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Tcnicas de Depsito Qumico

El depsito qumico (CVD) se realiza: 1.- a partir de una especie gaseosa que libera el material integrante de la capa, 2.- mediante una reaccin qumica que tiene lugar sobre prxima a la superficie del sustrato, 3.- en condiciones de temperatura y presin variables, 4.-obtenindose un depsito adherente y donde todas las especies, excepto el producto deseado, son voltiles a la temperatura del proceso para asegurar la pureza del mismo.
Los estudios sobre los procesos CVD han demostrado la existencia de una capa gaseosa estanca sobre la superficie en crecimiento. Dicha capa, denominada capa lmite, no se renueva por la circulacin general de los gases y presenta diferentes espesores segn las condiciones del proceso. La transferencia de masas entre la fase gaseosa y la capa en crecimiento se realiza por difusin a travs de la capa lmite.

Nucleacin y primeros estadios del crecimiento de la pelcula delgada:


Los ncleos de crecimiento pueden estar constituidos bien sea por tomos individuales o bien por pequeas agrupaciones de tomos. Para unas condiciones dadas de deposicin (temperatura, ritmo de deposicin, presin de los gases en la cmara de vaco, etc.) los factores mas importantes que controlan la cintica de formacin de los ncleos son la naturaleza y el estado de la superficie y las energas de adsorcin a la superficie y de cohesin o enlace entre ellos. De ah que el clculo terico del tamao y de la densidad de ncleos que se

forman en la superficie del sustrato sea extremadamente complejo.

Dependiendo del flujo de llegada de los tomos a la superficie (Vinc) la relacin de supersaturacin (definida por Vinc/Vdes siendo Vdes los que se desorben) juega un papel fundamental en el proceso de nucleacin.

En condiciones normales de supersaturacin, los tomos tienen tiempo de difundirse sobre la superficie y alcanzar posiciones de mnima energa potencial que permiten la formacin de ncleos estables. Existen tres modelos bsicos de nucleacin segn sean los valores relativos de las energas de adsorcin (Eads) y de enlace (Eenl) entre los tomos que forman la capa:
Modelo de Volmer-Weber
(Eads< Eenl) (Eads> Eenl)

Modelo de Frank- van der Merwe Modelo de Stranski-Krastanov

Tcnicas CVD:
1.- Clasificacin atendiendo a la temperatura del proceso 1.1.- CVD a baja temperatura LT-CVD 1.2.- CVD a alta temperatura HT-CVD
2.- Clasificacin atendiendo a la presin del proceso 2.1.- CVD a alta presin HP-CVD 2.2.- CVD a baja presin LP-CVD 2.3.- CVD a presin atmosfrica AP-CVD 3.- Clasificacin atendiendo al mtodo de comunicar la energa necesaria para el cambio de fase 3.1.- Activacin trmica (calentamiento por resistencias, radio frecuencia lmparas) CVD 3.2.- Activacin por plasma, generando una descarga en forma de arco PECVD 3.3.- CVD Fotoinducido PCVD 3.4.- CVD asistido por lser LCVD

CVD activado Trmicamente


Segn sea la temperatura de las paredes del reactor, los reactores utilizados en las tcnicas de CVD pueden ser: 1.- de pared fra o 2.- de pared caliente. En los primeros, el calentamiento de los substratos se realiza directamente bien sea mediante un horno alojado en el interior del reactor, o bien mediante un sistema de calentamiento por induccin.

La ventaja de los reactores de pared fra es que, aparte de consumir menor energa, la reaccin de deposicin tiene lugar preferentemente sobre los substratos (disminuyendo adems el consumo de reactantes). Esto permite un mejor control de la cintica de la reaccin de deposicin. En los reactores de pared fra se evita adems el posible depsito no deseado sobre las paredes que, con el tiempo, acaba desprendindose, formando partculas que pueden alterar la formacin de capas en determinados zonas de los substratos.

En los reactores de pared caliente, el calentamiento se efecta generalmente mediante un horno que rodea el reactor, que est formado por un tubo de cuarzo situado en su interior. Aun cuando presentan los inconvenientes asociados a la formacin de depsitos no deseados en las paredes, sin embargo se utilizan muy a menudo en la formacin de capas delgadas debido a la facilidad de diseo. La homogeneidad de la temperatura en una amplia zona del reactor facilita la deposicin sobre un gran nmero de muestras.

