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TRABAJO PRCTICO N 1 ANALGICAS 6 AO DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA Objetivo: Disear y construir un amplificador de potencia a eleccin del alumno, aplicando

o todos los conocimientos adquiridos en esta y otras reas, cumpliendo con las pautas enumeradas en los siguientes tems. DESARROLLO DE LA PRCTICA Condiciones: El trabajo consiste en realizar el diseo conforme a lo solicitado, aplicando no slo los conocimientos adquiridos en este espacio curricular, sino tambin los adquiridos en otros espacios. Las condiciones de entrega de este trabajo son: el diseo debe hacerse primeramente en el papel, con todas las explicaciones tericas y prcticas correspondientes, para luego comprobarse por algn programa informtico para electrnica (tipo Proteus o similar), debiendo adjuntarse la impresin de pantalla o bien dibujarse lo observado. Luego deber construirse el prototipo, al cual se le debern realizar todas las mediciones que confirmen el correcto funcionamiento del circuito diseado. Es completamente lgico que en un diseo se produzcan errores. El detectarlos y corregirlos es un aprendizaje muy importante. Adems se debe tener en cuenta que entre el funcionamiento informtico, el diseo en el papel y el circuito real siempre habr diferencias, por lo cual se tendrn que realizar ajustes directamente sobre el circuito en funcionamiento, para asegurar que cumpla las condiciones. Estos hechos debern incluirse en el informe que se entregar y qu criterio adoptaron para llegar a la solucin. INTRODUCCIN TERICA Se puede definir amplificador de potencia como la etapa, cuyo objetivo es entregar la mxima potencia a la carga, con la mnima distorsin y con el mximo rendimiento, sin sobrepasar ni en las condiciones ms desfavorables de funcionamiento, los lmites mximos permitidos de disipacin de potencia de los elementos empleados. Las etapas de salida son diseadas para trabajar con niveles de tensin y corriente elevados. Las aproximaciones y modelos de pequea seal no son aplicables o deben de ser utilizados con las consideraciones oportunas. 1.- CLASIFICACIN DE LOS AMPLIFICADORES a) Segn el funcionamiento de los transistores de salida se pueden clasificar en: Lineales. Los transistores trabajan en zona lineal. De conmutacin. Los transistores de salida trabajan en conmutacin. Tambin suele llamar Clase D b) Segn el punto esttico de funcionamiento

Clase A: el transistor amplifica ambos semiciclos de la seal Clase B: el transistor amplifica slo un semiciclo de la seal Clase AB: es la ms comn. El transistor amplifica un poco ms de un semiciclo de la seal Clase C: El transistor amplifica menos de un semiciclo de la seal. Veamos los grficos siguientes:

Digamos que, observando los grficos anteriores, se deduce que los amplificadores clase A estn polarizados con un punto Q en la mitad del grfico y que para obtener las otras clases, lo que variamos es el punto de polarizacin. En cuanto a las ventajas y desventajas de los tipos de amplificadores podemos decir que a menor valor de corriente del punto Q, mayor ser el rendimiento, pero tambin ser menor su calidad. Podemos tambin hablar de amplificadores clase D, que son los amplificadores conmutados, es decir que amplifican en corriente slo los estados binarios. Son los de mayor rendimiento, pero a su vez la conmutacin crea numerosas seales parsitas que alteran la calidad de la amplificacin. Es por ello que su desarrollo implica conocimientos muy amplios sobre los armnicos de una seal digital. 2.- DISTORSIN. En un amplificador ideal la seal de salida es una rplica exacta de la II

seal de entrada. En amplificadores reales, fundamentalmente debido a las caractersticas no lineales de los dispositivos utilizados, aparecen distorsiones que introducen modificaciones en la seal de salida.

a) Distorsin de fase Aparece debido a que las componentes de una seal sufren distintos desplazamientos de fase a medida que van atravesando las etapas del amplificador. Estas diferencias de fase son provocadas por los elementos capacitivos e inductivos que forman parte del sistema. b) Distorsin de frecuencia Apare ce debido a que la ganancia de los amplificadores no es la misma para todas las frecuencias, es decir, la respuesta en frecuencia no es plana, por lo que la seal de salida presentar deformaciones con respecto a la de entrada, dado que las formas de onda complejas estn compuestas por seales sinusoidales de distintas frecuencias y amplitudes. Al igual que en el caso anterior, estas deformaciones son provocadas por los elementos capacitivos e inductivos. En general, estas distorsiones aparecen conjuntamente. c) Distorsin de amplitud Aparece por la falta de linealidad de los componentes de los amplificadores introducindose seales armnicas indeseadas en la seal de salida. La ganancia de los amplificadores no es la misma para todas las amplitudes de la forma de onda de la seal de entrada, por lo que pueden aparecer amplificaciones o recortes desproporcionados en la seal de salida. Estos efectos se pueden minimizar mediante una realimentacin negativa.

En funcin de la seal de entrada, se definen dos tipos de distorsin de III

amplitud. Distorsin armnica: Para una seal de entrada senoidal pura, el amplificador aade frecuencias armnicas de la frecuencia de la seal de entrada, que se unen a sta, alterando su forma. Es la forma de distorsin ms caracterstica. Por ejemplo, una seal pura de 1kHz se transforma a la salida del amplificador con distorsin en otra seal que adems de tener la componente fundamental de 1kHz posee seales armnicas de 2kHz (segundo armnico), 3kHz (tercer armnico), etc. Distorsin por intermodulacin: Tiene lugar cuando a la entrada de un amplificador se aplican simultneamente dos seales de distinta frecuencia y a la salida aparecen adems de stas, otras frecuencias no relacionadas armnicamente con ellas. Para dos seales de entrada, de frecuencias f1 y f2, se obtienen a la salida seales cuya frecuencia esta relacionada con la de las seales de entrada, f1, f2, 2f1, 2f2,... nf1,...nf2, f1+f2,... n (f1+f2), f1-f2, etc. Estos dos tipos de distorsin de amplitud se expresan en tanto por ciento. Debe quedar claro que ambas distorsiones son debidas a la falta de linealidad de los dispositivos utilizados. 3.- Diseo del Amplificadores En la figura siguiente se pueden ver las posiciones de la recta de carga en funcin de la clase en la que trabaje el amplificador:

3.1.- AMPLIFICADORES DE POTENCIA EN CLASE A:

3.1.1.- CARACTERSTICAS GENERALES Circula corriente en la salida durante todo el periodo de la seal de entrada. Cuando no hay seal de entrada, la prdida de potencia es mxima (IC = ICQ). Al obtener grandes potencias y trabajar con grandes seales, trabajan prximos a la zona no lineal de la caracterstica V-I, por lo que la distorsin ser significativa, IV

aunque menor que en otras clases como la B o la C. El punto esttico de funcionamiento estar en el centro de la caracterstica de transferencia dinmica. El rendimiento mximo es del 50%, pero en la prctica est entre el 20 y el 35 %. Se pueden distinguir dos tipos, segn el acoplo con la carga, acoplo directo y acoplo por transformador. Etapa de salida clase A La etapa de salida clase A ms sencilla es el seguidor de emisor aunque su eficiencia es bastante baja (<0.25). La figura que sigue muestra el esquema de este tipo de etapa (se polariza por comodidad con una fuente adicional en base de un valor igual a VBB = VCC / 2+ VBE logrando con ello que la tensin en V CE sea igu al a la tens in contin ua en R L y con ell o qu e el pun to Q se halle en la mitad del recorr id o de l a recta d e carg a estti ca).

