MEMORIAS GENERALIDADES.

TIPOS DE ACCESO Las memorias son circuitos integrados cuyos pines se hallan en ambos lados de la cpsula, formando dos lneas o hileras de pines (DIP) y generalmente se fabrican con capacidades de orden de Kilobytes o Megabytes mltiplos de 8, por ejemplo 8k, 16k, 32k, 64k, 128k, o 8M, 16M, 32M, etc.

Como se puede apreciar en la grafica se visualiza un esquema de los pines que generalmente se encuentran en una memoria, se describen a continuacin: A 0 ...A n (Bus de direcciones): Estos pines son las entradas para seleccionar la posicin de memoria a escribir o leer y su cantidad define la capacidad de palabras que puede almacenar, dada por la expresin 2, donde n es el nmero de pines. D 0 ...D n (Bus de Datos): Corresponde a los pines de entrada y salida de datos. En el mercado se consiguen generalmente buses de 1, 4, 8 y 16 bits y lo ms usual es encontrar chips tengan 8 entradas de datos. CS (Chip Select): Este pin se utiliza para seleccionar el chip de memoria que se desea acceder. Esto en el caso del usar dos o ms memorias similares. OE (Output Enable): Utilizado para habilitar la salida de datos. Cuando se encuentra en estado activo las salidas tiene alta impedancia o actan como entradas. RW (Read/Write): Entrada utilizada en las memorias RAM para seleccionar la operacin de lectura o escritura. V CC y GND (Alimentacin): Corresponden a los pines de alimentacin del circuito integrado. Algunas tienen disponible tres pines para este propsito, pero por lo general son dos y el valor de la tensin de alimentacin depende de la tecnologa de fabricacin del circuito.

TIPOS DE MEMORIAS RAM

ROM

MEMORIA SRAM - MCM6264C MEMORIA DRAM 4116

PROM EPROM

MEMORIAS PROM - 74S473

MEMORIA EPROM - 27C16B

EEPROM o EPROM

FLASH

MEMORIA EEPROM - 28C64A

MEMORIA FLASH - 27F256

RAM La memoria de acceso aleatorio (en ingls: randomaccess memory cuyo acrnimo es RAM) es la memoria desde donde el procesador recibe las instrucciones y guarda los resultados. Es el rea de trabajo para la mayor parte del software de un computador. Existe una memoria intermedia entre el procesador y la RAM, llamada cache, pero sta slo es una copia (de acceso rpido) de la memoria principal (tpicamente discos duros) almacenada en los mdulos de RAM.

En esta grafica se visualiza como se establece la matrix de almacenamiento de los datos

Ejemplos de circuitos integrados:

MEMORIA SRAM - MCM6264C

Esta memoria fabricada por Motorola y desarrollada con tecnologa CMOS tiene una capacidad de 8K x 8. Los tiempos de lectura y escritura del integrado son de aproximadamente 12 ns y tiene un consumo de potencia aproximado de 100 mW. En la Figura se observa la disposicin de los pines del circuito integrado de esta memoria y sus las caractersticas tcnicas bsicas.

MEMORIA DRAM 4116

El CI 4116 es una memoria DRAM de 16K x 1. La estructura interna de este integrado se encuentra constituida por un arreglo de 128 filas y 128 columnas donde cada uno de los bits se ubica con una direccin de 14 bits. En la figura se muestra la disposicin de los pines del circuito integrado. Observe que la entrada de direcciones es de 7 bits (A0...A6). La razn de poseer 7 pines y no 14, se debe a que estos tienen funcin doble, por ejemplo la entrada A0 se utiliza para establecer los valores de los bits A0/A7 de la direccin de memoria que se quiere acceder.

Para ingresar una direccin de memoria en este integrado se utilizan las seales de entrada RAS y CAS, las cuales deben estar inicialmente en "1" para recibir los 7 bits menos significativos de la direccin (A6...A0). Despus de ello la entrada RAS debe cambiar a "0" con lo cual los 7 bits se cargan en el registro de direcciones de memoria y el dispositivo queda disponible para recibir los 7 bits ms significativos (A7...A14) de la direccin. Una vez se aplican estos bits, la entrada CAS debe cambiar a "0", cargndolos de esta forma en el registro de direcciones en su respectiva posicin y permitiendo finalmente acceder a la posicin de memoria para efectuar la operacin de lectura o escritura.

