Desempeo de Diodos PIN tipo Beam Lead en Dispositivos

Conmutadores de Seales de Alta Frecuencia

Moiss Medina-Plata, G. Leija-Hernndez, A. Iturri-Hinojosa

aiturri@ipn.mx, moises1603@hotmail.com
Ingeniera en Comunicaciones y Electrnica, ESIME Zacatenco, Instituto
Politcnico Nacional, Mxico D.F. Mxico

Los diodos PIN son ampliamente utilizados en el diseo de
dispositivos conmutadores y desplazadores de fase de seales de
alta frecuencia. Los parmetros de desempeo de estos
dispositivos son las prdidas de insercin y el aislamiento,
medidas en decibelios, debidas directamente al diodo PIN
utilizado. El trabajo presenta un anlisis numrico de la resistencia
serie, Rs, y la capacitancia de unin, Cj, caractersticas propias de
diseo de los diodos PIN. Se estudian estos parmetros de los
diodos para alcanzar niveles adecuados de prdidas de insercin y
aislamiento en un dispositivo conmutador de microondas diseado
en base a diodos p-i-n.

1. Introduccin

Los conmutadores de microondas son utilizados como elementos

de control en gran variedad de aplicaciones en microsistemas.
Realizan la funcin de control y direccionamiento del flujo de la
energa de la seal de radiofrecuencia (RF) desde una parte de un
circuito a otro, por medio de seales de control externas. Un
conmutador en estado de alta impedancia se caracteriza por el
aislamiento que pueda brindar entre sus puertos. El nivel de
aislamiento es muy importante en toda aplicacin, por lo que el
conmutador debe de ser capaz de proteger la sensibilidad del
circuito receptor de la gran potencia de la seal RF transmitida.
En general, los conmutadores pueden ser operados manual o
electrnicamente. Sin embargo muchas aplicaciones de circuitos
integrados para microondas requieren tiempos de conmutacin
que no pueden ser llevados a cabo manualmente, recurriendo al
control electrnico. Los conmutadores controlados
electrnicamente pueden ser fabricados usando diodos PIN o
generalmente transistores MESFETs de GaAs.

2. Parmetros de Diodos PIN

El diodo PIN comnmente se fabrica en base al semiconductor de

silicio que consta de dos regiones, una tipo P y otra tipo N. Entre
estas regiones se encuentra una regin intrnseca I de alta
resistividad. Trabajan con seales de frecuencia en la gama de
microondas (>1 GHz).
El diodo a estas frecuencias tiene una impedancia muy alta
cuando est inversamente polarizado y una impedancia muy baja
cuando est polarizado en sentido directo. Para todos los
propsitos el diodo PIN puede comportarse como un cortocircuito
bajo polarizacin directa y como un circuito abierto en polarizacin
inversa. Tambin se lo utiliza para conmutar corrientes muy
intensas y/o tensiones muy grandes.
En el estado de baja impedancia, el diodo PIN se comporta como
una inductancia L en serie con una resistencia R
s
. Su modelo de
circuito equivalente se muestra en la figura 1.
Asumiendo que la seal de RF no afecta la carga almacenada, la
impedancia de polarizacin directa R
s
se obtiene con la siguiente
ecuacin [1]:

R
s
=
w
2
(
n
+
p
)
(1)

donde
n
es la movilidad de los electrones, y
p
es la movilidad de
los huecos.
La carga Q [C] es resultado de la recombinacin de portadores
(electrones y huecos) en la regin intrnseca, y est dada por [1]:

= I
0
(2)

En situacin de polarizacin inversa, el diodo PIN se comporta
como el circuito conformado por una inductancia L en serie con el
paralelo de una capacitancia C
T
y una resistencia R
P
. Tal como se
muestra en la figura 1b.
El capacitor se puede obtener con [1]:

C
1
=
sA
w
(3)

donde e es la constante dielctrica del material de diseo del
diodo, y A es el rea de la unin del diodo.

(a) (b)
Fig. 1 Circuitos equivalentes del diodo PIN en polarizacin (a)
directa e (b) inversa
3. Dispositivos conmutadores de microondas

Los diodos PIN son muy utilizados en los sistemas de

comunicaciones inalmbricas como elementos conmutadores para
el control de las seales de RF [2].