La figura que sigue presenta la transferencia de este tipo de amplificadores. Como se ve, la seal es amplificada en su totalidad, por lo cual la distorsin es baja. No obstante y debido a la necesidad de tener un punto de polarizacin tan alto (an sin seal), el rendimiento es muy bajo.

Se han hecho intentos para mejorar el rendimiento, entre ellos el poner un unto de polarizacin variable respecto de la seal, pero no son comunes y su resultado no fue el esperado (tomando en cuenta la relacin costo / beneficio). V

Si la carga se acopla al amplificador mediante un transformador, se obtiene un rendimiento mucho mayor pero a un mayor costo y con los problemas adicionales que genera el uso de transformadores. 3.1.1.- DESARROLLO DE POTENCIAS - RENDIMIENTO Si nos basamos en el circuito anterior y consideramos condiciones ideales, podremos llegar a una aproximacin que nos permita ver cuales son las caractersticas de potencia y rendimiento de este circuito. En los casos prcticos el rendimiento ser menos al calculado en forma terica. Vamos a considerar que las caractersticas del transistor son ideales, como as tambin consideraremos respuesta lineal y polarizacin exacta en la mitad del recorrido de la recta de carga esttica. Con ello tenemos: VCEQ = VCC / 2 VRLMax = VCC Adems vemos que la corriente ICQ debe ser igual (o mayor) a la corriente de pico de la seal de salida. Entonces la corriente IC ser la suma de la corriente ICQ y la corriente de la seal. Siendo la seal senoidal pura, podemos escribir que ic = C sen(wt ) Con lo cual iC = I CQ + C sen(wt ) Tambin tomaremos en cuenta que la potencia desarrollada en el circuito debe ser proporcionada por la fuente de corriente continua VCC y de all se distribuye en el transistor y RL. Parte de esa potencia se transformar en trabajo efectivo en la carga y la otra parte ser utilizada por el circuito para su funcionamiento. El rendimiento estar dado por la relacin entre la potencia que recibimos como trabajo y la que la fuente entrega. La diferencia entre ambas es la que utiliza el circuito y esta debe considerarse como prdida. PCC = PT + PRL Estas potencias consideran tanto las de continua como las generadas por la seal. De la potencia de seal, la nica que debe considerarse como trabajo es la que se obtiene en RL. Tanto la potencia que se disipa en el transistor (continua y alterna) como la potencia de continua desarrollada en RL son prdidas. La frmula general para el clculo de potencia media es: P=
_

1 v ( t ) i( t ) dt T 0

Para calcular la potencia entregada por la fuente, consideramos que la tensin proporcionada por la misma es constante e igual a VCC, no as la corriente, que ser directamente iC.

VI

^ 1 VCC I CQ + I C sen( wt ) dt T 0 Sabiendo que la IC de pico es igual a ICQ y aplicando la propiedad distributiva de la integral respecto de la suma y resolviendo la multiplicacin tenemos:

PCC =

PCC =

____

1 1 VCC I CQ dt + VCC I CQ sen( wt ) dt T 0 T 0

Por las propiedades de las seales peridicas simtricas sabemos que el segundo trmino es igual a cero. Entonces, resolviendo lo que queda obtenemos

PCC = VCC I CQ
Procederemos a calcular ahora la potencia desarrollada en la carga. Aqu tenemos que tomar en cuenta que tanto la tensin como la corriente son senoidales, por lo cual la resolucin de las integrales ser un poco ms complicada. Por ley de ohm, la tensin en RL es: V RL = R L I CQ + I CQ sen( wt )
____ T

____

1 2 PRL = R L I CQ + I CQ sen( wt ) dt T 0 RL T 2 2 2 PRL = I CQ + 2 I CQ sen( wt ) + I CQ sen 2 ( wt ) dt T 0 Aplicando nuevamente la propiedad distributiva de la integral podemos observar que como en el caso anterior, la integral del trmino central dar cero. Adems vemos que del primer trmino slo obtenemos valores de continua, por lo cual la potencia de trabajo efectivo la encontraremos resolviendo la tercera integral.
____

PRL = I CQ R L +

____

I CQ R L T

sen 2 ( wt ) dt
0

Como vemos, la potencia que obtenemos como trabajo es la mitad de la potencia que se pierde como calor (continua) en la carga. Si restamos la potencia en la carga a la potencia entregada por la fuente podemos obtener la potencia que se disipa en el transistor:
____

PR L = I C Q RL +

_ __ _

I C Q RL 2

PT = VCC I CQ

3 2 I CQ RL 2 VII

y como

I CQ =
___ 2

VCC 2 RL
2 2

PT =

VCC V 3 V CC = CC 2 RL 2 4 RL 8 RL

V PT = CC 8 R L
___

En este caso suponemos que hay seal y que la misma es mxima, pero cuando estamos en el caso prctico, la seal de audio vara constantemente en amplitud y por lo tanto tambin lo har la potencia que disipa el transistor. Para poder acondicionar el transistor a las condiciones extremas debemos considerar cual va a ser la potencia mxima que podra disipar. Si observamos la frmula de la potencia en la carga, vemos que en ella se encuentra la componente de potencia dependiente de la seal Psal = I CQ R L 2
2

Si la seal no estuviera presente, esta parte de la ecuacin desaparecera y como est restando en la ecuacin de potencia disipada en el transistor, encontraremos que si la seal fuera cero la potencia disipada sera mxima dado que el resto de la ecuacin es dependiente de la corriente de polarizacin, que siempre est presente en el circuito
2 2 2

PTmx =

VCC V V CC = CC 2 R L 4 RL 2 R L

PTmx

V = CC 2 RL

Con esta potencia procederemos al clculo del disipador como se explica en el anexo del presente. El rendimiento en la relacin porcentual entre la potencia recibida como trabajo y la potencia que entrega la fuente. Calcularemos pues el rendimiento mximo terico tomando el circuito como ideal y aplicando la mxima seal que pueda disponerse tal cual lo hicimos hasta ahora. Utilizando las frmulas ya vistas I CQ R L
2

% =
VIII

I CQ R L PsealRL 2 100 = 100 = 100 Pfuente VCC I CQ 2 VCC

y como VCC = 2 ICQ RL

1 % = 100= 25 % 4
Como se haba dicho, el rendimiento es muy bajo. Es decir que para poder recibir una potencia de 100 W, la fuente de alimentacin debe entregarle una potencia de 400 W al circuito amplificador. Los 300 W restantes se pierden transformados en calor. Si se utilizara un circuito en el cual la carga se acopla mediante un transformador, el rendimiento mximo terico subira al 50 %, pero apareceran otros problemas.

