTIVA
Acta como amplificador. Cuando trabaja en
la zona de corte y saturacin trabaja en
conmutacin, como un interruptor.
La ganancia de corriente es un parmetro
importante de los transistores ya que
relaciona la variacin que sufre la corriente
de colector con respecto a la base. Los
fabricantes especifican en manual de
reemplazo el hFE. Se expresa de la siguiente
manera:
= IC / IB
GTO: (Gate Turn-off)
A
C
G
La especial estructura del dispositivo
permite el apagado por puerta (con
un pulso negativo).

Por lo dems es similar al SCR.
Estructura de un GTO simtrico
A
C
G
C
G
Vista desde abajo
MCT, tiristor controlado por MOS:

Puesta en conduccin por tensin negativo en puerta
Apagado por tensin positiva en puerta.
Ganancia elevada de tensin de control
Disponibles hasta 1000V y 100A.
Potencias medias bajas
K
G
A
Smbolo
NOTA:
Tiene una funcionalidad
similar a la del GTO, pero
gobernado con tensin
LASCR, Tiristor controlado por luz.

Son Tiristores activados por luz
Utilizados en Alta tensin
Frecuencias de conmutacin de hasta
2KHz
Tensiones elevadas 6000V y 1500A

A K
G
NOTA:
Normalmente disponen de conexiones especiales
para ser disparados con fibra ptica. Son
interesantes en entornos de corrientes y tensiones
elevadas, permitiendo un elevado aislamiento
entre el circuito de potencia y el de gobierno.
Transistor Unijuntura
Sobre una determinada tensin Vp
exhibe una zona de resistencia
negativa
Factores: Ip corriente pico de
emisor; Vmax; Rbb resistencia de
base; Vp
Transitor Unijuntura (2)
Aplicacin tpica: Oscilador de
relajacin
PUT.


El Transistor Uniunin Programable es un
dispositivo de disparo muy usado en ctos de
disparo por puerta para los tiristores. Tiene
tres terminales que se identifican como: ctodo
(K), nodo (A) y puerta (G).
Es un pequeo tiristor con puerta de nodo
Presenta caractersticas de disparo
parecidas a las del UJT, cuando es utilizado
en los osciladores de relajacin, pero
presenta la ventaja de poder ser programado
para determinar el valor de , V
P
e I
V
.

PUT.
VBB VG
B A
B
R R
R
+
=
La operacin del PUT, depende de la tensin
que tengamos aplicada entre el nodo y la
puerta del dispositivo

La tensin que hace que el dispositivo se
dispare, VP, es ajustada alterando la relacin:

PUT como oscilador de relajacin.
R
A
, R
B
y el condensador C, ajustan el
retraso de V
P
.
P
P BB
Amx
I
V V
R

=
V
V BB
Amn
I
V V
R

=
( )
2
2 1
A A off
R
R R
ln R C
1
1
ln R C t
+
~