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Fuente (S)
Sustrato p
S n+ ep
S n+ p
G S
VDS
e-
VGS
Canal
Corte
a) Smbolo
VBV VBD
VDS
Zonas de funcionamiento del transistor MOS: Zona de corte, VGS<VT , iD0 ; el transistor se considera un interruptor abierto. Zona de saturacin, VGS- VT <VDS, iDconstante (independiente de VDS): k W 2 i D = (VGS VT ) , el lmite de esta zona con la siguiente, se obtiene al 2 L k W 2 sustituir VGS- VT =VDS , en la frmula anterior, es decir: i D = (V DS ) , 2 L (=parbola)
2 VDS W , en esta Zona hmica, VGS- VT >VDS, i D = k (VGS VT ) V DS 2 L zona el transistor se considera un interruptor cerrado, con una resistencia (para valores muy pequeos de VDS): 1 RDS ( ON ) = . W k (VGS VT ) L
n+
n+
n+ p
n+
n+
n+
n+
canal
n+ p
10 1015 cm-3
14
n-epitaxial
n+ (oblea)
iD
iD
1019 cm-3
n+-oblea
Drenador
p n
-
Evolucin en el tiempo de las generaciones de transistores MOS a partir de DMOS hasta los transistores con trinchera.
n+ lmite de la zona de deplexin
p n
-
b) Para valores bajos de VDS (VGS2 > VGS1 , VGS2 < VT)
n+
c) Para valores bajos de VDS (VGS3 > VGS2, VGS3 > VT)
VGS4
e) Para valores mayores de VDS (VGS3 > VGS2, VGS3 > VT)
p n
DIODO EN ANTIPARALELO
S n+ E G
B p nC
T2
D
D2 IDrenador VDD
B E S
El transistor MOS con el Diodo en Antiparalelo Conmutando una Carga Inductiva en una rama de un Puente.
DB
La velocidad de subida o bajada de la tensin VGS se controla fcilmente con el valor de la resistencia de la fuente de excitacin de puerta.
RG VG =0V
G CGS S
CDS
Transistor cortado
Efecto de la conmutacin de otros dispositivos sobre la tensin de puerta con distintos valores de RG .
RG =200
El efecto de la conmutacin de otros dispositivos puede provocar variaciones importantes en la tensin de puerta debido al acoplamiento capacitivo CGD CGS . Esto tiene como consecuencias no deseadas: a) Se supere la tensin mxima que el xido puede soportar. b) Haciendo que el transistor (que estaba cortado) conduzca. Si se produce un flanco de subida, ese flanco se transmitir a la puerta, con lo que si se supera la tensin umbral, el MOS entra en conduccin.
En ambos casos es determinante el valor de la resistencia equivalente de la fuente que excita a la puerta (RG) cuanto menor sea esta resistencia menos se notar este efecto. Se debe tener especial cuidado con las conexiones en el circuito de puerta, porque cualquier inductancia parsita presente dar una impedancia equivalente muy alta ante cambios bruscos.
Efecto de la conmutacin de otros dispositivos sobre la tensin de puerta con distintos valores de RG .
VGS
VDS
Si se produce un flanco de bajada, ese flanco se transmitir igualmente a la puerta, permaneciendo el transistor cortado, pero con peligro de superar la tensin mxima del xido.
Vcom
ID
RG =2000
Esto tiene el efecto de que baje la tensin VDS con lo que el efecto se compensa, cortndose de nuevo el transistor a costa de sufrir grandes prdidas por la corriente que circula durante el transitorio.
RG =20
SOA (DC)
Lmite de potencia a Tc=25C 0.1A 10V
100ms
a) Circuito Empleado V1
10V 0 Velocidades de subida y bajada reguladas por RG t Umbral de conduccin Umbral de corte
ID
DC
BVDSS=500V
VDS
VGS
10V 0
Zona de Operacin Segura (SOA) en un MOSFET de Potencia (iD y VDS en escala logartmica)
ID es funcin del rea del transistor IC depende de min
iD
9.85A 90% 0 10% tr tf
IC
SOA (DC)
VDS
100V 1.5V 0
Comparacin entre las Zonas de Operacin Segura de dos transistores MOSFET y BJT de Potencia construidos para las mismas tensiones mximas y de secciones anlogas.
BVDSS o BVCE
VDS
1000A
P=iDVDS
0 t
Ntese que los lmites de corrientes y tensiones de dispositivos de mayores potencias que pueden encontrarse en el mercado son aproximadamente:
100A
1000V 1500V