Amplificador de Potencia Clase A con acoplo por transformador 3.2.- AMPLIFICADORES DE POTENCIA EN CLASE B: La mayor desventaja de la etapa de salida clase A es el consumo esttico de potencia incluso en ausencia de seal de entrada. En muchas aplicaciones prcticas existen largos tiempos muertos (standby) a la espera de seal de entrada o con seales intermitentes. Etapas de salida que desperdician potencia en periodos standby tienen efectos perniciosos importantes. En primer lugar, se reduce drsticamente el tiempo de duracin de las bateras de los equipos electrnicos. En segundo lugar, ese consumo de potencia continuado provoca un incremento de temperatura en los dispositivos que limita su tiempo medio de vida dando lugar a una mayor probabilidad de fallar con el tiempo. La etapa de salida clase B tiene consumo esttico de potencia en modo standby prcticamente cero. Etapa de salida clase B El circuito que sigue nos muestra un circuito con transistor en clase B. Como se observa, no hay polarizacin de corriente continua, lo cual hace que ante la ausencia de seal, el consumo sea nulo. Sabiendo que el transistor slo puede conducir cuando la tensin entre base y emisor supere los 0.7 V, vemos que slo habr corriente de salida cuando la seal de entrada nos aporte como mnimo esa tensin necesaria para la conduccin. IX

Tambin se observa que solamente habr consumo cuando la seal est presente, lo cual (como veremos ms adelante) redundar en un rendimiento mucho mayor. Vemos que el punto Q se halla en Vcc 0. Es por ello que, al conducir en un solo sentido, en la salida veremos la seal rectificada amplificada en corriente, es decir que slo se amplifica un semiciclo. Para amplificar el otro semiciclo se debe utilizar otro amplificador igual pero en contrafase, llamando a dicho circuito de simetra complementaria. .

3.2.1.- DESARROLLO DE POTENCIAS - RENDIMIENTO Nuevamente consideraremos al circuito amplificador clase B ideal, tal cual lo hicimos en el caso del amplificador clase A. Con ello tenemos: VRLMax = VCC Vent = Vsal Adems consideraremos que aplicamos la seal suficiente para que en la salida tengamos un valor pico de seal igual a VCC, es decir, todas las tensiones de saturacin del transistor son consideradas iguales a cero. Siendo la seal senoidal pura, podemos escribir que ic = C sen(wt ) Con lo cual iC = VCC sen(wt ) RL

En este caso tambin la potencia desarrollada en el circuito debe ser proporcionada por la fuente de corriente continua VCC y de all se distribuye en el transistor y RL, con la diferencia que ahora no tendremos corriente continua. Parte de esa potencia se transformar en trabajo efectivo en la carga y la otra parte ser utilizada por el circuito para su funcionamiento. PCC = PT + PRL En este caso no tendremos prdidas en RL, dado que al no tener polarizacin, la nica corriente que se desarrollar por ella ser la de seal. Nuevamente T _ 1 P = v ( t ) i( t ) dt T 0 Para calcular la potencia entregada por la fuente, consideramos que la tensin proporcionada por la misma es constante e igual a VCC, no as la corriente, que ser directamente iC.

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1 ^ VCC I C sen( wt ) dt T 0 Aqu haremos la primera consideracin: la seal de salida es slo un semiciclo de la seal, por lo cual la integral slo ser vlida hasta T/2. Aplicado la relacin entre VCC e IC, tenemos: PCC = VCC sen( wt ) dt RLT 0 Cambiando el diferencial para poder aplicar las tablas de integrales, PCC =
____ 2 T 2

PCC

____

V = CC RLT

T 2

sen( wt )

dwt w

La integral de una seal senoidal nos da como resultado una seal cosenoidal, a la cual debemos reemplazar los lmites de integracin. Adems w=2/T y es constante, con lo que puede salir de la integral PCC
____

VCC T = [ cos( wr )] 0 2 2 RLT T


2

PCC

____

V T = CC cos( ) ( cos( 0)) 2R L 2 PCC


____

V = CC [ (1) (1)] 2R L

V PC C = C C RL
____

Procederemos a calcular ahora la potencia desarrollada en la carga. Aqu tenemos que tomar en cuenta que tanto la tensin como la corriente son senoidales (semiciclos) y est en fase. Por ley de ohm, la tensin en RL es: V RL = R L [ I C sen( wt ) ] Y adems IC.RL = VCC
T T 1 VCC 1 VCC 2 PRL = [ sen( wt ) ] dt = [ sen( wt ) ] 2 dwt T 0 RL T 0 RL w ____ 2 2

Aplicamos la relacin

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[ sen( wt )] 2 = 1 1 cos( 2wt )


2 2 Recordemos que slo se amplifica un semiciclo, por lo cual cambiamos los lmites de integracin V PRL = CC T RL
____ 2 T T T 2 2 1 1 dwt VCC 2 1 dwt 1 dwt ( cos( 2 wt )) = cos( 2 wt )) 2 2 w T RL 2 w 2 w 0 0 0 2

Si resolvemos la segunda integral veremos que el resultado da cero, por lo cual slo quedara resolver la integral de una constante.
T 2 2 VCC 2 1 dwt VCC T = PRL = T RL 2 w T RL 4w 0 Y como w = 2/T y el perodo es 2 nos queda ____

V PR L = C C 4 RL
____

El anlisis de la potencia disipada por el transistor se hace restando la potencia en la carga a la potencia entregada por la fuente de continua, pero ello slo se limitar a un valor de tensin y corriente. Para hallar la potencia mxima que se podra llegar a disipar tenemos que tener en cuenta que en el transistor, cuando tenemos la mayor corriente tenemos la menor tensin y viceversa, es decir que la mxima disipacin no se encuentra en los valores mximos ni de tensin ni de corriente, tal como ocurra en el amplificador clase A. La variable que determinar el valor de mxima disipacin ser la tensin de seal aplicada, por lo cual debemos calcular el valor de tensin pico de seal para obtener la mxima disipacin y luego, con este valor, calcular el valor mximo que la potencia que disipara el transistor (que se utilizar en el diseo del disipador). Partiremos de las frmulas de potencia entregada por la fuente y potencia en la carga, considerando la parte variable, es decir VRL. T T 1 1 ^ V RL sen( wt ) dt PCC = VCC I C sen( wt ) dt = VCC T 0 T 0 R L

PCC =

VCC VRL RL

Con el mismo criterio calculamos la potencia desarrollada en la carga, considerando ahora que tanto la tensin como la corriente son variables en funcin de la seal de entrada, por lo cual. XIII

V V V PRL = RL RL = RL 4 RL 4 RL
La potencia disipada por el transistor ser entonces la resta entre ambas
____

V VRL V RL PT = CC RL 4 RL

Observando la frmula vemos que no se puede decir que la potencia disipada es mxima cuando la tensin de seal es mxima, ni tampoco cuando es cero y la corriente mxima. Para hallar el mximo debemos derivar respecto de la variable, que es VRL, y luego igualar a cero. Con ello obtendremos el valor de VRL que cumple con dicha condicin. V dPT V = CC RL = 0 dV RL R L 2 RL VCC V = RL RL 2 RL 2 VCC V RL = Reemplazamos esto ltimo en la frmula de potencia disipada PTMX
____

V 2 VCC 4 VCC = CC 2 RL 4 2 RL

VC C PT M A X = 2 RL
__ _ _

Como vemos, nada tena que ver con los valores mximos de la seal.

Para el clculo del rendimiento utilizamos la misma frmula que en el caso de amplificadores clase A, es decir, la relacin entre trabajo recibido y potencia entregada por la fuente. VCC 4 RL
2

% =

PsealRL 100 = 100 = 100 2 Pfuente 4 VCC RL

% = 78,5 %
El rendimiento es mucho mayor, pero an no resolvimos el problema de la XIV

amplificacin de un solo semiciclo. 3.2.2.- AMPLIFICADOR CLASE B EN SIMETRA COMPLEMENTARIA

Como vemos en la figura, utiliza dos transistores, uno NPN y otro PNP (simtricos complementarios), en contrafase que conducen alternativamente conforme la seal de entrada sea positiva o negativa. En este circuito jams conducirn ambos transistores al mismo tiempo, por lo cual se pueden aplicar las frmulas deducidas anteriormente, sin necesidad de volver a deducirlas.