ROM

Memoria de slo lectura (normalmente conocida por su acrnimo, Read Only Memory) es una clase de medio de almacenamiento utilizado en los ordenadores y otros dispositivos electrnicos. Los datos almacenados en la ROM no se pueden modificar -al menos no de manera rpida o fcil- y se utiliza principalmente para contener el firmware (software que est estrechamente ligado a hardware especfico, y es poco probable que requiera actualizaciones frecuentes).

Una razn de que todava se utilice la memoria ROM para almacenar datos es la velocidad ya que los discos son ms lentos. An ms importante, no se puede leer un programa que es necesario para ejecutar un disco desde el propio disco. Por lo tanto, la BIOS, o el sistema de arranque oportuno del PC normalmente se encuentran en una memoria ROM.

La memoria RAM normalmente es ms rpida para lectura que la mayora de las memorias ROM, por lo tanto el contenido ROM se suele traspasar normalmente a la memoria RAM cuando se utiliza.

PROM

Es el acrnimo de Programmable Read-Only Memory (ROM programable). Es una memoria digital donde el valor de cada bit depende del estado de un fusible (o antifusible), que puede ser quemado una sola vez. Por esto la memoria puede ser programada (pueden ser escritos los datos) una sola vez a travs de un dispositivo especial, un programador PROM. Estas memorias son utilizadas para grabar datos permanentes en cantidades menores a las ROMs, o cuando los datos deben cambiar en muchos o todos los casos.

Una PROM comn se encuentra con todos los bits en valor 1 como valor por defecto de las fbricas; el quemado de cada fusible, cambia el valor del correspondiente bit a 0. La programacin se realiza aplicando pulsos de altos voltajes que no se encuentran durante operaciones normales (12 a 21 voltios). El trmino Read-only (slo lectura) se refiere a que, a diferencia de otras memorias, los datos no pueden ser cambiados (al menos por el usuario final).

Ejemplo de circuito integrado:

MEMORIAS PROM - 74S473

Esta memoria tiene una capacidad de 512 palabras de 8 bits y la descripcin de sus pines se muestra en la siguiente grafica:

EPROM

Son las siglas de Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM programable borrable). Es un tipo de chip de memoria ROM no voltil inventado por el ingeniero Dov Frohman. Est formada por celdas de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) o "transistores de puerta flotante", cada uno de los cuales viene de fbrica sin carga, por lo que son ledos como 0 (por eso, una EPROM sin grabar se lee como 00 en todas sus celdas). Se programan mediante un dispositivo electrnico que proporciona voltajes superiores a los normalmente utilizados en los circuitos electrnicos. Las celdas que reciben carga se leen entonces como un 1.

Una vez programada, una EPROM se puede borrar solamente mediante exposicin a una fuerte luz ultravioleta. Esto es debido a que los fotones de la luz excitan a los electrones de las celdas provocando que se descarguen. Las EPROMs se reconocen fcilmente por una ventana transparente en la parte alta del encapsulado, a travs de la cual se puede ver el chip de silicio y que admite la luz ultravioleta durante el borrado.

Como el cuarzo de la ventana es caro de fabricar, se introdujeron los chips OTP (One-Time Programmable, programables una sola vez). La nica diferencia con la EPROM es la ausencia de la ventana de cuarzo, por lo que no puede ser borrada. Las versiones OTP se fabrican para sustituir tanto a las EPROMs normales como a las EPROMs incluidas en algunos microcontroladores. Estas ltimas fueron siendo sustituidas progresivamente por EEPROMs (para fabricacin de pequeas cantidades donde el coste no es lo importante) y por memoria flash (en las de mayor utilizacin).

Una EPROM programada retiene sus datos durante diez o veinte aos, y se puede leer un nmero ilimitado de veces. Para evitar el borrado accidental por la luz del sol, la ventana de borrado debe permanecer cubierta. Los antiguos BIOS de los ordenadores personales eran frecuentemente EPROMs y la ventana de borrado estaba habitualmente cubierta por una etiqueta que contena el nombre del productor del BIOS, su revisin y una advertencia de copyright.