En la figura 2, se muestra los conmutadores de un polo un tiro
(SPST) tipos serie y paralelo.


(a) (b)
Fig. 2 Conmutadores en base a diodos PIN SPST (a) serie (b)
paralelo
Otro tipo de conmutadores de microondas son los conmutadores
compuestos. Estos tienen mejores respuestas de aislamiento
comparados con los conmutadores de un solo diodo PIN. Los
conmutadores compuestos son combinaciones de los diodos PIN
en serie y en paralelo [2]. La figura 3 muestra dos conmutadores
compuestos de un polo un tiro (SPST).
En un conmutador compuesto, cuando los diodos PIN en serie se
polarizan directamente, y los diodos en paralelo se polarizan
inversamente (o estado cero), se trata la prdida de insercin. El
caso inverso se trata el aislamiento.
En estos casos, los circuitos de control de los diodos son ms
complejos en comparacin con los conmutadores simples.


(a) (b)
Fig. 3 Conmutadores SPST (a) serie-paralelo ELL y (b) diseo
TEE
3.1 Prdidas de insercin y aislamiento de los conmutadores

La prdida de insercin se define como la relacin, generalmente
en decibelios, de la potencia entregada por un conmutador ideal en
estado de conduccin con la potencia real entregada por el
conmutador en estado de conduccin [2]. Es decir:

II
dB
1ulog
10
_
P
L,ON
idccl
P
L,ON
rccl
] (4)

El aislamiento es una medida del desempeo del conmutador en el
estado abierto. Est definida como la relacin de potencia de
microondas entregada por un conmutador ideal a la carga en
estado de conduccin con la potencia actual entregada a la carga
cuando el conmutador est en estado abierto [2]. Es decir:

I
dB
1ulog
10
_
P
L,ON
idccl
P
L,OFF
rccl
] (5)

La siguiente tabla muestra las expresiones matemticas para
estimar los parmetros de desempeo de los conmutadores en
base a diodos PIN.

Tabla 1 Expresiones para la prdida de insercin y el aislamiento
de conmutadores SPST
Tipo Aislamiento Prdidas de insercin (dB)
Serie 1ulog
10
_1 +_
X
C
2Z
0
]
2
_ 2ulog
10
_1 +
R
S
2Z
0
_
Paralelo 2ulog
10
_1 +
Z
0
2R
S
_ 1ulog
10
_1 +_
Z
0
2X
C
]
2
_
Serie
Derivacin
1ulog
10
l
l
l
l
l
_1 +
Z
0
2R
S
]
2
+_
X
C
2Z
0
]
2
_1 +
Z
0
R
S
]
2
1
1
1
1
1

1ulog
10
__1 +
R
S
2Z
0
]
2
+ _
Z
0
+R
S
2X
C
]
2
_
TEE
1ulog
10
_1 +_
X
C
Z
0
]
2
_
+1ulog
10
__1 +
Z
0
2R
S
]
2
+_
X
C
2R
S
]
2
_
2ulog
10
_1 +
R
S
Z
0
_
+1ulog
10
_1 +_
Z
0
+R
S
2X
C
]
2
_

4. Anlisis de prdida de insercin

Consideramos al diodo PIN HPND4038 del fabricante AVAGO
Technologies, cuyos parmetros de circuito equivalente en
situacin de polarizacin directa e inversa son: 1.5 Ohms de
resistencia serie y 0.0045pF capacitancia de unin.
En la figura 4 se muestran las respuestas de prdida de insercin
de los conmutadores serie-paralelo, paralelo y Tee utilizando el
diodo HPND4038.
Como se puede apreciar los conmutadores tipos Tee y Serie-
Paralelo, tienen un comportamiento de prdida de insercin lineal y
constante de 0.4 y 0.2 dB, respectivamente, hasta
aproximadamente los 10 GHz.
La prdida de insercin para frecuencias por debajo de 10 GHz es
menor en el conmutador de tipo paralelo. Conforme aumenta la
frecuencia de operacin, la prdida de insercin en los tres
conmutadores converge hacia 3 dB.