Para calcular la potencia media mxima en la carga, simplemente duplicamos la potencia obtenida anteriormente. Si calculamos la potencia eficaz en la carga con la seal completa obtendramos el mismo resultado.

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V PR L = R L 2 RL
La potencia entregada por ambas fuentes ser

PCC =

2 VCC VRL RL

Respecto de la potencia disipada por los transistores, como en general se calcula para cada transistor en forma individual. Si se utilizara un solo disipador para ambos transistores, simplemente se duplican sus dimensiones. Ahora debemos analizar los pormenores de un circuito real. Sabemos que cualquier transistor necesita al menos 0,7 V entre base y emisor para conducir (1.4 V para transistores Darlington). Si observamos el circuito vemos que no hay polarizacin, por lo cual esa tensin slo puede ser tomada de la seal de entrada, con su consiguiente prdida. Es decir, parte de la seal ser utilizada para la polarizacin de los transistores. Si la seal es importante, quizs este problema no se note, pero a bajos niveles si lo har y ello es inadmisible dado que la seal de audio no es algo que se puede regular en forma constante, sino que puede tener valores de distinto nivel. Esta distorsin provocada por en la zona central de la seal se llama distorsin de cruce (crossover).

3.2.3.- DISTORSIN DE CRUCE Si se aplica una entrada senoidal a la entrada de un amplificador en contrafase clase B, no habr salida hasta tanto se supere la tensin umbral de los transistores de silicio (VBE).

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Para evitar este problema se aplica una leve polarizacin a los transistores complementarios (no es un punto Q tal cual lo conocemos) a la cual llamaremos corriente de mantenimiento. Este valor es muy pequeo y se calibra en un punto en el cual veamos que desaparece la distorsin, pero si excedernos en la corriente, dado que ello puede provocar embale trmico de los transistores de potencia. 3.2.4.- AMPLIFICADOR DE POTENCIA CLASE AB Es un caso intermedio entre clases A y B. Digamos que es un amplificador clase B con una pequea polarizacin tendiente a reducir la distorsin de cruce a su mnima expresin. Sabemos que el rendimiento de un clase A es muy bajo, pero en este caso es inevitable y adems todos los amplificadores son en realidad de este tipo.

En la figura a) y b) se observan dos tipos distintos de polarizacin AB. Como se XVII

puede observar, en ambos casos se utilizan componentes activos. Estos componentes deben tener la misma temperatura que los transistores de potencia (se montan en los mismos disipadores) para que a medida que el circuito toma temperatura de trabajo se compense la polarizacin.

La figura anterior nos muestra la polarizacin aplicada para reducir la distorsin. 3.2.5.- ALIMENTACIN CON FUENTE NICA Dado que este amplificador funciona con transistores en contrafase se hace necesario que el transistor PNP tenga una fuente de tensin de menor valor en base respecto de emisor, lo cual obliga a tener una fuente negativa. Esto se podra evitar si pudiramos tener una tensin continua en la carga que nos provea una tensin mayor en el emisor. Si colocamos un capacitor como indica la figura, obtendremos la fuente adicional que necesitamos sin necesidad de utilizar una fuente doble. Como todo circuito, esto tiene ventajas y desventajas que no analizaremos. Slo diremos que cualquier capacitor produce efectos sobre la seal en funcin de la frecuencia, por lo cual, desde un punto de vista prctico parecera ser que el capacitor puede provocar reduccin del ancho de respuesta del circuito en funcin de la frecuencia de la seal. Este capacitor adicional se carga a aproximadamente la mitad de la tensin de fuente a travs del transistor NPN, para luego descargarse a travs del PNP conforme la seal aplicada. Con ello suplantamos la falta de tensin negativa.

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3.2.6.- PROTECCIONES CONTRA SOBREINTENSIDADES. Un problema que se plantea en las salidas de los amplificadores es la proteccin de los transistores frente a posibles cortocircuitos accidentales, con el fin de evitar la destruccin de los mismos. En estos casos, la proteccin mediante fusibles no es acertada, dada la lentitud de actuacin de los mismos. Se ven a continuacin una serie de circuitos limitadores de corriente.

En el circuito anterior se ha agregado un transistor adicional que censa la tensin en RE. Si hubiere un cortocircuito en la salida (no es ilgico pensar que se puedan producir dado el manejo de cables que se hace para las conexiones del parlante), la corriente aumentara notablemente, por lo cual la tensin en R E tambin. Cuando la misma supere el umbral de conduccin del transistor, el mismo comenzar a conducir quitando corriente de la base del transistor de salida que controla, obligando a descender la corriente de salida. Este sistema se puede utiliza cuando las corrientes normales de funcionamiento del circuito son bajas y no se llega a la tensin umbral del transistor. Para corrientes importantes tendremos que utilizar un divisor resistivo como se muestra en la figura XIX

siguiente.

4.- DISEO DE AMPLIFICADORES BSICOS En este captulo vamos a analizar tres posibilidades de circuitos amplificadores y su correspondiente diseo y armado para ser probado. Cabe agregar que todos los circuitos funcionan normalmente pero son bsicos, es decir, son susceptibles de mejoras en la respuesta, lo que dejaremos a consideracin del alumno que desee investigar circuitos comerciales. XX

4.1.- AMPLIFICADOR CON FUENTE PARTIDA

En primer lugar analizaremos los componentes de este circuito para luego desarrollar su diseo. La salida de este circuito ser directamente el parlante, representado por RL. a) Transistores Q1 y Q2: Transistores de potencia que son los encargados de realizar la ltima amplificacin de corriente (estn en configuracin colector comn). Pueden ser comunes o estar formados por varios transistores en configuracin Darlington. Es importante que su hFE sea importante para que la etapa anterior no desarrolle corrientes altas. Normalmente tienen que ir montados en disipadores de calor. b) Resistores RE1 y RE2: Estos resistores tienen la funcin de estabilizar la mnima polarizacin de los transistores de potencia. Si observamos el circuito veremos que estas resistencias se hallan en el camino de la seal, por lo cual toman parte de ella y la transforman en calor, por lo cual desde este punto de vista su valor ideal sera cero. Como desde el punto de vista de la estabilidad de la polarizacin debe ser lo ms grande posible, se busca una solucin de compromiso, dado que estos resistores son muy importantes para evitar que se disparen las corrientes por razones trmicas. Su valor aproximado se toma como 5 % de RL. c) Resistores R1, R2 y capacitor C2: Forman un circuito de compensacin de la seal con la continua y su necesidad se explicar ms adelante. El capacitor tiene que tener un XXI

d)

e)

f)

g)

h) i)

j)

k)