Las EPROM pueden venir en diferentes tamaos y capacidades. As, para la familia 2700 se pueden encontrar:

Tipo de EPROM 1702, 1702A 2704 2708 2716, 27C16 2732, 27C32 2764, 27C64

Tamao Tamao bits Bytes 2 Kbits 256 4 Kbits 512 8 Kbits 1 KBytes 16 Kbits 2 KBytes 32 Kbits 4 KBytes 64 Kbits 8 KBytes

Longitud (hex) 100 200 400 800 1000 2000

ltima direccin (hex) 000FF 001FF 003FF 007FF 00FFF 01FFF

27128, 27C128 27256, 27C256 27512, 27C512 27C010, 27C100 27C020 27C040 27C080

128 Kbits 256 Kbits 512 Kbits 1 2 4 8 Mbits Mbits Mbits Mbits

16 KBytes 32 KBytes 64 KBytes 128 KBytes 256 KBytes 512 KBytes 1 MBytes

4000 8000 10000 20000 40000 80000 100000

03FFF 07FFF 0FFFF 1FFFF 3FFFF 7FFFF FFFFF

MEMORIA EPROM - 27C16B

Esta memoria de 24 pines tiene una capacidad de 2048 palabras de 8 bits, es decir 2KB. Las salidas de esta memoria son triestado, lo que permite escribir o leer los datos con el mismo bus de datos.

Esta memoria tiene dos pines no indicados inicialmente: VPP: Es utilizado durante la programacin. CE/P (Chip Enable/Program): Utilizado para seleccionar el chip (en caso de emplearse en forma conjunta con otros) y para programar la posicin de memoria seleccionada en el bus de direcciones.

Durante la programacin de la memoria, la entrada OE se debe encontrar en 1. En la entrada debe estar presente una tensin de 5V, as como en los datos y la direccin de memoria.

Despus de ello, se aplica pulso de tensin durante 30 ms aproximadamente, para almacenar los datos. Como se vi anteriormente, el borrado de este tipo de memoria se efecta mediante la exposicin del integrado a luz ultravioleta. Una lmpara UV de 12mW, puede ser utilizada para efectuar este proceso, el cual tarda entre 20 y 25 minutos.

EEPROM o EPROM

Son las siglas de Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM programable y borrable elctricamente). Es un tipo de memoria ROM que puede ser programado, borrado y reprogramado elctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante un aparato que emite rayos ultravioletas. Son memorias no voltiles. Las celdas de memoria de una EEPROM estn constituidas por un transistor MOS, que tiene una compuerta flotante (estructura SAMOS), su estado normal est cortado y la salida proporciona un 1 lgico.

Aunque una EEPROM puede ser leda un nmero ilimitado de veces, slo puede ser borrada y reprogramada entre 100.000 y un milln de veces.

Estos dispositivos suelen comunicarse mediante protocolos como IC, SPI y Microwire. En otras ocasiones, se integra dentro de chips como microcontroladores y DSPs para lograr una mayor rapidez.

Ejemplo de circuito integrado:

MEMORIA EEPROM - 28C64A

Esta memoria tiene una capacidad de 8K X 8 y tiene caractersticas diferentes a las dems. La informacin almacenada puede perdurar aproximadamente 100 aos y puede soportar hasta 100.000 ciclos de grabado y borrado.

FLASH

La memoria flash es una manera desarrollada de la memoria EEPROM que permite que mltiples posiciones de memoria sean escritas o borradas en una misma operacin de programacin mediante impulsos elctricos, frente a las anteriores que slo permite escribir o borrar una nica celda cada vez. Por ello, flash permite funcionar a velocidades muy superiores cuando los sistemas emplean lectura y escritura en diferentes puntos de esta memoria al mismo tiempo.

Ofrecen, adems, caractersticas como gran resistencia a los golpes, bajo consumo y es muy silencioso, ya que no contiene ni actuadores mecnicos ni partes mviles. Su pequeo tamao tambin es un factor determinante a la hora de escoger para un dispositivo porttil, as como su ligereza y versatilidad para todos los usos hacia los que est orientado. Sin embargo, todos los tipos de memoria flash slo permiten un nmero limitado de escrituras y borrados, generalmente entre 10.000 y un milln, dependiendo de la celda, de la precisin del proceso de fabricacin y del voltaje necesario para su borrado.

Este tipo de memoria est fabricado con puertas lgicas NOR y NAND para almacenar los 0s 1s correspondientes.

Ejemplos de circuito integrado:

MEMORIA FLASH - 27F256

La capacidad de esta memoria es de 32K X 8 y como memoria Flash tiene la caracterstica particular de ser borrada en un tiempo muy corto (1 seg.). El tiempo de programacin por byte es de 100 ms y el tiempo de retencin de la informacin es de aproximadamente 10 aos.