Compuertas TTL de tres estados Compuerta de Tres Estados TTL El circuito en estado Z se basa en bloquear los dos transistores

de la salida Totem- Pole a la vez cuando se active la entrada de control. La figura (M) muestra el inversor TTL 3-State. La entrada B2 en alto, hace que el transistor T5 se corte; por lo tanto la corriente base colector de T5 satura los transistores T6 y T7. El diodo D6 conduce y esto produce que los transistores de salida del circuito se corten, debido al potencial bajo en el emisor de T1 y el colector de T2. La conducción de T1, bloquea a T2 y T4 no recibe corriente en la base, por lo que entra a estado de corte. De otro lado, el colector del transistor T2 queda a un potencial muy próximo a masa, llevando a T3 a corte.

Figura (M) Circuito Inversor de tres estados TTL Otras series TTL. La familia original TTL se indica con los números 54/74. Con el avance que ha experimentado la tecnología de fabricación desde su introducción se han puesto en el mercado familias mejoradas basadas en tecnología bipolar que buscan optimizar algunos de los parámetros descritos anteriormente. TTL de bajo consumo (54L/74L). Esta familia se distingue por su bajo consumo de potencia (L=LOW POWER). Ello se consigue aumentando significativamente los valores de las resistencias de polarización de los diferentes transistores, con lo que se disminuye la corriente que circula por el sistema y con ello la potencia disipada. Si la potencia disipada en una puerta q típica de la familia 54/74 es de 10 mW la de la puerta equivalente en la versión 54L/74L es de 1 mW. El ahorro de potencia se paga con una pérdida en la velocidad: de los 10 nsg de tiempo de retardo típico en la familia original se pasa a unos 33 nsg de retardo en esta familia. TTL Schottky (54S/74S). Esta serie proporciona unos tiempos de conmutación menor, gracias a la incorporación de diodos Schottky que evitan que los transistores entren en saturación, disminuyendo el

El retardo típico es de 3 nsg. La disipación de potencia típica de una puerta es de 2 mW y el retardo de propagación de 10 nsg.7 170 8 .3 100 24 ALVC 3 150 24 CMOS 5 V HC 7 50 4 AC 5 160 24 AHC 3. Schottky avanzada y Shottky de bajo consumo avanzada (AS/ALS). tp (ns) Frecuencia máxima de reloj (MHz) Excitación de salida IOL(mA) 3. Esta familia proporciona un compromiso entre velocidad y baja disipación de potencia utilizando altos valores de resistencias y transistores de tipo Schottky.3 V LV 9 90 12 LVC 4. Existe una versión AS que se denomina F o FAST (rápida). TTL Schottky de bajo consumo (54LS/74LS). La tabla Muestra algunas características de las compuertas TTL y CMOS. Y la disipación de potencia de 19 mW.5 mW para l serie AS y 1 mW para la serie ALS. Características TTL F Retardo de Propagación de puerta. Los tiempos de retardo de propagación típicos son de 1. Estas tecnologías suponen versiones avanzadas de las series S y LS.3 145 20 LS 10 33 8 ALS 7 45 8 CMOS 3. La disipación de potencia estática típica es de 8.5 nsg para AS y 4 nsg para ALS.tiempo que tarda el transistor en entrar y salir de la conducción.

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