valor tal que su reactancia sea por lo menos diez veces menor que la resistencia asociada para que en la frecuencia mnima de audio pueda considerarse un corto circuito para la seal. Transistor Q5 y potencimetro RP: Este circuito es uno de los probables (tal vez el ms utilizado) para corregir la distorsin de cruce. Se utiliza un elemento activo para compensar la correccin en temperatura y el potencimetro para calibrar al valor justo. El transistor debe estar montado conjuntamente con los transistores de potencia para que igualen su temperatura. La calibracin se realiza con seal y osciloscopio. Si no se dispone de osciloscopio, la calibracin se hace para obtener en los transistores de potencia una corriente de mantenimiento de no ms de 5 mA. Transistor Q3, R3: Esta etapa se llama excitadora y tiene como funcin amplificar en tensin (la salida de potencia slo amplifica corriente). Su configuracin es R E sin puentear pero como R3 es de muy bajo valor (su funcin es estabilizar la polarizacin) se puede considerar como si fuera un emisor comn con alta ganancia de tensin. La carga del colector la componen R1 y R2 conjuntamente con RL. Capacitor C3: Este capacitor forma una realimentacin negativa de seales de alta frecuencia, reduciendo su ganancia, a los fines de evitar la oscilacin del circuito en frecuencias sobre todo no audibles, pero que podran daar seriamente al mismo. Su valor, si bien se puede calcular, lo probaremos entre 30 y 100 picofaradios (su clculo excede el nivel de este curso). Transistor Q4, R5 y R4: Esta etapa se llama preexcitadota y est en la configuracin R E sin puentear. Como se ve, la polarizacin se toma desde masa (a travs de R L que para continua tiene un valor casi cero) para aprovechar la realimentacin negativa de corriente alterna y corriente continua y as poder estabilizar el circuito en ambos casos. A su vez, la tensin que se genera mediante la polarizacin de Q4 se utiliza para polarizar el transistor Q3. Resistor R6 y capacitor C6: Conjuntamente con R5 conforman la red de realimentacin negativa de corriente alterna a los fines de determinar una ganancia de tensin constante para todo el circuito. Resistores R7 a R11: esta red se encarga de polarizar Q4 y con ello todo el circuito. Es por ello que en esta red existe un resistor variable a los fines de poder regular la polarizacin a un valor adecuado para que el circuito excitador tenga simetra, es decir, la tensin continua VCEQ3 se haga igual a la tensin continua entre R1 y R2, o lo que es lo mismo, la tensin continua en la resistencia de carga sea cero y no tenga derivacin de corriente. Capacitores C7 y C11: Conjuntamente con sus resistores homnimos tienen la funcin de reducir los efectos del ripple de fuente, los cuales, por ser de una frecuencia audible, de inyectarse en la entrada, seran amplificados como una seal normal. Se comportan como filtros pasa bajos y se calculan de manera tal de reducir la seal de ripple en un valor de mil veces. Capacitor CIN: Este capacitor separa la seal de entrada de la corriente continua de polarizacin a los fines que no haya interferencia entre la fuente de seal y la corriente de polarizacin del circuito amplificador. Se puede colocar un potencimetro en la entrada (como en la figura) a los fines de regular el valor de la misma para obtener mxima potencia y evitar los recortes de seal.

4.2.- AMPLIFICADOR CON FUENTE NICA

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Las partes que constituyen este circuito son prcticamente las mismas que en el caso anterior, por lo cual slo enunciaremos los elementos no comunes. Obsrvese que ante la falte de fuente negativa, no se hace necesario filtrar el ripple de la misma, por lo cual no aparecern ni R11 ni C11. a) Capacitor Csal: Este capacitor, adems de la funcin clsica de separar corriente alterna de corriente continua, tiene la funcin de cargarse a un valor de tensin de aproximadamente VCC y proporcionar con ello la tensin necesaria para el funcionamiento de Q2, haciendo que la tensin en su emisor sea mayor que la de base y as polarizar correctamente. El resto de los componentes tiene la misma funcin que en el caso anterior.

4.3.- AMPLIFICADOR CON FUENTE NICA MEJORADO Este circuito es muy similar al anterior, pero aprovecha el capacitor de salida para eliminar C2 y provocar el mismo efecto utilizando slo el resistor R 1. El otro resistor es directamente el parlante (RL). Esto tambin nos obliga a cambiar los tipos de los transistores Q 3 y Q4.

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El resto de los componentes tiene la misma funcin que en el caso anterior. 5.- PROCEDIMIENTO DE DISEO Comenzaremos por el primer modelo de amplificador con fuente partida. En realidad, sea cual fuera el modelo elegido, salvo pequeas diferencias en sentidos de corriente y tensin o algunos componentes adicionales, el procedimiento y resultados son muy similares. 5.1.- ETAPA DE POTENCIA Dado que este circuito la etapa de potencia no se encuentra polarizada, la misma slo conduce corriente ante la presencia de seal, es decir que el semiciclo positivo de la seal permitir la conduccin de Q1 y el semiciclo negativo la de Q2. Esto nos permite analizar cada semiciclo por separado, es decir que podemos analizar el funcionamiento de uno de los transistores, para hacer extensivo el resultado al otro componente. El resultado total surgir de duplicar el resultado parcial.

XXIV

Cuando comenzamos el diseo de amplificadores, lo hacemos en funcin de lo que queremos lograr, es decir, cual ser la potencia de salida y sobre qu valor de carga se lograr. Posteriormente necesitaremos saber el nivel de seal que nos entrega la fuente de seal de la cual dispondremos y la resistencia que necesita ver para su correcto funcionamiento (ser la resistencia de entrada de nuestro amplificador). Supongamos que queremos lograr una potencia eficaz de salida de valor PSAL, sobre una carga RL. Aplicando las frmulas vistas anteriormente, para un semiciclo tenemos

V PRL m = RL 4 RL

Para la totalidad de la seal multiplicamos el resultado por dos y obtenemos la potencia de salida del amplificador
PRL V = RL =P AL S 2 RL
2

Si tomamos en cuenta cuales son los datos del problema, de la frmula despejaremos la incgnita

VRL = 2 RL PSAL
Con esta tensin obtenemos el valor de la corriente de pico de salida, la que utilizaremos para el clculo de las tensiones restantes. El objetivo ahora es calcular la tensin y corriente necesarias para obtener la potencia deseada, las que utilizaremos para el clculo de la fuente de alimentacin del circuito. En este punto debemos definir el valor de R E, por lo cual si queremos continuar necesitaramos disear sobre un caso prctico. Supongamos que queremos obtener una potencia de 5 W sobre una carga de 8 . Definimos RE como el 5% de RL, es decir 0.4 (valores comerciales posibles 0.39 y 0.47, de los cuales nos inclinamos al mayor para una mejor estabilidad an a costa de una pequea prdida de potencia), luego VSAL = 2 8 5W = 8.94V I SAL = VSAL 8.94V = = 1.12 A RL 8

V RE = I SAL R E = 1.12 A 0.47 = 0.53V Analicemos lo siguiente: la tensin de alimentacin VCC ser la suma de las tensiones mximas de salida y de resistencia de emisor y la mnima posible del transistor (VCEsat) que corresponde a la mxima corriente. De estas tensiones, la nica que no tenemos hasta ahora es la del transistor, que, como depende del mismo, no la podremos fijar hasta no saber que XXV

transistor utilizaremos. Por otro lado, los transistores de potencia se definen no slo por la corriente mxima que pueden soportar, sino tambin por la potencia y tensin mximas que soporta. Respecto de la potencia, es un clculo que haremos luego, pero la tensin que debe soportar el transistor entre sus bornes, debemos ya definirla. Los transistores de potencia pueden llegar a tener tensiones de saturacin de hasta 3 V en el caso de los tipo Darlington. Asimismo debemos tener en cuenta los consejos del fabricante, que indican que la tensin mxima de la fuente no debe superar el 75 % de la tensin mxima que soporta el transistor. Por ello es muy importante definir el transistor adecuado para cada caso.

