Está en la página 1de 23

Transistores de efecto de campo FET

JFET MESFET

MOSFET

Transistor FET
Transistor de efecto de campo Denominado as por que durante su funcionamiento la seal de entrada crea un campo elctrico que controla el paso de la corriente a travs del dispositivo. Tambin se denominan unipolares por tener un solo tipo de portadores (electrones o huecos) los cuales intervienen en su funcionamiento.

A diferencia de los BJT los FET presentan una impedancia de entrada muy elevada por lo que su uso se ha extendido sobre todo en los circuitos integrados Aplicaciones en circuitos de alta frecuencia (microondas) : MESFET (GaAs) por su alta movilidad de los electrones. Los FET son mas estables a la temperatura que los BJT El tamao de estos dispositivos (FET) son mucho mas pequeos que los BJT, por tal razn son mas utilizados en la construccin de circuitos integrados

Se pueden conocer tres tipos de este dispositivo: (JFET, MESFET y MOSFET) JFET: transistor de efecto de campo de unin MESFET: transistor de efecto de campo de unin metal-semiconductor MOSFET: transistor de efecto de campo de unin metal-oxido-semiconductor

Un poco de historia
Schockley-1952 transistor de efecto de campo de unin (JFET) Mead-1966 transistor de efecto de campo de unin metalsemiconductor (MESFET) funciona similar al de Schockley pero el control de flujo de corriente se realiza por una unin Metal-Oxido Mas recientemente aparece el MOSFET metal-oxidosemiconductor en donde el control

JFET Descripcin
Formado por un semiconductor de tipo N. Un extremo S denominado fuente o surtidos. Otro extremo D denominado drenador o sumidero. Tercer electrodo G denominado puerta. En la simbologa la direccin de la flecha apunta el tipo de canal utilizado N la flecha va haca adentro P la flecha esta en sentido opuesto

MESFET

MOSFET
Transistor utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas. Aunque el MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamadas surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B), el sustrato generalmente est conectado internamente a la terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos de tres terminales similares a otros transistores de efecto de campo

Estructura del MOSFET en donde se muestran las terminales de compuerta (G), sustrato (B), surtidor (S) y drenador (D). La compuerta est separada del cuerpo por medio de una capa de aislante (blanco)

Simbologa del MOSFET

Dos MOSFETs de potencia con encapsulado TO-263 de montaje superficial. Cuando operan como interruptores, cada uno de estos componentes puede mantener una tensin de bloqueo de 120 voltios en el estado apagado, y pueden conducir una corriente continua de 30 amperios en el estado encendido, disipando alrededor de 100 watts de potencia y controlando cargas de alrededor de 2000 watts. Un fsforo se muestra como referencia de escala.

Aplicaciones Las aplicaciones de MOSFET discretos ms comunes son: Resistencia controlada por tensin. Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET, etc). Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta. Ventajas La principal aplicacin de los MOSFET est en los circuitos integrados, p-mos, n-mos y c-mos, debido a varias ventajas sobre los transistores bipolares: Consumo en modo esttico muy bajo. Tamao muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra). Gran capacidad de integracin debido a su reducido tamao. Funcionamiento por tensin, son controlados por voltaje por lo que tienen una impedancia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del orden de los nanoamperios. Los circuitos digitales realizados con MOSFET no necesitan resistencias, con el ahorro de superficie que conlleva. La velocidad de conmutacin es muy alta, siendo del orden de los nanosegundos. Cada vez se encuentran ms en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencias y baja potencia.

Funcionamiento