Clasificación de los materiales

• • • • • Metales y aleaciones. Cerámicos, vidrios y vitrocerámicos. Polímeros o plásticos. Semiconductores. Materiales compuestos.

Tipos de enlace
• Metálico.- Los átomos mas electropositivos de los elementos metálicos ceden electrones. • Covalente.- El enlace se forma compartiendo electrones. • Iónico.- Enlace entre dos tipos dferentes de átomos en donde un tipo aporta electrones (catión) a otro tipo de átomo que los acepta (anión). • De Van Der Waals.- Enlace secundario formado como consecuencia de interacciones entre dipolos inducidos o permanentes.

no tienen arreglo ordenado. • Orden de corto alcance.. • Orden de largo alcance..El arreglo espacial de los átomos solo se extiende a su vecindad inmediata.. .Materiales que llenan todo el espacio disponible. formando un patrón regular y repetitivo.Arreglo atómico con escalas mayores a los 100 nanómetros.Arreglos atómicos • Sin orden.

• Vitrocerámicos..Obtenidos a través de la nucleación de cristales ultra finos en vidrios amorfos.Materiales amorfos • Materiales que sólo muestran ordenamiento de átomos de corto alcance. . únicamente con ordenamiento de corto alcance..Materiales sólidos no cristalinos. • Vidrios.

• Base. • Factor de empaque.Subdivisión de una red que conserva las características generales de toda la red. . • Celda unitaria.Colección de puntos ordenados en un patrón periódico que dividen el espacio en segmentos de igual tamaño.Fracción de espacio dentro de una celda unitaria ocupada por átomos.Grupo de átomos ubicados en forma determinada entre sí y asociados con cada punto de red..• Red....

Simple y c. en las bases. • Triclínica.Simple y centrada en el cuerpo. c. • Ortorrómbica.Redes de bravais • Cúbica.. • Monoclínica. • Romboédrica. centrada en las caras y centrada en el cuerpo. • Tetragonal. • Hexagonal.Simple. en las bases y c en las caras. en el cuerpo. c.Simple. ....

• Alotropía.Termino utilizado en elementos puros. . polimorfos o polimórficos..Los materiales que pueden tener mas de una estructura cristalina se llaman alotrópicos.Termino utilizado para compuestos. • Polimorfismo..

Centro de tetraedro. Centro de cubo..• • • • • Sitios intersticiales.Huecos entre los átomos normales. Tipos de sitio intersticial: Lineal. . Centro de triángulo. Centro de octaedro.

. la radiación que llega a algún plano en cierto ángulo refuerza la radiación que nos provee de información útil concerniente a la estructura del material.Difracción de rayos X Cuando un haz de rayos X de una longitud de onda específica del mismo orden de magnitud de las distancias interatómicas del material llega a este.

.. • Defectos puntuales.Elementos o compuestos presentes en las materias primas. .Imperfecciones. • Impurezas.Elementos o compuestos agregados de forma deliberada y en concentraciones conocidas. • Dopantes..Interrupciones localizadas en los arreglos atomícos. buscando un efecto benéfico sobre las propiedades de la misma. en lugares específicos de la micro estructura.

Defecto de Schottky.Defectos puntuales • • • • • • Vacancia. Átomo intersticial. . Defecto de Frenkel. Átomo de sustitución grande. Átomo de sustitución pequeño.

(Exclusivo materiales iónicos) Cuando un catión divalente reemplaza a un monovalente..Es un par vacancia-intersticial que se forma cuando un ion pasa de un punto normal a uno intersticial. • D. • Sinterizado.Se produce al sustituir un átomo con uno de un tipo distinto. • Defecto de Schottky. .. • Defecto de Frenkel.Proceso mediante el cual se forma una masa densa calentando materiales pulverizados compactados.. de sustitución. también se debe quitar otro y produce una vacancia.Falta de un átomo o ion en un sitio normal de la estructura cristalina.... • Defecto intersticial.• Vacancia.Se forma al insertar un átomo adicional en una posición normalmente desocupada.