En el caso de nuestro diseo y suponiendo que la tensin de saturacin es de 3 V tendramos una tensin de fuente de 8.94V+0.53V+3V= 12.47V, por lo que el transistor que buscaremos deber soportar una tensin de ruptura mnima de 16.63V (para este caso debemos decir que todos los transistores de potencia tienen tensiones de ruptura mayores a 20 V, por lo que no ser un dato relevante (slo en este caso).

Buscamos en un manual de datos, un transistor preparado para potencia y que posea par complementario, que pueda soportar una corriente de 1.12 A (siempre con un porcentaje de seguridad) y 16.63 V (aqu ya se tom un porcentaje de seguridad). Del manual obtenemos el transistor X que soporta una corriente de 2 A y una tensin de 40 V, que en primera instancia nos servira (tener en cuenta que un diseo tambin es prueba y error, por lo cual es posible que tengamos que hacer correcciones como as tambin cambiar componentes) Adems obtenemos de la hoja de datos lo siguiente. hFE = 1000, VCEsat = 1.8 V, VBE = 1.4 V, RJC = 2C/W entre otros Como podemos observar, hay una diferencia entre el valor supuesto de saturacin y el que indica la hoja de datos. No es mucho y no vamos a considerarlo en los clculos, pero vale la pena agregar que tendremos una tensin mayor en la carga, lo cual significa una mayor potencia, pero al final, cuando llevemos a cabo el proyecto, veremos que no es del todo as, puesto que hay prdidas adicionales no consideradas. Dicho de otro modo, este aparente error de clculo, simplemente repondra las prdidas no tomadas en cuenta. Con ello ya tenemos diseada la parte de potencia. Podramos calcular ahora los disipadores y fuente necesaria para alimentar el circuito, pero lo dejaremos para el final. Siguiendo con el circuito, debemos ahora disear la etapa anterior (llamada excitadora), que tiene por objeto amplificar tensin (no olvidemos que la etapa de salida complementaria amplifica slo corriente). 5.2.- ETAPA EXCITADORA Esta etapa, adems de amplificar en tensin, debe proveer la polarizacin a la etapa de salida para corregir la distorsin por cruce y lograr la simetra del circuito. XXVI

Esta etapa est en clase A, pero como maneja muy poca corriente (no desarrolla potencia), su bajo rendimiento no es problema. Como es un amplificador tipo A, necesita polarizacin con punto Q y su anlisis se puede separar en corriente continua y corriente alterna, pero siempre debemos recordar que para un mayor rendimiento, existe una relacin entre la ICQ y la corriente de pico de la seal (ICQ = ICP) CORRIENTE CONTINUA
Ic 3 q

CORRIENTE ALTERNA

Ve 3 cq

ic 3
iR 1

ib 1

2 b1 Ve

V sal
V q ce 3

Como cada uno de los transistores de salida funciona Analizando esta parte tenemos que: en distinto momento, podemos analizar el problema para uno de los semiciclos y sus resultados extenderlos 2VCC = V R 3 + VCEQ 3 + V DIST + V R1 2 al otro. VCEQ 3 = (2VCC 2V BE1 ) / 2 Encontremos las relaciones de tensin y corriente: Como VDIST=2VBE1 es conocido faltara determinar V RE1 + VBE1 las tensiones en resistencias y Q3. , adems I R1 = I c 3 = I b1 + I R1 R1 Del anlisis de los componentes sabemos que R3 es de un valor muy pequeo, por lo que su tensin se puede despreciar y adems que la tensin debe ser Como la corriente de alterna debe ser igual a la de simtrica, es decir VCEQ3=VR12, podemos calcular continua tenemos este valor para utilizarlo luego. Para obtener la mayor excursin ICQ=Ic3, es decir que la corriente de continua debe ser igual al valor pico de la alterna. V RE1 + V BE1 R1 + R2 R1 Esta ecuacin tiene dos incgnitas, por lo cual habr que adoptar una de ellas en base a algn criterio. Si observamos el circuito de alterna vemos que R2 queda en paralelo con el parlante, por lo cual debe ser de un valor mucho mayor que l, as no hay prdidas de potencia, pero tampoco puede ser tan alta porque producira una excursin menor en la etapa excitadora. Como valor podramos tomar R2 15 veces mayor que RL. I CQ 3 = I c 3 , es decir: = I b1 + VCEQ 3

XXVII

Con estas consideraciones y en primera aproximacin R2 = 15 RL = 120. No quiere decir que ser el valor final, todo depende de los resultados prcticos que obtengamos, lo que puede obligarnos a cambiar algunos valores. No obstante utilizaremos este valor para los clculos. Nos queda entonces resolver la ecuacin para obtener los valores de R1 VCEQ 3 R1 + R2 = R1 I b1 + (V RE1 + V BE1 ) R1

VCEQ 3 R1 = ( R1 + R2 ) R1 I b1 + ( R1 + R2 )(VRE1 + V BE1 ) VCEQ 3 R1 = R1 I b1 + R2 R1 I b1 + R1 (V RE1 + V BE1 ) + R2 (V RE1 + VBE1 ) Desarrollemos la ecuacin cuadrtica en R1 0 = R1 I b1 + R1 ( R2 I b1 + V RE1 + VBE1 VCEQ 3 ) + R2 (V RE1 + V BE1 ) Donde a = I b1 b = R2 I b1 + V RE1 + VBE1 VCEQ 3 c = R2 (VRE1 + V BE1 ) En nuestro diseo: VCEQ3 = 5.54 V VBE1 = 1.4 V VRE1 = 0.53 V a = 1.12 mA b = -3.48 V c = 231.6 V Apliquemos la resolucin de la ecuacin cuadrtica b b 2 4ac R1 = 2a R1a = 67 R1b = 3040
2 2

Descartamos la menor y normalizamos la otra para ser utilizada a 3300 o 2700 ohms. Si quisiramos podramos aumentar el valor de R2 un poco y recalcular, no es absolutamente necesario, pero es probable que, para mejorar el diseo tengamos que hacer algunos cambios. No obstante continuaremos con el diseo tal cual da hasta ahora. Utilizamos R1 = 2700 , entonces I CQ 3 = VCEQ 3 R1 + R2 = 5.54V = 1.96 mA 120 + 2700

Con estos datos ya podemos definir el transistor 3. En general el valor de la corriente no es problema porque al ser muy baja, la gran mayora de los transistores podra conducirla (en general en todos los circuitos se pretender que dicha corriente sea muy baja), el problema que puede haber (no precisamente en este caso) es la tensin que debe soportar el transistor.