CVD activado por plasma (PACVD y MWCVD)


La presencia de una descarga elctrica (en forma de plasma) en el interior del reactor hace que las molculas de los gases pasen a estados de energa elevada favoreciendo la velocidad de reaccin. Generalmente, estas descargas se hacen con fuentes de corriente alterna de alta frecuencia, con objeto de aumentar la eficiencia del proceso de deposicin.

Por lo general estos equipos permiten trabajar a diferentes


frecuencias, en el rango de la radiofrecuencia y en el de las microondas: 1.- Tcnica de CVD asistida por plasma de radiofrecuencia (Rf plasma-assisted CVD PACVD) 2.-Tcnica de CVD asistida por plasma de microondas (Microwave assisted CVD MWCVD)

CVD asistida por plasma de radiofrecuencia


Una descarga de arco a baja presin, generada a una radio frecuencia fija (450 kHz o 13.56 MHz) se utiliza para generar un plasma bien capacitivamente dentro de la cmara de reaccin (caso de sistemas con electrodos paralelos) o bien inductivamente desde el exterior del reactor. Recordemos que un plasma es materia gaseosa fuertemente ionizada, con igual nmero de cargas libres positivas y negativas. Tambin se entiende como un gas ionizado que contiene el mismo nmero de electrones que de iones positivos y, por consiguiente es buen conductor de la electricidad. Un caso tpico de depsito por Plasma-CVD es el del silicio amorfo hidrogenado

SiH4 + eSiH2

SiH2 + e- + H2 SiH2 (adsorbido)


a-Si(:H) +H2

Sistema de gases

sustrato
SiH4

electrodo

Fuente

Esta tcnica es muy utilizada para depositar capas de Si3N4 empleadas como diferentes niveles de metalizacin.

mscaras de difusin en microelectrnica y para aislamiento entre

Tambin se utiliza para depositar silicio amorfo con aplicaciones en clulas


solares.

CVD Fotoinducido PCVD


Los mecanismos de depsito que se siguen en foto-CVD son bsicamente de dos tipos: 1.- Fotlisis mediante vapores de Hg excitados: consiste en irradiar vapor de Hg con radiacin ultravioleta (UV) de longitud de onda de 2537 A y activar las especies gaseosas por transferencia de energa mediante choques 2.- Fotlisis directa: consiste en irradiar el gas situado sobre el sustrato caliente con luz ultravioleta de una determinada longitud de onda, las especies gaseosas absorben la energa pasando a estados excitados y llegando a romper la molcula, producindose el depsito.

Lser CVD (LCVD)


La utilizacin del lser para iniciar el depsito se basa en tres mecanismos bsicos:
1.- Pirlisis: el lser calienta el sustrato localmente de forma que los gases prximos a ese punto sufren una descomposicin trmica. 2.- Evaporacin: el mecanismo es similar al de la pulverizacin catdica. Sobre un blanco situado prximo al sustrato se hace incidir un haz lser que arranca el material y este se deposita en el sustrato (ver tcnicas de depsito fsicas ablacin lser). 3.- Fotlisis: es el ms empleado en los procesos CVD inducidos por lser. Las especies gaseosas absorben la radiacin del lser, pasando a estados excitados e incluso fragmentando la molcula en radicales altamente reactivos

Fotlisis de reactantes: GeH4 , Si2H6 , C2H4 o mezcla de gases


Reactantes Haz del Laser

Sustrato

Capa en crecimiento

Si2H6 : (193 nm) = 210-18 cm-2 GeH4 : (193 nm) = 310-20 cm-2

Si2H6 + h (193 nm)

Si2 H6 * H3SiSiH + H2 H2SiSiH2

193 nm

GeH4 + h (193 nm)

GeH3 + H

Irradiacin del sustrato (calentamiento local) + Fotlisis de reactantes GeH4 , Si2H6 , C2H4 o mezcla de gases