Fig. 4 Prdida de insercin respecto a la frecuencia de operacin
La prdida de insercin obtenida de los conmutadores en serie
utilizando los diodos PIN de la tabla 2 se detalla en la siguiente
tabla.
Tabla 2 Resistencia serie y capacitancia de unin de diodos PIN
Diodo Rs () Cj( pF)
HPND4005 4.7 0.017
HPND0002 3.5 0.2
HPND4028 2.3 0.025
HPND4038 1.5 0.045
5082-0012 1 0.12

La figura 5 muestra la prdida de insercin en dB de los
conmutadores en paralelo, serie-paralelo y Tee en funcin de la
frecuencia de operacin, hasta los 10 GHz, utilizando los diodos p-
i-n de la tabla 2.
Se encontraron las respuestas de prdida de insercin de los
conmutadores serie, paralelo, serie-paralelo y Tee, para los diodos
PIN descritos en la tabla 2 [3-6]. Ver Tabla 3.

Tabla 3 Valores de prdida de insercin de los conmutadores en
serie para cada uno de los diodos utilizados
Diodo IL(dB)
HPND4005 0.4
HPND0002 0.3
HPND4028 0.1975
HPND4038 0.1293
5082-0012 0.0864

La figura 5 muestra las respuestas de prdidas de insercin
correspondientes a los conmutadores: paralelo, serie-paralelo y
Tee.
El diodo HPND4005 en el conmutador en paralelo tiene prdida de
insercin menor respecto a los otros diodos a bajas frecuencias
(<1GHz). El diodo PIN 5082-0012 en los conmutadores serie-
paralelo y TEE es con el que se obtiene menor prdida de
insercin a bajas frecuencias.
La respuesta de prdida de insercin para frecuencias de
microondas (>1GHz) en los conmutadores serie-paralelo y Tee
aumenta drsticamente. El desempeo de los diodos PIN
estudiados a determinada frecuencia de microondas se puede
estimar con la figura 5.


(a)

(b)


(c)
Fig. 5 Prdida de insercin de conmutadores (a) paralelo, (b)
Serie-Paralelo y (c) TEE
5. Anlisis de aislamiento

La figura 6 muestra los resultados de aislamiento de los

conmutadores en funcin de la frecuencia de operacin, de 1 GHz
a 100 GHz.
El diodo HPND4005 en el conmutador tipo serie presenta una
respuesta de aislamiento superior a 19 dB para frecuencias
inferiores a los 10 GHz. Los diodos PIN 5082-0012, HPND4028 y
HPND4038 presentan mayor aislamiento en el conmutador en
paralelo, superior a 21 dB. Los cuatro diodos pueden ser utilizados
en los conmutadores serie-paralelo y TEE, por sus respuestas de
aislamiento superiores a los 18 dB.


(a)

(b)

(c)

(d)

Fig. 6 Aislamiento de los conmutadores (a) serie, (b) paralelo, (c)
Serie-Paralelo y (d) TEE

Conclusiones

Se present un anlisis de los parmetros de los diodos PIN que
influyen en las prdidas de insercin y aislamiento de cuatro tipos
de conmutadores de seales de microondas. Existe una fuerte
dependencia de las prdidas de insercin y aislamiento con la
frecuencia de operacin de las seales. Un valor bajo de
resistencia serie (Rs) del diodo PIN en situacin de polarizacin
directa, no asegura en su totalidad buen desempeo del diodo en
un conmutador. Es necesario calcular el nivel de aislamiento que
puede presentar el conmutador utilizando tal diodo. El nivel de
aislamiento depende, en algunos conmutadores, de la capacitancia
de unin (Cj) que representa al diodo en situacin de polarizacin
inversa.

Agradecimientos

La investigacin recibi el apoyo parcial del proyecto de
investigacin SIP20090676.

Referencias

[1] White, J, Semiconductor Control, Artech House, Dedham,

MA, 1977, pgs. 39-87.
[2] Gerald Hiller, Design with PIN diodes, Alpha Industries.
[3] Data sheet, 5082-0012 PIN Diode Chip for Hybrid MIC
Switches/Attenuators, www.avagotech.com
[4] Data sheet, HPND-0002, Small Signal RF PIN Diode Chips
for Hybrid Integrated Circuits, www.avagotech.com
[5] Data sheet, HPND4005, Beam Lead PIN Diode,
www.avagotech.com
[6] Data sheet, HPND-4028, HPND-4038, Beam Lead PIN
Diodes for Phased Arrays and Switches,
www.avagotech.com