. de borde o arista.Dislocación en un cristal mediante la adición de la mitad de un plano adicional de átomos. • Dislocación mixta. • Vector de Burges. • Deslizamiento..tiene componentes de borde y de tornillo.Vector necesario para terminar el circuito y regresar al punto de partida..Imperfecciones lineales en un cristal.Se ilustra haciendo un corte parcial y después torciendo el cristal una distancia atómica.. Suelen introducirse durante la solidificación del material o al deformarlo permanentemente. de tornillo..• Dislocaciones. con una región de transición entre ellas. . • D. • D.Proceso en el que se mueve una dislocación y deforma un material metálico..

. • Deformación elástica. • Densidad de dislocaciones.Cambio de forma irreversible que se presenta al retirar la fuerza que la causo. ..Cambio temporal de forma mientras se aplica una fuerza al material.longitud total de dislocaciones por unidad de volumen y representa la cantidad de dislocaciones presentes..• Deformación plástica.

. el esfuerzo aplicado y la orientación del sistema de deslizamiento:    cos  cos  • Esfuerzo cortante crítico resuelto.Esfuerzo cortante necesario para para causar deslizamiento..• Ley de Schmid..Relación entre el esfuerzo cortante.

• Grano.Defectos superficiales Límites o planos que separan a un material en regiones.Superficie que separa a los granos individuales.Porción de material dentro la cual el arreglo de átomos es casi idéntico donde la orientación del arreglo de átomos es diferente.. . • Límite de grano..

Difusión de nitrógeno en la superficie de un material metálico.Óxidos cerámicos. sumergiendo la partes en un baño de zinc fundido... • Galvanizado por inmersión en caliente.. • Nitruración. • Recubrimiento de barreras térmicas. utilizados en los recubrimientos de alabes de turbinas y protege la aleación contra las altas temperaturas.. .Flujo neto de cualquier especie.• Difusión.Aplicar una cubierta de zinc.Difusión de carbono en la superficie de aceros para endurecerlos. • Cementación..

987 cal/mol K). . T es la temperatura y Q es la energía de activación. R es la constante de lo gases (1. • Energía de activación.• Ecuación de Arrhenius: Rapidez = c₀ exp (-Q/RT) Donde c₀ es una constante..Es la energía necesaria para llevar a cabo un reacción química.

Combinación de un átomo de determinado elemento que se difunde por un material anfitrión.. Difusión de vacancias..La difusión de pequeños átomos de una posición intersticial a otra en la estructura cristalina.. . Par de difusión. Difusión intersticial.Mecanismos de la difusión Auto-difusión.Movimiento aleatorio de los átomos en un material esencialmente puro..Difusión de átomos cuando un átomo deja una posición regular en la red para cubrir una vacancia en el cristal.

• Primera ley de Fick.Índice de cambio en la composición con respecto a la distancia en un material no uniforme..-Ecuación que relaciona el flujo de átomos por difusión con el coeficiente de difusión y el gradiente de concentración: J = -D (dc/dx) • Coeficiente de difusión (D).Coeficiente dependiente de la temperatura en relacion con la velocidad en la que los átomos se difunden.. • Gradiente de concentración. Expresada en: (átomos/cm³∙cm) ó en: (% de átomos/cm) .

• Dependencia entre la concentración de la especie que se difunde y la composición de la matriz. de límite de grano. • Clases de difusion: Volumétrica. .Factores que afectan la difusión • Temperatura y coeficiente de difusión. • Dependencia entre enlace y estructura cristalina. superficial. • Tiempo.

.. • Efecto Kirkendal.. • Plaga púrpura.Movimiento de la interfaz debido a velocidades distintas de difusión..La ecuación diferencial parcial que describe la velocidad a la que los átomos se redistribuyen en un material por difusión.• Segunda ley de Fick.Formación de huecos por coalescencia de vacancias que intervienen en el proceso de difusión.

Material cerámico.Ruta de procesamiento en la que los polvos metálicos se prensan y sinterizan formando componentes densos y monolíticos. llamado tantalato de bario y magnesio o BMT ....Tratamiento con alta temperatura que hace que se unan las partículas. • Metalurgia de polvos. reduciendo en forma gradual los espacios o poros entre ellas. • Resonador dieléctrico.• Sinterizado.

• Crecimiento de grano. que permite crecer los granos de mayor tamaño a expensas de los mas pequeños..Implica el movimiento de los límites de grano..Proceso para unir materiales donde dos superficies se presentan a alta presión y altas temperaturas que hacen que los átomos se difundan de un material a otro a través de los límites de grano. • Unión por difusión. .

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