Reactantes

Sustrato

Haz del Laser

Zona localizada y caliente

Capa en crecimiento

Oxidacin Trmica
Entre los mtodos qumicos de preparacin de pelculas delgadas encontramos la oxidacin de materiales activada trmicamente. As, mediante este procedimiento es posible conseguir pelculas de xido del material que sirvan para una funcin especfica. La mayora de los metales por el simple contacto con el oxgeno del aire forman una capa de xido en su superficie. A la temperatura ambiente esta capa de xido, denominada natural es de un espesor muy pequeo, generalmente de decenas de angstrom. Esto es debido a la elevada afinidad del oxgeno por la mayora de los metales, que hace que reacciones con ellos expontaneamente Cuando se aumenta la temperatura aumenta la velocidad de reaccin alcanzndose pelculas de xido relativamente gruesas. En un gran nmero de casos, estas pelculas se desprenden en algunos puntos de la superficie dando lugar a la formacin de poros y grietas y eventualmente a la formacin de nuevas capas de xido.

En otros casos, como el del xido de Silicio, las pelculas tienen una gran estabilidad y presentan unas excelentes propiedades aislantes por lo que su uso en dispositivos de microelectrnica esta muy extendido. Estas pelculas no slo se utilizan para aislar elctricamente dispositivos de microelectrnica muy prximos entre si, sino tambin, dentro de un determinado dispositivo, para aislar las diferentes capas conductoras que se superponen sobre la superficie del dispositivo.

La oxidacin trmica del SILICIO se suele realizar en un reactor tubular de cuarzo que se calienta mediante un horno externo hasta unos 1200C. La oxidacin se realiza haciendo pasar oxgeno puro o vapor de agua a travs del reactor durante un cierto tiempo, a la temperatura deseada.

Esquema del sistema experimental Horno


Gas: O2, H2O

Termoparmedida de temperatura

Si
Tubo de cuarzo

Cintica de crecimiento:
La formacin de dixido de silicio ( SiO2 ), en la superficie del silicio tiene lugar por accin del oxgeno o del agua que reaccionan de manera suficientemente rpida a temperaturas elevadas (700C- 1250C) de acuerdo con las ecuaciones:

Oxidacin seca
Si(s) + O2(g) SiO2(s)

Oxidacin hmeda
Si(s) + 2H2O(g) SiO2(s) + 2H2 (g)

Se llaman al O2 y H2O especies oxidantes

Aplicaciones generales de las tcnicas


Compound Semiconductor devices are used for the solar

panels and the RF transmitters


and receivers in
(pictured is a DirecTV satelite by Hughes Electronics).

communications satelites.

Microwave Plasma Deposition

Planta industrial Micrografia de una capa de Diamante

Aplicaciones trmicas de las capas de CVD diamante: Due to the combination of excellent thermal conductivity and high electrical resistivity CVD diamond is getting more and more attractive for various thermal management applications, including i. diamond heat-spreaders for the cooling of highpower electronic devices(laser diodes), ii. diamond submounts for flip-chip bonding of semiconductor circuits, and iii. direct deposition of thin diamond films on integrated circuits.

Optical Windows for high-power CO2 lasers The broad-band optical transparency, high thermal conductivity and hardness make diamond an ideal choice for highly demanding window applications such as high-power IR laser windows, high-power microwave windows and durable windows for aggressive environments

A thick diamond coating on a large diameter tungsten wire core

In order to make devices, displays, sensors, etc. The following SEM photos show examples of a patterned diamond film produced by selective nucleation. The Si wafer was first coated on oxide, and then patterned using standard photolithography and dry etching techniques to expose areas of Si. The wafer was then abraded, and the oxide mask stripped off in HF. Subsequent CVD produced diamond growth on the abraded areas preferentially over the unabraded areas. The resolution of this method appears to be around 2-5 m.

Micromecanizado por ablacin lser en material polmero (unidad de escala = 10 mm)

Microsismmetro desarrollado para su utilizacin en Marte.

Higrmetro para una microestacin meteorologica

Audfono (izda) y marcapasos (dcha)

cabezales de lectura/escritura en disco duro

Cabezal de impresin de chorro de tinta