XXVIII

Recordemos que los fabricantes aconsejan que el valor de fuente sea igual o menor que el 75 % del valor de tensin que soporta el transistor. El transistor 3 se halla conectado entre el positivo y negativo, por lo cual tendremos que considerar 2 VCC en el clculo. Por ello, la tensin que deber soportar el transistor 3 deber ser como mnimo 2VCC 2 12.47V = = 33.25V 0.75 0.75 Hay varios transistores que cumplen con dicha condicin. Supongamos que encontramos uno que tiene un hFE de 200, con lo cual IB3 = 9.8 uA Tendremos en cuenta tambin que nunca sabremos exactamente los valores reales de todos los componentes, por lo cual vamos a tener que calibrar la corriente para poder lograr la simetra del circuito. Para ello utilizaremos un potencimetro que se ubicar en la etapa que analizaremos a continuacin. 5.3.- ETAPA PRE-EXCITADORA Esta etapa, entre otras cosas, es la encargada de corregir la polarizacin del circuito, amplificar en tensin y adems controlar la ganancia de tensin total del circuito. Como esta etapa es clase A como la anterior, la analizaremos considerando la corriente continua por un lado y la alterna por otro, con las mismas consideraciones que siempre se utilizaron. Esta etapa no se alimenta desde ambas fuentes para aprovechar la realimentacin negativa y estabilizar tanto la continua como la alterna (ganancia). CORRIENTE CONTINUA CORRIENTE ALTERNA

Del circuito de alterna podemos deducir que se trata de un amplificador de tipo RE sin puentear cuya resistencia de emisor de alterna es R6. Adems observamos que la tensin de salida se realimenta negativamente a travs de R5 y R6. En la resistencia de emisor se tiene la misma tensin de seal que en base, por lo cual la ganancia de todo el circuito va a estar dada por R + R6 R5 AV = 5 De la etapa anterior tenemos la IB3. Vemos que sta R6 R6 se une a ICQ4 para pasar ambas por R4. Si XXIX

pretendemos regular la corriente en el transistor Q3 sin que influya el propio transistor tendremos que hacer que la corriente ICQ4 sea mucho mayor que IB3. Entonces adoptamos la corriente ICQ4 dndole un valor de 100 o 200 uA, aunque podramos aumentarla para una mayor estabilidad en el transistor Q4. Sabiendo que VR4 es aproximadamente 0.7 V 0.7V R4 = = 3500 = 3300 200uA Cualquier transistor puede conducir una corriente de colector de 200 uA, por lo cual suponemos que encontramos uno que soporta las caractersticas de tensin y tiene un hFE de 200, con lo cual IB4 = 1 uA. Para que la calibracin no dependa del transistor, la corriente que debe circular por la serie de resistencias de base debe ser mucho mayor que la IB4. Aqu hay bastante margen, por lo cual elegiremos una corriente un poco mayor a 20 veces la de base, por ejemplo 100 uA. Solo falta saber las tensiones sobre dichas resistencias. Para lograr una buena excursin de seal, el punto Q debera estar ms o menos centrado. Como en este caso estamos alimentando el circuito con la mitad de la tensin (por una cuestin de aprovechamiento), para que este punto est ms o menos centrado debemos hacer que la tensin sobre R5 sea a lo sumo un 10 o 20 % de 2VCC. Entonces VR5 = 1.247 V y R5 = 6200 , normalizado 5600. V B + V BE 4 + V R 5 = VCC V B = VCC VR 5 V BE 4 = 10.5V y V A = 2VCC V B = 14.44V Calculemos entonces las resistencias V 14.44V R 7 8 = A = = 144400 I 100uA V 10.5V R910 11 = B = = 105000 I 100uA Para discriminar los valores necesitamos hacer otras consideraciones.

Sabiendo la Vi que debe ser dato, podemos hallar la ganancia necesaria para cumplir con la potencia deseada. Con ello despejamos R6. Suponiendo que disponemos de una seal de entrada de 100 mV de pico, R 8.94V AV = = 89.4 = 5 100 mV R6 R 5600 R6 = 5 = = 62.6 AV 89.4 Normalizamos R6 a 56 En funcin de la resistencia de entrada que necesitemos tendremos que jugar con los valores de las resistencias R8 y R10 (no tomamos en cuenta R9 dado que es un potencimetro). Dado que el circuito RE sin puentear tiene una alta resistencia de entrada, consideraremos que la resistencia de entrada del circuito ser el paralelo entre R8 y R10, con un margen adicional para compensar la resistencia del transistor que no consideramos. Supongamos que necesitamos una Ri de 10 K. Podramos pensar en colocar dos resistencias iguales de por ejemplo 27 K, pero veamos que, en la rama superior tenemos dos resistencias que deben sumar 144 K y en la rama inferior tres que deben sumar 105 K, por lo cual utilizaremos una R8 mayor que R10.. Probemos adoptando R8 de 68 K, con lo cual queda definida R7 como 82 K (normalizado). Con una resistencia R10 de 15 K ya obtendramos la resistencia de entrada propuesta. Quedan entonces 90 K para repartir entre R9 y R11. R11 cumple la misma funcin que R7, lo cual no quiere decir que sean iguales. R9 es un potencimetro que debe permitir calibrar en continua al circuito, debiendo permitirnos una variacin tanto en ms como en menos de la R9-10-11. Adoptamos R11 = 47 K y R9 = 100 K con lo que estara diseado el circuito.

Calculemos ahora los capacitores de filtro C7 y C11. Estos capacitores, conjuntamente con sus resistencias homnimas, tienen la funcin de filtrar el ripple de fuente, para que el mismo no sea trasladado a la entrada de seal y amplificado como cualquier seal audible. Se trata de sendo filtros pasa bajos, que se calculan de manera tal que a la frecuencia de ripple, tengan una atenuacin de mil veces. XXX

Analicemos el filtro pasabajos siguiente, que es igual a los del amplificador (despreciando R8 y R10.

La transferencia de este filtro es Es decir que

AV = 2

1 1 + ( wCR) 2

AV = 2

1 1 1 1 = = 2 2 6 1 + ( wCR) 1000 1 + ( wCR) 1 10


2 2

1 106 = 1 + ( wCR) 1 106 = ( wCR) wCR = 1000


Hemos despreciado el 1 frente a la suma que debe dar 106. Para nuestro caso la frecuencia es 100 Hz (obviamente suponemos fuente de onda completa y ya tenemos los valores de las resistencias. Entonces

C7 =

1000 1000 = = 19,4uF wR7 2 100 82K 1000 1000 = = 33.86uF wR11 2 100 47K

que normalizamos a 22 uF

C11 =

que normalizamos a 33 uF

Respecto de los dems capacitores, salvo C3 que se va a adoptar entre 30 y 100 pF, los dems capacitores tienen la funcin de ser corto circuito en CA y circuito abierto en CC, por lo cual debemos considerar que tengan una reactancia por lo menos 10 veces menor a la resistencia en serie asociada (o 10 veces mayor para resistencia en paralelo asociada), a la menor frecuencia de trabajo (20 Hz). No es fcil determinar cual es la resistencia asociada, por lo cual el clculo de estos capacitores es slo una aproximacin a lo real. Por ejemplo C6 tiene asociadas en serie R5 + R6, con lo cual su valor podra llegar a aproximarse a

XXXI

C6 =

10 10 = = 14uF w( R5 + R6 ) 2 20 5656

que normalizado ser 22 uF

Aplicaremos el mismo criterio a los otros capacitores

C IN =

10 10 = = 6.47uF w( R8 // R10 ) 2 20 12.29K 10 10 = = 29.47uF w( R1 + RL ) 2 20 2.7 K

normalizado a 10 uF

C2 =

normalizado 33 uF

El capacitor de salida CSAL (en los amplificadores de fuente nica) se podra calcular de esta forma, pero al ser la resistencia asociada muy baja, el error que se comete sera grande y adems el valor del capacitor se elevara considerablemente. Una forma de resolverlo sera adoptar su valor e ir probando. Podramos comenzar con 1000 uF o 2200 uF. 6- ARMADO Y CALIBRACIN Cuando ya tenemos diseada y verificada la placa de circuito impreso (entendiendo que ya se han hecho las primeras pruebas en protoboard) comenzaremos el proceso de integracin de los componentes, realizando las mediciones comprobatorias en cada caso, para luego proceder a la calibracin final con el circuito totalmente armado. No debemos seguir adelante con el armado hasta tanto no se cumpla casa etapa. Comenzaremos con las cinco resistencias serie de la entrada (R 7 a R11). Una vez soldadas se proceder a conectar la fuente de alimentacin +Vcc y Vcc. Con un voltmetro mediremos la tensin en la serie R9 a R11. Variando el potencimetro R9 de un extremo al otro deberamos medir una tensin que como mnimo deber variar entre Vcc y Vcc-40%Vcc, a los fines de permitirnos calibrar la polarizacin del resto del circuito. Acto seguido conectaremos el transistor Q4, R5 y R4 (tengamos presente que la masa de la fuente debe ser conectada a R5 o en su defecto conectar RL). Variando R9 de extremo a extremo, debemos lograr que la tensin en R 4 vare entre 0 V y por lo menos 2 V. Tambin comprobaremos la tensin en R5 con el objeto de comprobar las conexiones. Agregaremos luego Q3, R1 y R2, cortocircuitando el circuito de correccin de la distorsin por cruce para no armarlo en este momento (aunque no debera crear problemas el armarlo). Mediremos la tensin VCEQ3, la cual debe variar (variando R9 de extremo a extremo) entre un valor menor a Vcc y un valor mayor a Vcc. Lo mismo debe ocurrir con la tensin en la serie R1-2. Una vez logrado esto calibraremos R9 de manera tal que la tensin VCEQ3 sea igual a VR1-2. Luego agregaremos los capacitores, en lo posible uno a uno comenzando de salida hacia entrada (ltimo CIN) comprobando que la tensin VCEQ3 no vare. Terminamos de armar el circuito. Controlamos que el potencimetro de correccin de la distorsin por cruce est en el punto que nos provea la menor tensin en dicho circuito, cortocircuitamos la entrada de seal y conectaremos la fuente. En forma inmediata comprobaremos que la tensin VCEQ3 sea igual a VR1-2. De no ser as la calibraremos con sumo cuidado mediante R9. Una vez calibrado debemos inyectar seal en la entrada (retirar el cortocircuito) y comprobaremos el funcionamiento del amplificador, haciendo las pruebas de rutina (respuesta en frecuencia, potencia mxima de salida, etc.) XXXII

ANEXO I CLCULO DE DISIPADORES A) Circuito trmico bsico de un componente En el punto anterior nombramos un sistema de clculo de potencia basado en un circuito elctrico que representa a la circulacin de calor. Hay que aclarar que este sistema es utilizado en forma universal y los datos necesarios para realizar los clculos se encuentran en las hojas de datos de los componentes. Veamos el circuito trmico para un regulador de tensin (o cualquier componente electrnico) Tj Rjc Tc Rca Ta

PD

Ambiente

Donde: PD: potencia que genera el componente para ser disipada. Debe hacerse notar que su clculo puede variar conforme al circuito. Ya vimos que para el caso de los reguladores de tensin se calcula multiplicando la diferencia entre la tensin de entrada y la de salida por la corriente de salida. Tj, Tc y Ta: Temperaturas de juntura, carcasa y ambiente. Estas temperaturas determinan el sentido de circulacin del calor generado. Para que el calor sea disipado al exterior Tj>Tc>Ta. La temperatura de juntura es la que no debe superar el valor tolerable del componente. En general se toma como 150 C la temperatura de carcasa (tambin llamada base de montaje o contenedor) es la temperatura que alcanza el componente en su encapsulado externo. La temperatura ambiente es la temperatura del receptor final del calor generado (esta temperatura no se toma como la ambiente que conocemos normalmente, sino que se adopta entre 70 y 80 C conforme el elemento est fuera o dentro de un gabinete. Rjc: se denomina as a la resistencia trmica entre la juntura y la carcasa y representa la velocidad de transferencia de calor entre el componente propiamente dicho y su carcasa. Como en electricidad, a mayor resistencia menor capacidad de disipacin. Es un dato que debe figurar en la hoja de datos del componente. Rca: igual a la anterior pero entre la carcasa del componente y el ambiente. Si asemejamos el circuito anterior a un circuito elctrico podemos encontrar las siguientes relaciones: R ja = R jc + Rca
PD = T j Ta R ja = T j Tc R jc = Tc Ta Rca

XXXIII

De lo anterior podemos deducir que las unidades son W (watt) para la potencia, C (grados Celsius) para temperatura y (C/W) para la resistencia trmica. Veamos un ejemplo: si tenemos un regulador cuyo fabricante nos informa que su producto posee una resistencia trmica juntura carcasa de 5 C/W y resistencia carcasa ambiente de 60 C/W, suponiendo una temperatura ambiente de 70 C obtenemos PD = 150 C 70 C = 1.23W C 65 W

Es decir que nuestro componente podr disipar una potencia de hasta 1,23 W sin problemas.

B) Circuito trmico con disipador: Como en general la potencia a disipar la determina el circuito a travs de sus tensiones y corrientes, por lo cual, si el circuito necesita disipar una potencia menor, no tendramos problemas. Por lo contrario, si el circuito necesita disipar una potencia mayor, debemos proveer al componente de un disipador. La funcin del disipador es extender la superficie de contacto del componente con el ambiente. Dado que la mayora de los componentes para potencia tienen una parte metlica, la unin de sta con el disipador permite una transferencia de mayor velocidad (entre metal y metal), reduciendo la resistencia trmica entre la carcasa y el ambiente (no podemos variar la resistencia trmica interna).

Para este caso, el circuito trmico se transforma en el que se dibuja a continuacin: Tj Rjc TC Rcd Rda Ta

PD

XXXIV

Donde se observa que la resistencia carcasa ambiente ahora es la suma de dos resistencias, la carcasa-disipador y la disipador-ambiente. Nuestro objetivo es calcular la resistencia trmica del disipador (disipadorambiente) para poder disipar la potencia necesaria. Supongamos que en el ejemplo anterior, el circuito tiene que disipar una potencia de 3 W. Como vimos, el componente por si solo no puede hacerlo, por lo cual se debe calcular un disipador que provea la velocidad de transferencia de calor necesaria. Comencemos los clculos obteniendo la resistencia trmica necesaria R ja = T j Ta PD = 150 C 70 C C = 26.7 3W W

Era lgico que la resistencia trmica necesaria iba a ser menor que la propia del componente. Y como R ja = R jc + Rcd + Rda
Rda =R ja R jc Rcd

La resistencia entre la carcasa y el disipador depende del encapsulado y la forma de montar el disipador y puede obtenerse de tablas a tal efecto:

Luego de obtener la resistencia trmica disipador-ambiente (del disipador directamente) debemos tomar hojas de datos de disipadores y obtener un disipador adecuado para el encapsulado del transistor y que posea una resistencia trmica igual o menor a la obtenida, con lo cual aseguramos una adecuada disipacin de potencia. De ser necesario, se puede ventilacin forzada, con lo cual podremos poner un disipador ms pequeo en funcin del caudal de aire que provea el elemento de ventilacin. Hay una tabla que se proporciona en el anexo, en la cual se encuentra el factor de correccin por el cual dividiremos la resistencia trmica del disipador si utilizamos ventilacin forzada. Como este factor es menor que uno, la resistencia ser mayor y por lo tanto necesitaremos un disipador ms pequeo.

XXXV

XXXVI